| 1 |
1
기판 상에 형성된 게이트 전극; 상기 게이트 전극 상에 형성된 게이트 절연층; 및 상기 게이트 절연층 상에 형성된 산화물 박막을 포함하고, 상기 산화물 박막은 채널 영역, 상기 채널 영역 상에 서로 이격되어 형성된 소스 영역 및 드레인 영역을 포함하며, 상기 게이트 절연층으로부터 확산된 도펀트에 의한 농도 프로파일을 포함하고, 상기 채널 영역은 상기 농도 프로파일에 의해 채널층으로 동작하며,상기 산화물 박막은 채널 영역과 소스 영역 및 드레인 영역 사이에 중간 영역을 더 포함하고,상기 채널 영역에서의 상기 도펀트 농도는 상기 중간 영역에서의 상기 도펀트 농도보다 높고, 상기 중간 영역의 상기 도펀트 농도는 상기 소스 영역 및 드레인 영역의 상기 도펀트 농도보다 높은 것을 특징으로 하는 산화물 박막트랜지스터
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 상기 채널 영역은 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역과 구분되어 상기 채널층으로 동작하기 위한 상기 농도 프로파일을 포함하도록 선택적 식각에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 산화물 박막트랜지스터
|
| 3 |
3
제2항에 있어서, 상기 산화물 박막은 상기 선택적 식각에 의해 웰(well) 형상의 함몰 패턴을 갖는 것을 특징으로 하는 산화물 박막트랜지스터
|
| 4 |
4
제2항에 있어서, 상기 산화물 박막은 상기 선택적 식각에 의한 상기 농도 프로파일의 제어를 통해 상기 채널층의 두께가 조절되는 것을 특징으로 하는 산화물 박막트랜지스터
|
| 5 |
5
제1항에 있어서, 상기 농도 프로파일은 상기 기판에서부터 상부 방향으로의 농도 구배를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막트랜지스터
|
| 6 |
6
제1항에 있어서, 상기 게이트 절연층은 실리콘 산화물(SiO2)이고, 상기 도펀트는 실리콘(Si)인 것을 특징으로 하는 산화물 박막트랜지스터
|
| 7 |
7
제1항에 있어서, 상기 산화물 박막은 적어도 하나 이상의 산화물층으로 이루어진 멀티 스택을 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막트랜지스터
|
| 8 |
8
제1항에 있어서, 상기 산화물 박막은 InO, ZnO, SnO, InZnO, InGaO, ZnSnO, InSnZnO 및 InGaZnO으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 산화물 박막트랜지스터
|
| 9 |
9
제1항에 있어서, 상기 산화물 박막은 상기 기판 상에 형성된 후 어닐링 처리되는 것을 특징으로 하는 산화물 박막트랜지스터
|
| 10 |
10
기판 상에 형성된 게이트 전극; 상기 게이트 전극 상에 형성된 게이트 절연층; 상기 게이트 절연층 상에 형성된 산화물 박막; 및 상기 산화물 박막 상에 서로 이격되어 형성된 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하고, 상기 산화물 박막은 채널 영역, 상기 채널 영역 상에 형성된 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하고, 상기 게이트 절연층으로부터 확산된 도펀트에 의한 농도 프로파일을 포함하며, 상기 채널 영역은 상기 농도 프로파일에 의해 채널층으로 동작하고,상기 산화물 박막은 채널 영역과 소스 영역 및 드레인 영역 사이에 중간 영역을 더 포함하고, 상기 채널 영역에서의 상기 도펀트 농도는 상기 중간 영역에서의 상기 도펀트 농도보다 높고, 상기 중간 영역의 상기 도펀트 농도는 상기 소스 영역 및 드레인 영역의 상기 도펀트 농도보다 높은 것을 특징으로 하는 산화물 박막트랜지스터
|
| 11 |
11
제10항에 있어서, 상기 게이트 절연층은 실리콘 산화물(SiO2)이고, 상기 도펀트는 실리콘(Si)인 것을 특징으로 하는 산화물 박막트랜지스터
|
| 12 |
12
기판 상에 형성된 게이트 전극; 상기 게이트 전극 상에 형성된 게이트 절연층; 및 상기 게이트 절연층 상에 형성된 산화물 박막을 포함하고, 상기 산화물 박막은 채널 영역, 상기 채널 영역 상에 서로 이격되어 형성된 소스 영역 및 드레인 영역을 포함하며, 상기 게이트 절연층으로부터 확산된 도펀트에 의한 농도 프로파일을 포함하고, 상기 게이트 절연층은 실리콘 산화물(SiO2)이며, 상기 도펀트는 실리콘(Si)인 것을 특징으로 하는 산화물 박막트랜지스터
|
