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박막 증착 공정을 이용하여 기판 상에 귀금속과 탄소를 동시 증착하여 탄화 귀금속 박막을 형성하는 박막 증착 단계; 및산소 플라즈마 디얼로잉 공정을 통해 상기 탄화 귀금속 박막으로부터 탄소(C) 원소를 선택적으로 제거하는 다공성 박막 형성 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다공성 귀금속 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 박막 증착 단계는 스퍼터링(sputtering), 이온빔 보조 증착법(ion beam assisted deposition), 전자빔 증발법(e-beam evaporation), 열 증발법(thermal evaporation), 화학 기상 증착법(chemical vapor deposition) 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 다공성 귀금속 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 박막 증착 단계의 탄화 귀금속 박막에서 탄소와 동시 증착되는 귀금속의 종류로는 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 이리듐(Ir), 오스뮴(Os), 로듐(Rh), 루테늄(Ru)으로 이루어지는 군에서 선택된 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 다공성 귀금속 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 박막 증착 단계는 상기 탄화 귀금속 박막에 탄소를 공급하기 위하여 진공조 내부에 인입되는 원료가스는 탄소를 포함하는 탄화수소 가스 중에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 다공성 귀금속 박막의 제조방법
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제4항에 있어서, 상기 박막 증착 단계는 상기 탄화 귀금속 박막에 탄소를 공급하기 위한 원료가스로 사용되는 탄소수소 가스는 메탄(CH4), 아세틸렌(C2H2), 에틸렌(C2H4), 에탄(C2H6), 프로펜(C3H6), 프로판(C3H8)를 포함하는 군에서 어느 하나 이상을 사용하는 것을 특징으로 하는 다공성 귀금속 박막의 제조방법
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제4항에 있어서, 상기 박막 증착 단계에서 진공조 내부에는 불활성 가스와 탄화수소 가스가 혼합하여 인입되며, 상기 불활성 가스와 탄화수소 가스 비를 조절하여 상기 탄화 귀금속 박막의 귀금속과 탄소의 조성비를 조절하는 것을 특징으로 하는 다공성 귀금속 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 다공성 박막 형성 단계에서 산소 플라즈마 디얼로잉 공정은, ICP(Inductively coupled plasma), CCP(Capacitively coupled plasma), ECR(Electron cyclotron resonance) 방식 중 선택된 어느 하나가 사용되는 것을 특징으로 하는 다공성 귀금속 박막 구조 제작방법
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제1항에 있어서, 상기 박막 증착 단계와 상기 다공성 박막 형성 단계는 동일 진공조에서 연속 공정으로 수행되는 것을 특징으로 하는 다공성 귀금속 박막의 제조방법
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진공조 내에 기판을 장착하고, 증착원으로 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 이리듐(Ir), 오스뮴(Os), 로듐(Rh), 루테늄(Ru)으로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 어느 하나를 타겟으로 이용하고, 진공조 내부에 탄화수소 가스 및 불활성 가스를 혼합 인입하여 마그네트론 스터터링 공정을 이용하여 탄화 귀금속 박막을 증착하는 박막 증착 공정과, 상기 탄화 귀금속 박막의 증착 후 진공조를 배기하고 불활성 가스와 산소 가스를 혼합 주입한 후 산소 플라즈마 디얼로잉 공정을 통해 탄화 귀금속 박막 중의 탄소를 선택적으로 제거하는 다공성 박막 형성 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 다공성 귀금속 박막의 제조방법
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제9항에 있어서,박막 증착 공정에서 증착원에 인가되는 직류 전력의 크기를 조절하여 다공성 귀금속 박막의 기공도를 조절 가능한 것을 특징으로 하는 다공성 귀금속 박막의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 박막 증착 공정에서 진공조 내부에 혼합 인입되는 탄화수소 가스 대 불활성 가스를 혼합비를 조절하여 다공성 귀금속 박막의 기공도를 조절 가능한 것을 특징으로 하는 다공성 귀금속 박막의 제조방법
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제1항 내지 제11항 중 어느 하나의 방법으로 제조된 다공성 귀금속 박막
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