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기판 상에 형성된 게이트 전극, 상기 게이트 전극 상에 형성된 게이트 절연층, 반도체 활성층으로서 산화물 반도체층, 및 상기 산화물 반도체층 상에 형성된 소스 및 드레인 전극을 포함하는 산화물 박막 트랜지스터에 있어서,상기 산화물 반도체층은 300℃ 미만의 열 및 인가되는 1mT 내지 10mT의 세기의 자기장의 자기 선속(magnetic flux)의 변화로부터 활성화(activation) 되고,상기 활성화는 상기 자기 선속의 변화로부터 상기 산화물 반도체층 내에 발생한 맴돌이 전류(eddy current)로부터 생성되는 줄열(Joule heat)과, 상기 300℃ 미만의 열로부터 활성화 에너지를 공급받아, 상기 산화물 반도체층 내의 금속과 산소 간의 화학적 결합을 유도하는 것을 특징으로 하는, 산화물 박막 트랜지스터
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제1항에 있어서, 상기 산화물 반도체층은, 상기 게이트 절연층 상에 산화물이 증착된 상기 기판을 핫플레이트에 장착시켜 상기 산화물에 150℃ 이상 내지 300℃ 미만의 열을 가하면서 0 내지 1200 rpm 범위의 회전 자기장을 가하여 형성되는, 산화물 박막 트랜지스터
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제1항에 있어서, 상기 활성화는 상기 열과 자기장을 30분 내지 2시간 범위에서 가하여 수행되는 것을 특징으로 하는, 산화물 박막 트랜지스터
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제2항에 있어서,상기 산화물은 스퍼터링 공정, CVD(Chemical Vapor Deposition) 공정, ALD(atomic layer deposition) 공정 및 용액 공정 중 어느 하나의 공정에 의해 증착되는, 산화물 박막 트랜지스터
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제2항에 있어서,상기 산화물은, 비정질 인듐 갈륨 징크 옥사이드(amorphous indium-gallium-zinc oxide, a-IGZO), 징크 옥사이드(ZnO), 인듐 징크 옥사이드(IZO), 인듐 틴 옥사이드(ITO), 징크 틴 옥사이드(ZTO), 갈륨 징크 옥사이드(GZO), 하프늄 인듐 징크 옥사이드(HIZO), 징크 인듐 틴 옥사이드(ZITO) 및 알루미늄 징크 틴 옥사이드(AZTO) 중 어느 하나를 포함하는, 산화물 박막 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 기판은,PI(Polyimide), PC(Polycarbonate), PES(Polyethersulfone), PET(Polyethyleneterephthalate), PEN(Polyethylenenaphthalate), PAR(Polyarylate) 및 FPR(Glass Fiber Reinforced Plastic) 중 어느 하나의 플렉서블 기판인, 산화물 박막 트랜지스터
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산화물 박막 트랜지스터의 제조 방법에 있어서, 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계;상기 게이트 절연층 상에 산화물 반도체층을 형성하는 단계; 및상기 산화물 반도체층 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;를 포함하며,상기 산화물 반도체층을 형성하는 단계는, 상기 게이트 절연층 상에 산화물을 증착하고, 상기 산화물에 300℃ 미만의 열과 함께 1mT 내지 10mT의 세기의 자기장을 인가하고,상기 산화물 반도체층은 상기 300℃ 미만의 열 및 인가되는 1mT 내지 10mT의 세기의 자기장의 자기 선속(magnetic flux)의 변화로부터 활성화 되고,상기 활성화는 상기 자기 선속의 변화로부터 상기 산화물 반도체층 내에 발생한 맴돌이 전류(eddy current)로부터 생성되는 줄열(Joule heat)과, 상기 300℃ 미만의 열로부터 활성화 에너지를 공급받아, 상기 산화물 반도체층 내의 금속과 산소 간의 화학적 결합을 유도하는, 산화물 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제8항에 있어서, 상기 산화물 반도체층을 형성하는 단계는, 상기 게이트 절연층 상에 증착된 상기 산화물을 패터닝하는, 산화물 박막 트랜지스터의 제조 방법
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