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포토닉 크리스탈 광학 소자 및 그를 이용한 표시 장치(Photonic Crystal Optical elements and Display Device using the Same)

  • 기술번호 : KST2017017022
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 포토닉 크리스탈에 전기적 신호를 가하여 상기 포토닉 크리스탈의 격자 간격을 변화시킴으로써 원하는 색을 얻을 수 있는 포토닉 크리스탈 광학 소자 및 이를 이용한 표시 장치에 관한 것으로서, 본 발명에 의한 포토닉 크리스탈 광학 소자는, 제 1 이온 전도체, 포토닉 크리스탈층, 제 2 이온 전도체를 포함하는 구조를 갖는다.
Int. CL G02F 1/1347 (2006.01.01) G02F 1/1335 (2019.01.01)
CPC G02F 1/13475(2013.01) G02F 1/13475(2013.01) G02F 1/13475(2013.01)
출원번호/일자 1020160053470 (2016.04.29)
출원인 엘지디스플레이 주식회사, 서울대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0124001 (2017.11.09) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 32

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
2 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 선정윤 대한민국 서울특별시 관악구
2 장기석 대한민국 경기도 파주시 한빛로 **, **
3 김도윤 대한민국 경기도 성남시 분당구
4 조혜성 대한민국 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이승찬 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **길 ** 나라빌딩, *층(케이피에이치어소시에이츠)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.04.29 수리 (Accepted) 1-1-2016-0417790-54
2 보정요구서
Request for Amendment
2016.05.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2016-0064393-44
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2016.06.02 수리 (Accepted) 1-1-2016-0533685-56
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
7 [복대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Sub-agent] Report on Agent (Representative)
2020.07.10 수리 (Accepted) 1-1-2020-0721342-49
8 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)
2020.07.17 수리 (Accepted) 1-1-2020-0745150-31
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제 1 이온 전도체,상기 제 1 이온 전도체 상에 위치하는 포토닉 크리스탈층, 및상기 포토닉 크리스탈층 상에 위치하는 제 2 이온 전도체를 포함하는 포토닉 크리스탈 광학 소자
2 2
제 1 항에 있어서,상기 제 1 이온 전도체와 상기 포토닉 크리스탈층 사이에 위치하는 제 1 유전 탄성체 또는상기 포토닉 크리스탈층과 상기 제 2 이온 전도체 사이에 위치하는 제 2 유전 탄성체 중 적어도 어느 하나를 더 포함하는 포토닉 크리스탈 광학 소자
3 3
제 1 항에 있어서,상기 제 1 이온 전도체의 하부에 위치하는 제 1 전극, 또는 상기 제 2 이온 전도체 상에 위치하는 제 2 전극 중 적어도 어느 하나를 더 포함하는 포토닉 크리스탈 광학 소자
4 4
제 3 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 전극은 투명 도전성 물질로 이루어진 포토닉 크리스탈 광학 소자
5 5
제 1 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 이온 전도체는, 이온성 전해질을 포함하고,상기 이온성 전해질은, 탄성체 또는 전도성 폴리머와, 상기 탄성체 또는 전도성 폴리머 전체에 분산된 전해질을 포함하는 포토닉 크리스탈 광학 소자
6 6
제 5 항에 있어서,상기 이온성 전해질은, 하이드로젤 형태인 포토닉 크리스탈 광학 소자
7 7
제 5 항에 있어서, 상기 전해질은, 염 용액을 포함하는 포토닉 크리스탈 광학 소자
8 8
제 5 항에 있어서, 상기 전해질은 이온성 액체를 포함하는 포토닉 크리스탈 광학 소자
9 9
제 1 항에 있어서,상기 포토닉 크리스탈층은, 젤 형태인 고분자 물질 또는 유전성 및 탄성을 갖는 물질에 복수의 비드가 충전된 형태인 포토닉 크리스탈 광학 소자
10 10
