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태양전지 PID 특성 시험용 시트 및 그의 제조방법(SHEET FOR TEST OF POTENTIAL INDUCED DEGRADATION OF SOLAR CELL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF)

  • 기술번호 : KST2017015561
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 PID 시험 과정을 간략화할 수 있고 비용 측면에서의 효율성을 향상시킬 수 있으며, PID 특성 시험을 위해 소요되는 시간을 크게 단축하면서도 PID 특성을 신뢰성 있게 시험할 수 있는 태양전지 PID 특성 시험용 시트 및 그의 제조방법이 제안된다. 본 발명에 따른 태양전지 PID 특성 시험용 시트는 고분자 수지층 및 고분자 수지층의 적어도 일면 또는 고분자 수지층 내에 포함되는 태양전지 PID 특성 유발입자를 포함한다.
Int. CL H02S 50/10 (2016.04.28) H01L 31/18 (2016.04.28) G01R 31/40 (2016.04.28)
CPC H02S 50/10(2013.01) H02S 50/10(2013.01) H02S 50/10(2013.01) H02S 50/10(2013.01) H02S 50/10(2013.01) H02S 50/10(2013.01)
출원번호/일자 1020160036027 (2016.03.25)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0111147 (2017.10.12) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.05.31)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 천성일 대한민국 인천광역시 남구
2 오원욱 대한민국 서울특별시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남충우 대한민국 서울 강남구 언주로 ***, *층(역삼동, 광진빌딩)(알렉스국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.03.25 수리 (Accepted) 1-1-2016-0288911-00
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2016.05.31 수리 (Accepted) 1-1-2016-0523061-08
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.07.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0528736-50
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.09.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0951496-51
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.09.28 수리 (Accepted) 1-1-2017-0951467-37
6 등록결정서
Decision to grant
2018.02.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0102400-91
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
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번호 청구항
1 1
태양전지 PID 특성 시험용 시트로서, 고분자 수지층; 및 상기 고분자 수지층의 적어도 일면 또는 상기 고분자 수지층 내에 포함되는 태양전지 PID 특성 유발입자;를 포함하고, 상기 태양전지 PID 특성 유발입자는 상기 고분자 수지층의 일면에 태양전지 PID 특성 유발입자층 형태로 형성되어, 상기 태양전지 PID 특성 유발입자는 상기 고분자 수지층을 거쳐 상기 태양전지에 도달하는 것을 특징으로 하는 태양전지 PID 특성 시험용 시트
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청구항 1에 있어서, 상기 고분자 수지층은 에틸렌비닐아세테이트(Ethylene-Vinyl Acetate, EVA)를 포함하는 것인 태양전지 PID 특성 시험용 시트
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청구항 1에 있어서, 상기 태양전지 PID 특성 유발입자는 유리로부터 발생하는 양이온인 것인 태양전지 PID 특성 시험용 시트
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청구항 1에 있어서, 상기 태양전지 PID 특성 유발입자는 나트륨 양이온(Na+) 및 칼륨 양이온(K+) 중 적어도 하나인 것인 태양전지 PID 특성 시험용 시트
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삭제
6 6
삭제
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청구항 1에 있어서, 상기 태양전지 PID 특성 유발입자층은 서로 다른 태양전지 PID 특성 유발입자를 포함하는 2 이상의 층으로 구성되는 것인 태양전지 PID 특성 시험용 시트
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고분자 수지층을 준비하는 단계; 및 상기 고분자 수지층에 태양전지 PID 특성 유발입자를 추가하는 태양전지 PID 특성 유발입자 추가단계;를 포함하고, 상기 태양전지 PID 특성 유발입자는 상기 고분자 수지층의 일면에 태양전지 PID 특성 유발입자층 형태로 형성되도록 추가되어, 상기 태양전지 PID 특성 유발입자는 상기 고분자 수지층을 거쳐 상기 태양전지에 도달하는 것을 특징으로 하는 태양전지 PID 특성 시험용 시트 제조방법
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청구항 8에 있어서, 상기 태양전지 PID 특성 유발입자 추가단계는 상기 고분자 수지층에 상기 태양전지 PID 특성 유발입자를 증착시켜 태양전지 PID 특성 유발입자층을 형성하여 수행되는 것인 태양전지 PID 특성 시험용 시트 제조방법
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청구항 8에 있어서, 상기 태양전지 PID 특성 유발입자 추가단계는 상기 고분자 수지층에 상기 태양전지 PID 특성 유발입자를 도핑하여 수행되는 것인 태양전지 PID 특성 시험용 시트 제조방법
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고분자 수지층, 및 상기 고분자 수지층의 적어도 일면 또는 상기 고분자 수지층 내에 포함되는 태양전지 PID 특성 유발입자를 포함하는 태양전지 PID 특성 시험용 시트를 시험대상 태양전지에 부착하는 단계; 및 상기 시험대상 태양전지에 전압을 인가하여 상기 시험대상 태양전지의 PID 특성을 추출하는 PID 특성 추출단계;를 포함하는 태양전지 PID 특성 시험 방법으로서, 상기 태양전지 PID 특성 유발입자는 상기 고분자 수지층의 일면에 태양전지 PID 특성 유발입자층 형태로 형성되고, 상기 태양전지 PID 특성 시험용 시트는 상기 태양전지 PID 특성 유발입자가 상기 고분자 수지층을 거쳐 상기 태양전지에 도달하도록 부착되는 것을 특징으로 하는 태양전지 PID 특성 시험용 시트
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1 CN106486389 CN 중국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 (주)케이디티 신재생에너지핵심기술개발 태양광발전 운영효율 향상을 위한 통합관리시스템 개발