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금속 나노시트 기반의 시냅스 트랜지스터 및 이의 제조방법(Synaptic organic transistors using metal nano sheet and method for manufacturing the Same)

  • 기술번호 : KST2018003181
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 금속 나노시트 기반의 시냅스 트랜지스터 및 이의 제조방법이 제공된다. 자기 조립된 플로팅 게이트층을 형성한다. 형성된 플로팅 게이트층은 채널층에서 전달된 전하가 빠져나가는 것을 막아주게 되고 전달된 전하를 일시적으로 저장하는 플로팅 전극의 역할을 동시에 수행한다. 이로써, 기억저장에 효과적인 시냅스 트랜지스터로 사용될 수 있다.
Int. CL H01L 29/78 (2006.01.01) G06N 3/063 (2006.01.01) H01L 29/06 (2006.01.01) H01L 29/66 (2006.01.01) H01L 29/417 (2006.01.01) H01L 21/203 (2006.01.01)
CPC H01L 29/7841(2013.01) H01L 29/7841(2013.01) H01L 29/7841(2013.01) H01L 29/7841(2013.01) H01L 29/7841(2013.01) H01L 29/7841(2013.01)
출원번호/일자 1020160117759 (2016.09.13)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0029559 (2018.03.21) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤명한 대한민국 광주광역시 북구
2 김창현 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.09.13 수리 (Accepted) 1-1-2016-0892361-44
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번호 청구항
1 1
자기 조립된 플로팅 게이트층을 포함하는 금속 나노시트 기반의 시냅스 트랜지스터로서, 게이트 전극층:상기 게이트 전극층 상에 위치하는 버퍼층;상기 버퍼층 상에 위치하는 절연층;상기 절연층 상에 위치하는 자기 조립된 플로팅 게이트층;상기 자기 조립된 플로팅 게이트층 상에 위치하는 채널층;상기 채널층 양측면에 위치하는 소스 전극층 및 상기 소스 전극층과 이격된 양측면에 위치하는 드레인 전극층을 포함하는 금속 나노시트 기반의 시냅스 트랜지스터
2 2
제1항에 있어서, 상기 자기 조립된 플로팅 게이트층은 자연산화성 물질 Ag, Cu 또는 Al을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 나노시트 기반의 시냅스 트랜지스터
3 3
제1항에 있어서, 상기 자기 조립된 플로팅 게이트층은 외부표면에 금속 산화층과 내부표면에 금속층을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 나노시트 기반의 시냅스 트랜지스터
4 4
제1항에 있어서, 상기 자기 조립된 플로팅 게이트층은 내부에 존재하는 금속층은 채널층에서 전달된 전하를 저장하는 플로팅 전극 역할을 수행하는 것을 특징으로 하는 금속 나노시트 기반의 시냅스 트랜지스터
5 5
제1항에 있어서, 상기 자기 조립된 플로팅 게이트층은 외부에 존재하는 금속산화층은 터널링 또는 블로킹 절연층의 역할을 동시에 수행하는 것을 특징으로 하는 금속 나노시트 기반의 시냅스 트랜지스터
6 6
게이트 전극층을 준비하는 단계; 상기 게이트 전극층 상에 버퍼층을 형성하는 단계;상기 버퍼층 상에 절연층을 형성하는 단계;상기 절연층 상에 자기 조립된 플로팅 게이트층을 형성하는 단계;상기 자기 조립된 플로팅 게이트층 상에 채널층을 형성하는 단계; 상기 채널층 양측면에 소스 전극층을 형성하는 단계; 및 상기 소스 전극층과 이격된 양측면에 드레인 전극층을 형성하는 단계를 포함하는 금속 나노시트 기반의 시냅스 트랜지스터의 제조방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 자기 조립된 플로팅 게이트층을 형성하는 단계에서상기 자기 조립된 플로팅 게이트층은 자연산화성 물질 Ag, Cu 또는 Al을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 나노시트 기반의 시냅스 트랜지스터의 제조방법
8 8
제6항에 있어서, 상기 자기 조립된 플로팅 게이트층을 형성하는 단계에서상기 자기 조립된 플로팅 게이트층은 외부표면에 금속 산화층과 내부표면에 금속층을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 나노시트 기반의 시냅스 트랜지스터의 제조방법
9 9
제6항에 있어서, 상기 자기 조립된 플로팅 게이트층을 형성하는 단계에서상기 자기 조립된 플로팅 게이트층은 물리기상증착법을 이용하여 3nm 내지 10nm의 Al층을 형성하는 것을 특징으로 하는 금속 나노시트 기반의 시냅스 트랜지스터의 제조방법
10 10
제6항에 있어서, 상기 소스 전극층과 이격된 양측면에 드레인 전극층을 형성하는 단계에서 상기 소스 전극층 및 드레인 전극층은 금속박막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 금속 나노시트 기반의 시냅스 트랜지스터의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육부 광주과학기술원 리서치펠로우지원사업 생체 전자 응용을 위한 유기 및 산화물 소자의 시뮬레이션 모델 개발