| 1 |
1
광-마이크로파 변환기에 있어서,부성 미분 저항 소자를 포함하고, 발진하여 마이크로파를 생성하는 발진기; 및상기 발진기에 접속되고, 광 신호에 기초하여 상기 광 신호에 대응하는 전기적 신호를 생성하는 광 검출기를 포함하고,상기 광 검출기는,상기 광 신호에 기초하여 상기 발진기의 동작을 제어하고,상기 부성 미분 저항 소자는 상기 광 검출기의 출력단에 연결되어 모노리식하게 집적되고,상기 광-마이크로파 변환기의 출력 신호는 상기 광 신호의 크기에 따라 변화되는 상기 광 검출기의 이득에 기초하여 변조되는광-마이크로파 변환기
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 부성 미분 저항 소자는 부성 미분 저항 트랜지스터와 부성 미분 저항 다이오드 중에서 적어도 하나로 구현되는 광-마이크로파 변환기
|
| 3 |
3
삭제
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 광 검출기는,상기 광 신호가 제1레벨일 때 상기 발진기를 턴-오프(turn-off)시키고, 상기 광 신호가 제2레벨일 때, 상기 발진기를 턴-온(turn-on)시키는 광-마이크로파 변환기
|
| 5 |
5
삭제
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,상기 광 검출기는 포토트랜지스터와 애벌랜치 포토다이오드 중에서 적어도 하나로 구현되는 광-마이크로파 변환기
|
| 7 |
7
삭제
|
| 8 |
8
제1항에 있어서,상기 발진기는,상기 부성 미분 저항 소자에 접속되고, 상기 발진기의 발진 주파수를 조정하기 위한 공진기를 더 포함하는 광-마이크로파 변환기
|
| 9 |
9
제1항에 있어서,상기 부성 미분 저항 소자는 입력 전압과 상기 광 검출기의 출력 신호 중에서 적어도 하나에 응답하여 부성 미분 저항 특성을 나타내는 광-마이크로파 변환기
|
| 10 |
10
제1항의 광-마이크로파 변환기; 및상기 광 신호가 상기 광-마이크로파 변환기을 통해 변환된 마이크로파 신호를 전송하기 위한 안테나를 포함하는 기지국
|
| 11 |
11
광 신호를 전송하는 중앙 기지국; 및상기 광 신호를 마이크로파 신호로 변환하기 위한 광-마이크로파 변환기를 포함하는 기지국을 포함하고,상기 광-마이크로파 변환기는,부성 미분 저항 소자를 포함하고, 발진하여 마이크로파를 생성하는 발진기; 및상기 발진기에 접속되고, 상기 광 신호에 기초하여 상기 광 신호에 대응하는 전기적 신호를 생성하는 광 검출기를 포함하고,상기 광 검출기는,상기 광 신호에 기초하여 상기 발진기의 동작을 제어하고,상기 부성 미분 저항 소자는 상기 광 검출기의 출력단에 연결되어 모노리식하게 집적되고,상기 광-마이크로파 변환기의 출력 신호는 상기 광 신호의 크기에 따라 변화되는 상기 광 검출기의 이득에 기초하여 변조되는통신 시스템
|
| 12 |
12
제11항에 있어서,상기 부성 미분 저항 소자는 부성 미분 저항 트랜지스터와 부성 미분 저항 다이오드 중에서 적어도 하나로 구현되는 통신 시스템
|
| 13 |
13
삭제
|
| 14 |
14
삭제
|
| 15 |
15
제11항에 있어서,상기 광 검출기는 포토트랜지스터와 애벌랜치 포토다이오드 중에서 적어도 하나로 구현되는 통신 시스템
|
| 16 |
16
제11항에 있어서,상기 부성 미분 저항 소자는 입력 전압과 상기 광 검출기의 출력 신호 중에서 적어도 하나에 응답하여 부성 미분 저항 특성을 나타내는 통신 시스템
|
