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로컬 비트 라인 공유 메모리 소자 및 그 구동 방법(Local Bit Line Sharing Memory Device and Driving Method Thereof)

  • 기술번호 : KST2017016717
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 일 실시예에 따른 로컬 비트 라인 공유 메모리 소자는 로컬 비트 라인 페어를 공유하는 복수의 메모리 셀들, 기록 비트 라인 페어와 연결되어 상기 로컬 비트 라인 페어를 미리 충전하는 프리차징부 및 상기 메모리 셀들 중 선택된 메모리 셀에서 프리차징 된 비트라인의 전압을 방전시키는 경우의 데이터를 판독하는 데이터 판독부를 포함한다.
Int. CL G11C 11/419 (2016.05.21) G11C 11/413 (2016.05.21) G11C 7/12 (2016.05.21) G11C 7/10 (2016.05.21)
CPC G11C 11/419(2013.01) G11C 11/419(2013.01) G11C 11/419(2013.01) G11C 11/419(2013.01)
출원번호/일자 1020160048867 (2016.04.21)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0120412 (2017.10.31) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.04.21)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정성욱 대한민국 서울특별시 서대문구
2 오태우 대한민국 서울특별시 서대문구
3 정한울 대한민국 서울특별시 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김연권 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, ****/****호(문정동, 문정대명벨리온)(시안특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.04.21 수리 (Accepted) 1-1-2016-0385283-22
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2016.12.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.02.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0156575-04
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0757513-91
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2017-1306193-05
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.12.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-1306222-31
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.05.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0310592-16
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.07.09 수리 (Accepted) 1-1-2018-0674212-72
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.07.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0674225-65
10 등록결정서
Decision to grant		 2018.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0814633-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
로컬 비트 라인과 로컬 비트 라인 바로 구성된 로컬 비트 라인 페어를 공유하는 복수의 메모리 셀들;홀드 동작 단계에서 기록 비트 라인 페어와 연결되어 상기 로컬 비트 라인 페어를 미리 충전하는 프리차징부; 및상기 메모리 셀들 중 선택된 메모리 셀에 의해 미리 충전된 상기 로컬 비트 라인이 방전 시, 상기 로컬 비트 라인 페어의 방전을 감지하여 데이터를 판독하는 데이터 판독부를 포함하고,상기 데이터 판독부는 상기 로컬 비트 라인과 연결된 제1 데이터 판독부와, 상기 로컬 비트 라인 바와 연결된 제2 데이터 판독부를 포함하는로컬 비트 라인 공유 메모리 소자
2 2
제1항에 있어서,상기 프리차징부는상기 기록 비트 라인 페어와 연결된 PMOS 타입의 프리 차징 트랜지스터를 포함하는 로컬 비트 라인 공유 메모리 소자
3 3
제2항에 있어서,상기 프리차징부는홀드 동작 단계에서 상기 기록 비트 라인 페어에 인가된 전원 전압으로 상기 프리 차징 트랜지스터를 바이패스하여 상기 로컬 비트 라인 페어를 충전하는로컬 비트 라인 공유 메모리 소자
4 4
제1항에 있어서,상기 데이터 판독부는상기 로컬 비트 라인 페어와 연결된 PMOS 타입의 데이터 판독 트랜지스터를 이용하여, 판독 워드 라인의 전압 값으로 판독 비트 라인을 충전하는로컬 비트 라인 공유 메모리 소자
5 5
제4항에 있어서,상기 판독 비트 라인은 데이터 판독 동작이 수행되기 전에는 플로팅 상태를 유지하는로컬 비트 라인 공유 메모리 소자
6 6
제1항에 있어서,기록 비트 라인 페어에 인가된 데이터를 상기 복수의 메모리 셀들 중 데이터 기록을 위해 선택된 메모리 셀에 기록하는 데이터 기록부를 더 포함하는 로컬 비트 라인 공유 메모리 소자
7 7
제6항에 있어서,상기 데이터 기록부는복수의 패스 게이트들을 이용하여 상기 기록 비트 라인 페어 양단에서 상기 데이터를 기록하고,상기 패스 게이트들 각각은 NMOS 타입의 트랜지스터와 상기 NMOS 타입의 트랜지스터와 병렬로 연결된 PMOS 타입의 트랜지스터를 포함하는로컬 비트 라인 공유 메모리 소자
8 8
기록 비트 라인 페어와 연결되어 로컬 비트 라인과 로컬 비트 라인 바로 구성된 로컬 비트 라인 페어를 미리 충전하는 단계; 및상기 로컬 비트 라인 페어를 공유하는 복수의 메모리 셀들 중 선택된 메모리 셀에 의해 미리 충전된 로컬 비트 라인 페어가 방전 시, 상기 로컬 비트 라인 페어의 방전을 감지하여 데이터 판독을 수행하거나 상기 기록 비트 라인 페어에 인가된 데이터를 상기 복수의 메모리 셀들 중 데이터 기록을 위해 선택된 메모리 셀에 데이터 기록을 수행하는 단계를 포함하는 로컬 비트 라인 공유 메모리 소자의 구동 방법
9 9
제8항에 있어서,상기 데이터 판독을 수행하는 단계는상기 로컬 비트 라인 페어와 연결된 PMOS 타입의 데이터 판독 트랜지스터를 이용하여, 판독 워드 라인의 전압 값으로 판독 비트 라인을 충전하는로컬 비트 라인 공유 메모리 소자의 구동 방법
10 10
제8항에 있어서,상기 데이터 기록을 수행하는 단계는NMOS 타입의 트랜지스터와 상기 NMOS 타입의 트랜지스터와 병렬로 연결된 PMOS 타입의 트랜지스터로 구성된 복수의 패스 게이트들을 이용하여 기록 비트 라인 페어 양단에서 상기 데이터를 기록하는로컬 비트 라인 공유 메모리 소자의 구동 방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US10020050 US 미국 FAMILY
2 US20170309328 US 미국 FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US10020050 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US2017309328 US 미국 DOCDBFAMILY
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