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자기조립단분자막을 이용한 패턴 형성 방법
- 기술번호 : KST2014043372
- 담당센터 : 광주기술혁신센터
- 전화번호 : 062-360-4654
| 요약 | 간단한 방법을 이용하여 선명한 패턴의 형성이 가능한 자기조립단분자막을 이용한 패턴 형성방법이 개시되어 있다. 상기 패턴 형성방법은 기판 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, 상기 포토레지스트 패턴들 사이에 노출된 기판 상에 자기조립단분자막을 형성하는 단계, 상기 기판 상의 상기 포토레지스트 패턴을 제거하여 자기조립단분자 패턴을 형성하는 단계 및 상기 자기조립단분자 패턴이 구비된 기판 상에 전극 잉크를 도포하여 전극패턴을 형성하는 단계를 포함한다. 전도성 고분자, 자기조립단분자막, 패턴, 유기전자소자 |
|---|---|
| Int. CL | H01L 51/00 (2006.01) |
| CPC | H01L 51/0022(2013.01)H01L 51/0022(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020080124280 (2008.12.08) |
| 출원인 | 광주과학기술원 |
| 등록번호/일자 | 10-1144915-0000 (2012.05.03) |
| 공개번호/일자 | 10-2010-0065769 (2010.06.17) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20120516) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2008.12.08) |
| 심사청구항수 | 14 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 광주과학기술원 | 대한민국 | 광주광역시 북구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 정건영 | 대한민국 | 광주광역시 북구 |
| 2 | 이광호 | 대한민국 | 광주광역시 북구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 특허법인이상 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 광주과학기술원 | 광주광역시 북구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2008.12.08 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0845156-23 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2010.02.08 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2010.03.19 | 수리 (Accepted) | 9-1-2010-0018369-88 |
| 4 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2010.09.16 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0411710-12 |
| 5 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2010.11.16 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0747417-27 |
| 6 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2010.11.16 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2010-0747400-52 |
| 7 | 최후의견제출통지서 Notification of reason for final refusal |
2011.02.21 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0096827-22 |
| 8 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2011.04.20 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 1-1-2011-0291706-34 |
| 9 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2011.04.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0291700-61 |
| 10 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2011.09.14 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0518908-10 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2011.09.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5187089-85 |
| 12 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2011.11.14 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0895581-13 |
| 13 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2011.11.14 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-0895593-61 |
| 14 | 등록결정서 Decision to grant |
2012.04.25 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0239174-16 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 삭제 |
| 2 |
2 기판 표면을 친수성으로 처리하는 단계;상기 기판 상에 포토레지스트 패턴들을 형성하는 단계;상기 포토레지스트 패턴들을 제외한 기판의 친수성 표면 상에 소수성 자기조립단분자막을 형성하는 단계;상기 포토레지스트 패턴들을 제거하여 소수성 자기조립단분자 패턴들을 형성하고, 상기 포토레지스트 패턴들 하부의 친수성 표면을 노출시키는 단계; 및상기 소수성 자기조립단분자 패턴들이 구비된 기판 상에 친수성 전극 잉크를 도포하여, 상기 소수성 자기조립단분자 패턴들 사이의 친수성 표면 상에만 접하는 나노 전극패턴을 형성하는 단계를 포함하는 패턴 형성방법 |
| 3 |
3 제 2 항에 있어서, 상기 친수성 처리는 산성 처리 또는 염기성 처리인 패턴 형성방법 |
| 4 |
4 제 2 항에 있어서,상기 기판은 산화계 기판 또는 금속 기판인 패턴 형성방법 |
| 5 |
5 제 4 항에 있어서, 상기 산화계 기판은 SiO2 기판, Al2O3 기판 또는 ITO 기판인 패턴 형성방법 |
| 6 |
6 제 4 항에 있어서,상기 금속 기판은 Ag 기판, Au 기판, Cu 기판, Pd 기판 또는 Ti 기판인 패턴 형성방법 |
| 7 |
7 제 2 항에 있어서, 상기 자기조립단분자막은 반응기로서 실란기 또는 티올기를 구비하는 패턴 형성방법 |
| 8 |
8 제 7 항에 있어서, 상기 실란기는 클로로 실란기 또는 알콕시 실란기인 패턴 형성방법 |
| 9 |
9 제 2 항에 있어서, 상기 자기조립단분자막은 작용기로서 CH3기 또는 CF3기를 구비하는 패턴 형성방법 |