기판 상에 위치하는 제 1 전극,상기 제 1 전극 상에 위치하는 제 1 유전 탄성체,상기 제 1 유전 탄성체 상에 위치하는 포토닉 크리스탈층 및상기 포토닉 크리스탈층의 상부에 위치하는 제 2 이온 전도체를 포함하는 포토닉 크리스탈 광학 소자
11 11
제 10 항에 있어서,상기 포토닉 크리스탈층과 상기 제 2 이온 전도체 사이에 위치하는 제 2 유전 탄성체를 더 포함하는 포토닉 크리스탈 광학 소자
12 12
제 11 항에 있어서,상기 제 2 이온 전도체는, 이온성 전해질을 포함하고,상기 이온성 전해질은, 탄성체 또는 전도성 폴리머와, 상기 탄성체 또는 전도성 폴리머 전체에 분산된 전해질을 포함하는 포토닉 크리스탈 광학 소자
13 13
제 10 항에 있어서,상기 이온성 전해질은, 하이드로젤 형태인 포토닉 크리스탈 광학 소자
14 14
제 10 항에 있어서, 상기 전해질은, 염 용액을 포함하는 포토닉 크리스탈 광학 소자
15 15
제 10 항에 있어서, 상기 전해질은 이온성 액체를 포함하는 포토닉 크리스탈 광학 소자
16 16
제 10 항에 있어서,상기 포토닉 크리스탈층은, 젤 형태인 고분자 물질 또는 유전성 및 탄성을 갖는 물질에 복수의 비드가 충전된 형태인 포토닉 크리스탈 광학 소자
17 17
기판 상에 매트릭스 형태로 배열된 복수의 픽셀들을 포함하는 표시 패널을 포함하고,상기 표시 패널은,기판 상에 상기 각 픽셀에 대응되는 위치에 구비된 제 1 이온 전도체와, 상기 제 1 이온 전도체 상에 위치하는 포토닉 크리스탈층, 및 상기 포토닉 크리스탈층 상에 위치하는 제 2 이온 전도체를 포함하는 포토닉 크리스탈 표시 장치
18 18
제 17 항에 있어서,상기 표시 패널은,상기 제 1 이온 전도체와 상기 포토닉 크리스탈층 사이에 위치하는 제 1 유전 탄성체 및상기 포토닉 크리스탈층과 상기 제 2 이온 전도체 사이에 위치하는 제 2 유전 탄성체 중 적어도 어느 하나를 더 포함하는 포토닉 크리스탈 표시 장치
19 19
제 17 항에 있어서,상기 표시 패널은, 상기 제 1 이온 전도체의 하부에 위치하는 제 1 전극 및 상기 제 2 이온 전도체의 상부에 위치하는 제 2 전극 중 적어도 어느 하나를 더 포함하는 포토닉 크리스탈 표시 장치
20 20
제 18 항에 있어서,상기 표시 패널은 상기 제 1 이온 전도체와 동일한 층에 위치하는 평탄화막을 더 포함하고,상기 제 1 및 제 2 유전 탄성체는 상기 기판의 전면에 위치하는 포토닉 크리스탈 표시 장치
21 21
제 17 항에 있어서,상기 제 2 이온 전도체는, 상기 기판의 전면에 형성된 공통 전극 형태인 포토닉 크리스탈 표시 장치
22 22
제 20 항에 있어서,상기 제 1 유전 탄성체는 상기 픽셀에 대응되는 영역에 구비된 복수의 홀을 더 포함하고, 상기 포토닉 크리스탈층은 상기 복수의 홀 내에 구비되는 포토닉 크리스탈 표시 장치
23 23
제 17 항에 있어서,상기 표시 패널은, 교차 배열된 복수의 게이트 라인 및 데이터 라인들을 포함하고,상기 각 픽셀은, 게이트 전극이 상기 게이트 라인과 접속되고, 소스 전극이 상기 데이터 라인에 접속되며, 드레인 전극이 상기 제 1 이온 전도체와 접속되어, 상기 게이트 라인으로부터의 스캔 신호에 따라 데이터 신호를 상기 제 1 이온 전도체로 공급하는 스위칭 소자를 더 포함하는 포토닉 크리스탈 표시 장치
24 24
기판 상에 매트릭스 형태로 배열된 복수의 픽셀들을 포함하는 표시 패널을 포함하고,상기 표시 패널은,상기 픽셀에 대응되는 영역에 위치하며, 투명 도전체로 이루어진 제 1 전극과, 상기 제 1 전극 상에 위치하는 제 1 유전 탄성체와, 상기 제 1 유전 탄성체 상에 위치하는 포토닉 크리스탈층 및 상기 포토닉 크리스탈층의 상부에 위치하는 제 2 이온 전도체를 포함하는 포토닉 크리스탈 표시 장치
25 25
제 24 항에 있어서,상기 제 1 전극과 동일한층에 상기 제 1 전극과 동일한 높이로 위치하는 평탄화막을 더 포함하는 포토닉 크리스탈 표시 장치
26 26
제 24 항에 있어서,상기 포토닉 크리스탈층과 상기 제 2 이온 전도체 사이에 위치하는 제 2 유전 탄성체를 더 포함하는 포토닉 크리스탈 표시 장치
27 27
제 24 항에 있어서,상기 제 1 유전 탄성체는, 상기 기판의 전면에 위치하는 포토닉 크리스탈 표시 장치
28 28
제 26 항에 있어서,상기 제 2 유전 탄성체는, 상기 기판의 전면에 위치하는 포토닉 크리스탈 표시 장치
29 29
제 27 항에 있어서,상기 제 1 유전 탄성체는, 상기 픽셀에 대응되는 위치에 복수의 홀을 포함하고, 상기 포토닉 크리스탈층은 상기 복수의 홀 내에 위치하는 포토닉 크리스탈 표시 장치
30 30
제 24 항에 있어서,상기 제 2 이온 전도체는, 상기 기판의 전면에 형성된 공통 전극 형태인 포토닉 크리스탈 표시 장치
31 31
제 24 항에 있어서,상기 표시 패널은, 교차 배열된 복수의 게이트 라인 및 데이터 라인들을 포함하고,상기 각 픽셀은, 게이트 전극이 상기 게이트 라인과 접속되고, 소스 전극이 상기 데이터 라인에 접속되며, 드레인 전극이 상기 제 1 전극과 접속되어, 상기 게이트 라인으로부터의 스캔 신호에 따라 데이터 신호를 상기 제 1 전극으로 공급하는 스위칭 소자를 더 포함하는 포토닉 크리스탈 표시 장치
32 32
제 17 항 또는 제 24 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판은 블랙 기판인 포토닉 크리스탈 표시 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.