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전하 이동도가 향상된 유기 반도체 결정 박막의 제조방법(METHOD OF FABRICATING ORGANIC SEMICONDUCTOR THIN FILM HAVING ENHANCED CHARGE CARRIER MOBILITY)

  • 기술번호 : KST2017013901
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 반도체 결정 박막의 제조방법은 반도체 특성을 가지는 공액 유기물과 고분자 유기산을 용매에 첨가하여 상기 공액 유기물과 상기 고분자 유기산이 결합된 결정씨드를 형성시키는 과정, 상기 결정씨드가 형성된 용액을 기판 상에 도포하여 유기 반도체 박막을 형성하는 과정, 상기 박막의 용매를 제거하는 과정, 상기 용매가 제거된 박막이 액상이 되도록 가열하는 과정 및 상기 액상의 박막을 냉각하여 액상-고상 상변이를 통하여 결정을 성장시키는 과정을 포함한다.
Int. CL H01L 51/05 (2016.03.19) H01L 51/00 (2016.03.19) H01L 51/42 (2016.03.19) H01L 31/0256 (2016.03.19)
CPC H01L 51/0508(2013.01) H01L 51/0508(2013.01) H01L 51/0508(2013.01) H01L 51/0508(2013.01) H01L 51/0508(2013.01) H01L 51/0508(2013.01) H01L 51/0508(2013.01) H01L 51/0508(2013.01)
출원번호/일자 1020160013295 (2016.02.03)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0092226 (2017.08.11) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.02.03)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이광희 대한민국 광주광역시 북구
2 권순철 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 송정부 대한민국 서울특별시 마포구 양화로 **, ***호 (서교동, 삼인빌딩)(송특허법률사무소)
2 신용현 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, *층(삼성동, 삼영빌딩)(이버드특허법인)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.02.03 수리 (Accepted) 1-1-2016-0115510-93
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2016.09.20 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2016.11.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2016-0154079-88
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.11.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0833202-23
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.01.17 수리 (Accepted) 1-1-2017-0055977-38
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.01.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0055936-77
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.05.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0370492-09
8 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
2017.06.28 수리 (Accepted) 1-1-2017-0622017-88
9 법정기간연장승인서
2017.06.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0088716-95
10 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2017.07.28 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-0728475-27
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.07.28 수리 (Accepted) 1-1-2017-0728474-82
12 등록결정서
Decision to Grant Registration
2017.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0600947-55
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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반도체 특성을 가지는 공액 유기물과 고분자 유기산을 용매에 첨가하여 상기 공액 유기물과 상기 고분자 유기산이 결합된 결정씨드를 형성시키는 과정;상기 결정씨드가 형성된 용액을 기판 상에 도포하여 유기 반도체 박막을 형성하는 과정;상기 박막에 상기 공액 유기물과 상기 고분자 유기산이 결합된 석출물이 남도록 존재하는 용매를 제거하는 과정;상기 용매가 제거된 박막을 액상의 유체구조(isotropic structure)를 형성하도록 가열하는 과정; 및상기 액상의 박막을 냉각하여 액상-고상 상변이를 통하여 결정을 성장시키는 과정;을 포함하며,상기 공액 유기물은 C8-BTBT(2,7-Dioctyl[1]benzothieno[3,2-b][1]benzothiophene)이며, 상기 고분자 유기산은 PSS인 것을 특징으로 하는 유기 반도체 결정 박막의 제조방법
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삭제
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삭제
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청구항 1에 있어서,상기 박막 형성과정은 스핀 코팅에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 반도체 결정 박막의 제조방법
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청구항 1에 있어서, 상기 결정 성장과정은 공기 중에서 서냉하는 것을 특징으로 하는 유기 반도체 결정 박막의 제조방법
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청구항 1에 의해 제조되는 유기 반도체 결정 박막
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청구항 1에 의해 제조되는 유기 반도체 결정 박막을 포함하는 유기 전자 소자
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청구항 7에 있어서,상기 유기 전자 소자는 양극, 음극 및 상기 양극과 음극 사이에 위치하되, 전자주게층 및 전자받게층을 포함하는 광활성층을 포함하는 유기 태양전지이며,상기 전자주게층은 청구항 5의 유기 반도체 결정 박막인 것을 특징으로 하는 유기 전자 소자
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청구항 7에 있어서,상기 유기 전자 소자는 소스 전극, 드레인 전극, 게이트 전극 및 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 사이에 위치하는 활성 채널을 포함하는 유기 전계 효과 트랜지스터이며,상기 활성 채널은 청구항 5의 유기 반도체 결정 박막 인 것을 특징으로 하는 유기 전자 소자
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.