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나노구조체를 구비하는 초발광 다이오드 및 그 제조방법(Method of fabricating superluminescent light emitting diode by including nanostructure)

  • 기술번호 : KST2017015992
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 다공성 접합층을 구비하여 전류제한층을 형성하는 초발광 다이오드 및 그 제조방법이 제공된다. 반도체층으로 이루어진 초발광 다이오드의 내 측면에 일부를 전기화학적 식각을 수행하여 반도체층 내 측면에 다공성 접합층을 구비한다. 나노구조체인 다공성 접합층은 전류제한 동작을 수행하므로 전류주입을 효과적으로 제어하고 더 좁은 영역의 활성층에 전류를 공급하여 광출력 효율을 향상시킬 수 있다.
Int. CL H01L 33/00 (2016.05.10) H01L 33/02 (2016.05.10) H01L 33/14 (2016.05.10) H01L 29/06 (2016.05.10)
CPC H01L 33/0045(2013.01) H01L 33/0045(2013.01) H01L 33/0045(2013.01) H01L 33/0045(2013.01) H01L 33/0045(2013.01) H01L 33/0045(2013.01) H01L 33/0045(2013.01)
출원번호/일자 1020160043606 (2016.04.08)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0115857 (2017.10.18) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.04.08)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박성주 대한민국 광주광역시 북구
2 우영민 대한민국 광주광역시 북구
3 이광재 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.04.08 수리 (Accepted) 1-1-2016-0342383-48
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2016.12.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.02.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0127193-18
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.02.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0027511-01
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.04.03 수리 (Accepted) 1-1-2017-0323575-52
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.04.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0323576-08
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.08.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0609778-90
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.09.21 수리 (Accepted) 1-1-2017-0921146-49
9 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2017.09.21 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-0921147-95
10 등록결정서
Decision to Grant Registration
2017.10.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0707418-45
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번호 청구항
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기판 상에 제1 반도체층을 형성하는 단계;상기 제1 반도체층 상에 활성층을 형성하는 단계;상기 활성층 상에 제2 반도체층을 형성하는 단계; 및상기 제1 반도체층, 상기 활성층 및 상기 제2 반도체층이 형성된 후 상기 제1 반도체층에 대한 전기화학적 식각을 통해 제 1반도체층의 외곽에 다공성 접합층을 형성하고, 전기화학적 식각이 진행되지 않은 도전형 접합층을 잔류시키는 단계를 포함하는 초발광 다이오드의 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 제2 반도체층을 형성하는 단계 이후에, 상기 제2 반도체층 상에 하드 마스크를 형성하는 단계; 및상기 하드 마스크를 이용하여 상기 제2 반도체층, 상기 활성층 및 상기 제1 반도체층을 식각하여 상기 제1 반도체층의 측면을 노출하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 초발광 다이오드의 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 전기화학적 식각 공정에서 상기 다공성 접합층의 형성을 위한 에칭(etching)에 사용되는 에천트(etchant)는 KOH, NaOH, HCl, C2H2O4, H2SO4, HNO3, 및 HF 중에 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 초발광 다이오드의 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 다공성 접합층에 구성된 다수의 홀들로 인해 상기 다공성 접합층을 통한 전자의 공급은 차단되는 것을 특징으로 하는 초발광 다이오드의 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 활성층을 형성하는 단계 이후에, 상기 활성층 상에 EBL층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 초발광 다이오드의 제조방법
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