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3차원 반도체 장치의 테스트 회로 및 그의 테스트 방법(TEST CIRCUIT FOR 3D SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR TESTING THEREOF)

  • 기술번호 : KST2017016427
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 3차원 반도체 장치의 테스트 회로 및 그의 테스트 방법이 개시된다. 본 발명에 따른 3차원 반도체 장치의 테스트 회로는 제1 반도체 칩 내에 배치되어 테스트 패턴에 대응하는 제1 테스트 결과 신호를 압축하는 제1 MISR(Multiple Input Signature Register), 제1 반도체 칩의 상측 및 하측 중 어느 일 측에 적층된 제2 반도체 칩 내에 배치되어 테스트 패턴에 대응하는 제2 테스트 결과 신호를 압축하는 제2 MISR(Multiple Input Signature Register) 및 제1 MISR에서 출력되는 제1 출력 신호와 제2 MISR에서 출력되는 제2 출력 신호를 비교하여 소프트 오류를 검출하는 제1 오류 검출부를 포함한다.
Int. CL G01R 31/3181 (2017.10.14) G01R 31/3187 (2017.10.14) G01R 31/3185 (2017.10.14) G01R 31/3183 (2017.10.14) G01R 31/319 (2017.10.14) H01L 21/822 (2017.10.14)
CPC
출원번호/일자 1020170129195 (2017.10.10)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0119312 (2017.10.26) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자 10-2016-0046987 (2016.04.18)
관련 출원번호 1020160046987
심사청구여부/일자 Y (2017.10.10)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강성호 서울특별시 마포구
2 이인걸 서울특별시 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김연권 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, ****/****호(문정동, 문정대명벨리온)(시안특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2017.10.10 수리 (Accepted) 1-1-2017-0972817-51
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.01.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0004293-14
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.02.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0181730-81
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.02.21 수리 (Accepted) 1-1-2018-0181715-06
5 심사처리보류(연기)보고서
Report of Deferment (Postponement) of Processing of Examination
2018.06.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0082264-86
6 등록결정서
Decision to grant
2018.07.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0483135-76
7 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2018.11.21 수리 (Accepted) 1-1-2018-1161451-13
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 반도체 칩 내에 배치되어 테스트 패턴에 대응하는 제1 테스트 결과 신호를 압축하는 제1 MISR(Multiple Input Signature Register);상기 제1 반도체 칩의 상측 및 하측 중 어느 일 측에 적층된 제2 반도체 칩 내에 배치되어 상기 테스트 패턴에 대응하는 제2 테스트 결과 신호를 압축하는 제2 MISR(Multiple Input Signature Register);상기 제1 반도체 칩의 상측 및 하측 중 어느 일 측에 적층된 제3 반도체 칩 내에 배치되어 상기 테스트 패턴에 대응하는 제3 테스트 결과 신호를 압축하는 제3 MISR(Multiple Input Signature Register); 및상기 제1 MISR에서 출력되는 제1 출력 신호, 상기 제2 MISR에서 출력되는 제2 출력 신호 및 상기 제3 MISR에서 출력되는 제3 출력 신호를 비교하여 상기 제1 반도체칩 내지 상기 제3 반도체칩의 소프트 오류를 검출하는 오류 검출부;상기 오류 검출부는,상기 제1 반도체 칩 내지 상기 제3 반도체 칩 중 어느 하나의 내부에 배치되고,상기 제1 반도체 칩 내지 상기 제3 반도체 칩 사이에 배치된 TSV(Through Silicon Via)를 통해 상기 제1 반도체 칩 내지 상기 제3 반도체 칩 중 적어도 둘과 전기적으로 연결되며,상기 제1 반도체 칩에 배치될 경우, 상기 TSV를 통해 상기 제2 MISR 및 상기 제3 MISR과 전기적으로 연결되고,상기 제2 반도체 칩에 배치될 경우, 상기 TSV를 통해 상기 제1 MISR 및 상기 제3 MISR과 전기적으로 연결되며,상기 제3 반도체 칩에 배치될 경우, 상기 TSV를 통해 상기 제1 MISR 및 상기 제2 MISR과 전기적으로 연결되는3차원 반도체 장치의 테스트 회로
2 2
제1항에 있어서, 상기 오류 검출부는,상기 제1 출력 신호 내지 상기 제3 출력 신호 중 어느 하나가 상이한 경우, 상기 제1 반도체 칩 내지 상기 제3 반도체 칩의 소프트 오류를 검출하는 SER 카운터부를 포함하는 3차원 반도체 장치의 테스트 회로
3 3
제1항에 있어서, 상기 제1 반도체 칩 내지 상기 제3 반도체 칩 각각은, 상기 테스트 패턴을 발생시키는 LFSR; 및상기 테스트 패턴을 입력받아 저장하는 복수의 스캔 체인을 포함하는 3차원 반도체 장치의 테스트 회로
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삭제
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삭제
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제1 반도체 칩 내에 배치된 제1 MISR(Multiple Input Signature Register)을 이용하여 테스트 패턴에 대응하는 제1 테스트 결과 신호를 압축하는 단계;상기 제1 반도체 칩의 상측 및 하측 중 어느 일 측에 적층된 제2 반도체 칩 내의 제2 MISR(Multiple Input Signature Register)을 이용하여 상기 테스트 패턴에 대응하는 제2 테스트 결과 신호를 압축하는 단계;상기 제1 반도체 칩의 상측 및 하측 중 어느 일 측에 적층된 제3 반도체 칩 내의 제3 MISR(Multiple Input Signature Register)을 이용하여 상기 테스트 패턴에 대응하는 제3 테스트 결과 신호를 압축하는 단계;오류 검출부에서, 상기 제1 MISR에서 출력되는 제1 출력 신호, 상기 제2 MISR에서 출력되는 제2 출력 신호 및 상기 제3 MISR에서 출력되는 제3 출력 신호를 비교하여 상기 제1 반도체칩 내지 상기 제3 반도체칩의 소프트 오류를 검출하는 단계를 포함하고,상기 오류 검출부는,상기 제1 반도체 칩 내지 상기 제3 반도체 칩 중 어느 하나의 내부에 배치되고,상기 제1 반도체 칩 내지 상기 제3 반도체 칩 사이에 배치된 TSV(Through Silicon Via)를 통해 상기 제1 반도체 칩 내지 상기 제3 반도체 칩 중 적어도 둘과 전기적으로 연결되며,상기 제1 반도체 칩에 배치될 경우, 상기 TSV를 통해 상기 제2 MISR 및 상기 제3 MISR과 전기적으로 연결되고,상기 제2 반도체 칩에 배치될 경우, 상기 TSV를 통해 상기 제1 MISR 및 상기 제3 MISR과 전기적으로 연결되며,상기 제3 반도체 칩에 배치될 경우, 상기 TSV를 통해 상기 제1 MISR 및 상기 제2 MISR과 전기적으로 연결되는3차원 반도체 장치의 테스트 방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 소프트 오류를 검출하는 단계는,SER 카운터부에서, 상기 제1 출력 신호 내지 상기 제3 출력 신호 중 어느 하나가 상이한 경우, 상기 제1 반도체 칩 내지 상기 제3 반도체 칩의 소프트 오류를 검출하는 단계를 포함하는 3차원 반도체 장치의 테스트 방법
8 8
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1 산업통상자원부 연세대학교 산학협력단 기타사업 TSV 기반 3D IC의 수율 향상을 위한 테스트 및테스터기술