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실리콘 산화물층 내에 다수의 실리콘 양자점을 포함하는 실리콘 양자점층과, 상기 실리콘 양자점층 상에 형성된 도핑된 그래핀층과, 상기 도핑된 그래핀층 상에 형성되며 상기 도핑된 그래핀층을 캡슐화하는 비도핑된 그래핀으로 이루어지는 인캡슐레이션층으로 구성되는 하이브리드 구조(hybrid structure); 및 상기 하이브리드 구조의 상하부에 형성된 전극을 포함하고,상기 도핑된 그래핀층은 1
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제1항에 있어서, 상기 하이브리드 구조 및 상기 전극은 어닐링 처리되는 것을 특징으로 하는 그래핀-실리콘 양자점 하이브리드 구조의 태양전지
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제3항에 있어서, 상기 어닐링 처리는 450 ℃ 내지 550 ℃ 범위의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 그래핀-실리콘 양자점 하이브리드 구조의 태양전지
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제1항에 있어서,상기 도핑된 그래핀층은 AuCl3, B, HNO3 및 RhCl3로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 어느 하나의 도펀트로 도핑되어 형성된 것을 특징으로 하는 그래핀-실리콘 양자점 하이브리드 구조의 태양전지
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제1항에 있어서,상기 도핑된 그래핀층은 150 ohm/sq 내지 500 ohm/sq 범위의 면저항을 갖는 것을 특징으로 하는 그래핀-실리콘 양자점 하이브리드 구조의 태양전지
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실리콘 산화물층 내에 다수의 실리콘 양자점을 포함하는 실리콘 양자점층과, 상기 실리콘 양자점층 상에 그래핀층과, 상기 그래핀층 상에 형성된 금속 나노와이어층으로 구성되는 하이브리드 구조(hybrid structure); 및 상기 하이브리드 구조의 상하부에 형성된 전극을 포함하고,상기 금속 나노와이어층은 0
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제7항에 있어서, 상기 금속 나노와이어층은 은 나노와이어로 이루어지는 것을 특징으로 하는 그래핀-실리콘 양자점 하이브리드 구조의 태양전지
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기판 상에 실리콘 산화물층 내에 다수의 실리콘 양자점을 포함하는 실리콘 양자점층을 형성하는 단계; 상기 실리콘 양자점층 상에 도핑된 그래핀층을 형성하는 단계; 상기 도핑된 그래핀층 상에 비도핑된 그래핀으로 이루어지는 인캡슐레이션층을 형성하여 하이브리드 구조를 완성하는 단계; 및 상기 하이브리드 구조의 상하부에 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 도핑된 그래핀층은 1
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제9항에 있어서, 상기 인캡슐레이션층을 형성하는 단계는 기재 상에 전도성 박막을 형성하는 단계; 및 상기 도핑된 그래핀층 상에 상기 전도성 박막을 전사시켜 인캡슐레이션층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀-실리콘 양자점 하이브리드 구조의 태양전지 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 실리콘 양자점층을 형성하는 단계는 상기 기판 상에 실리콘 산화물(SiO2) 박막 및 붕소(B)가 도핑된 실리콘 아산화물(SiOx) 박막을 교대로 적층하여 다층 구조의 시료를 제조하는 단계; 및 상기 시료를 어닐링 처리하여 실리콘 산화물층 내에 다수의 실리콘 양자점이 일정하게 분포하는 상기 실리콘 양자점층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀-실리콘 양자점 하이브리드 구조의 태양전지 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 도핑된 그래핀층을 형성하는 단계는 화학기상증착법에 의하여 탄소 함유 혼합 가스를 촉매층과 반응시켜 상기 촉매층 상에 그래핀 박막을 형성하는 단계; 상기 실리콘 양자점층 상에 상기 그래핀 박막을 전사시키고 어닐링 처리하여 그래핀층을 형성하는 단계; 및 상기 그래핀층 상에 AuCl3를 포함하는 용액을 스핀 코팅하고 어닐링 처리하여 상기 도핑된 그래핀층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀-실리콘 양자점 하이브리드 구조의 태양전지 제조방법
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제9항에 있어서,상기 하이브리드 구조의 상하부에 전극을 형성하는 단계 후, 상기 전극이 형성된 하이브리드 구조에 대하여 어닐링 처리를 수행하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀-실리콘 양자점 하이브리드 구조의 태양전지 제조방법
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제13항에 있어서, 상기 어닐링 처리는 450 ℃ 내지 550 ℃ 범위의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 그래핀-실리콘 양자점 하이브리드 구조의 태양전지 제조방법
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기판 상에 실리콘 산화물층 내에 다수의 실리콘 양자점을 포함하는 실리콘 양자점층을 형성하는 단계; 상기 실리콘 양자점층 상에 그래핀층을 형성하는 단계; 상기 그래핀층 상에 금속 나노와이어층을 형성하여 하이브리드 구조를 완성하는 단계; 및 상기 하이브리드 구조의 상하부에 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 금속 나노와이어층은 0
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