| 10 |
10 제 2 항에 있어서, 상기 자기조립단분자는 OTS 또는 HDT인 패턴 형성방법 |
| 11 |
11 제 2 항에 있어서, 상기 자기조립단분자막은 디핑법 또는 증기법을 이용하여 형성하는 패턴 형성방법 |
| 12 |
12 제 2 항에 있어서, 상기 전극 잉크는 무기물 또는 전도성 고분자를 함유하는 패턴 형성방법 |
| 13 |
13 제 12 항에 있어서, 상기 무기물은 Ag, Mg, Au, Al |
| 14 |
14 제 12 항에 있어서, 상기 전도성 고분자는 PEDOT-PSS, POMeOPT 또는 폴리아릴린인 패턴 형성방법 |
| 15 |
15 제 2 항에 있어서,상기 전극 패턴은 드랍법, 스핀코팅 또는 도말법을 이용하여 형성하는 패턴 형성방법 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-1144915-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20081208 출원 번호 : 1020080124280 공고 연월일 : 20120516 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20120425 청구범위의 항수 : 14 유별 : H01L 51/00 발명의 명칭 : 자기조립단분자막을 이용한 패턴 형성방법 존속기간(예정)만료일 : 20180504 |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 광주과학기술원 광주광역시 북구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 295,500 원 | 2012년 05월 03일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 243,600 원 | 2015년 03월 30일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 258,210 원 | 2016년 06월 10일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 243,600 원 | 2017년 03월 31일 | 납입 |
- 본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
- 해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2008.12.08 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0845156-23 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 | 2010.02.08 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 | 2010.03.19 | 수리 (Accepted) | 9-1-2010-0018369-88 |
| 4 | 의견제출통지서 | 2010.09.16 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0411710-12 |
| 5 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2010.11.16 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0747417-27 |
| 6 | [명세서등 보정]보정서 | 2010.11.16 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2010-0747400-52 |
| 7 | 최후의견제출통지서 | 2011.02.21 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0096827-22 |
| 8 | [명세서등 보정]보정서 | 2011.04.20 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 1-1-2011-0291706-34 |
| 9 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2011.04.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0291700-61 |
| 10 | 의견제출통지서 | 2011.09.14 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0518908-10 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2011.09.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5187089-85 |
| 12 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2011.11.14 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0895581-13 |
| 13 | [명세서등 보정]보정서 | 2011.11.14 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-0895593-61 |
| 14 | 등록결정서 | 2012.04.25 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0239174-16 |
| 기술번호 | KST2014043372 |
|---|---|
| 자료제공기관 | NTB |
| 기술공급기관 | 광주과학기술원 |
| 기술명 | 자기조립단분자막을 이용한 패턴 형성 방법 |
| 기술개요 |
간단한 방법을 이용하여 선명한 패턴의 형성이 가능한 자기조립단분자막을 이용한 패턴 형성방법이 개시되어 있다. 상기 패턴 형성방법은 기판 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, 상기 포토레지스트 패턴들 사이에 노출된 기판 상에 자기조립단분자막을 형성하는 단계, 상기 기판 상의 상기 포토레지스트 패턴을 제거하여 자기조립단분자 패턴을 형성하는 단계 및 상기 자기조립단분자 패턴이 구비된 기판 상에 전극 잉크를 도포하여 전극패턴을 형성하는 단계를 포함한다. 전도성 고분자, 자기조립단분자막, 패턴, 유기전자소자 |
| 개발상태 | 특허만신청(등록) |
| 기술의 우수성 | |
| 응용분야 | 소재 |
| 시장규모 및 동향 | |
| 희망거래유형 | 기술매매, |
| 사업화적용실적 | |
| 도입시고려사항 |
| 과제고유번호 | 1345084797 |
|---|---|
| 세부과제번호 | gist-08 |
| 연구과제명 | 과학기술응용연구단운영 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 교육과학기술부 |
| 연구주관기관명 | 광주과학기술원 |
| 성과제출연도 | 2008 |
| 연구기간 | 200501~201412 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | 기타 |
| 과제고유번호 | 1345194589 |
|---|---|
| 세부과제번호 | gist-03-05 |
| 연구과제명 | 분자레벨집적화시스템연구 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | |
| 연구주관기관명 | |
| 성과제출연도 | 2012 |
| 연구기간 | 200501~201212 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
특허성과
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