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제1 반도체층;상기 제1 반도체층 상에 제공된 중간층;상기 중간층 상에 제공된 제2 반도체층;상기 제2 반도체층 상에 제공된 애노드; 및상기 제1 반도체층 상에 제공된 캐소드를 포함하며,단면 상에서 볼 때, 상기 제2 반도체층의 폭은 상기 중간층의 폭보다 큰 쇼트키 다이오드
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제1 항에 있어서,상기 캐소드는 상기 중간층을 사이에 두고 제1 거리로 서로 이격되며, 상기 제2 반도체층의 폭은 상기 제1 거리와 동일한 쇼트키 다이오드
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제1 항에 있어서,상기 제1 반도체층과 상기 중간층은 각각 불순물로 도핑된 반도체 물질을 포함하는 쇼트키 다이오드
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제3 항에 있어서,상기 제1 반도체층의 불순물 농도는 상기 중간층으로 가까워질수록 커지는 쇼트키 다이오드
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제4 항에 있어서,상기 제2 반도체층의 불순물 농도는 상기 제1 반도체층의 불순물 농도 및 상기 중간층의 불순물 농도보다 낮은 쇼트키 다이오드
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제1 항에 있어서,제2 반도체층은 InGaAs 또는 GaAs 중 적어도 하나를 포함하는 쇼트키 다이오드
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7
제6 항에 있어서,상기 중간층은 InP, InGaAsP, InAlAs, 또는 AlGaAs 중 적어도 하나를 포함하는 쇼트키 다이오드
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제1 항에 있어서,상기 중간층과 상기 제2 반도체층은 서로 다른 식각률을 갖는 재료를 포함하는 쇼트키 다이오드
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제1 항의 쇼트키 다이오드를 포함하는 전자기파 감지기
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10
제9 항에 있어서, 상기 쇼트키 다이오드에 연결된 안테나를 더 포함하는 전자기파 감지기
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기판 상에 제1 반도체층, 중간층, 제2 반도체층을 순차적으로 형성하는 단계;상기 중간층과 제2 반도체층을 식각하여 상기 중간층에 언더컷을 형성하는 단계; 및상기 제1 반도체층 및 제2 반도체층 상에 각각 캐소드와 애노드를 형성하는 단계를 포함하는 쇼트키 다이오드 제조 방법
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제11 항에 있어서,상기 중간층과 상기 제2 반도체층은 서로 다른 식각률을 갖는 재료를 포함하는 쇼트키 다이오드 제조 방법
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제12 항에 있어서,상기 중간층과 상기 제2 반도체층은 건식 식각, 습식 식각, 또는 상기 건식 식각과 상기 습식 시각의 조합에 의해 선택적으로 식각되는 쇼트키 다이오드 제조 방법
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제11 항에 있어서,상기 캐소드와 상기 애노드는 단일 공정으로 형성되는 쇼트키 다이오드 제조 방법
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제14 항에 있어서,상기 캐소드와 상기 애노드는 상기 제1 반도체층과 상기 제2 반도체층 상에 금속을 증착하여 형성되며, 상기 언더컷에 의해 서로 이격되는 쇼트키 다이오드 제조 방법
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제11 항에 있어서,단면 상에서 볼 때 상기 제2 반도체층의 폭은 상기 중간층의 폭보다 작은 쇼트키 다이오드 제조 방법
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제11 항에 있어서,상기 중간층은 불순물이 포함된 반도체 물질로 형성되는 쇼트키 다이오드 제조 방법
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제17 항에 있어서,상기 불순물은 n형 불순물인 쇼트키 다이오드 제조 방법
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제11 항에 있어서,제2 반도체층은 InGaAs 또는 GaAs 중 적어도 하나를 포함하는 쇼트키 다이오드 제조 방법
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제19 항에 있어서,상기 중간층은 InP, InGaAsP, InAlAs, 또는 AlGaAs 중 적어도 하나를 포함하는 쇼트키 다이오드 제조 방법
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