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기판 상에 소스 전극, 드레인 전극, 게이트 전극 및 전극 패드를 형성하는 단계; 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 중 하나와 상기 전극 패드를 노출시키는 제1 개구부들을 구비하는 제1 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 제1 개구부에 의해 노출된 전극, 상기 전극 패드, 및 상기 제1 포토레지스트 패턴 상에 시드 금속층을 형성하는 단계; 상기 제1 개구부에 의해 노출된 전극 및 상기 전극 패드 사이의 상기 시드 금속층을 노출시키는 제2 개구부를 구비하는 제2 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 노출된 상기 시드 금속층 상에 도금법을 이용하여 배선을 형성하는 단계; 및 용매를 이용하여 상기 제1 포토레지스트 패턴 및 상기 제2 포토레지스트 패턴을 제거하며, 상기 제1 및 제2 포토레지스트 패턴 사이의 시드 금속층을 제거하는 단계를 포함하며, 상기 제1 개구부는 상부로 갈수록 폭이 증가하는 형상을 가지는 질화물계 트랜지스터의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 시드 금속층은 전자빔 증착법을 통해 형성되는 복수의 금속층들을 포함하며, 상기 금속층들 중 최상부 금속층은 금(Au)를 포함하는 질화물계 트랜지스터의 제조 방법
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제2 항에 있어서, 상기 시드 금속층은 티타늄을 포함하는 제1 금속층; 상기 제1 금속층 상에 배치되고, 니켈을 포함하는 제2 금속층; 및 상기 제2 금속층 상에 배치되는 제3 금속층을 포함하는 질화물계 트랜지스터의 제조 방법
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제2 항에 있어서, 상기 시드 금속층의 두께는 200Å 이하인 질화물계 트랜지스터의 제조 방법
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제4 항에 있어서, 상기 최상부 금속층의 두께는 20Å 이하인 질화물계 트랜지스터의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 용매는 아세톤인 질화물계 트랜지스터의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계; 및 상기 버퍼층 상에 채널층 및 장벽층을 동시에 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극, 상기 게이트 전극 및 상기 전극 패드는 상기 장벽층 상에 배치되는 질화물계 트랜지스터의 제조 방법
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제7 항에 있어서, 상기 버퍼층 및 및 상기 장벽층은 에피택셜 성장법으로 형성되는 질화물계 트랜지스터의 제조 방법
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제7 항에 있어서, 상기 기판 및 상기 버퍼층 사이에 전이층을 형성하는 단계를 더 포함하는 질화물계 트랜지스터의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 제1 개구부에 의해 노출된 전극은 소스 전극이며, 상기 전극 패드는 소스 패드인 질화물계 트랜지스터의 제조 방법
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