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일반식 KSr2(1-x)Ag2xNb3O10로 표시되고, 상기 x는 0 초과 1 이하인 것을 특징으로 하는 은이 치환된 스트론튬 나이오베이트 유전체 조성물
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제1항에 있어서,상기 K가 H로 치환되어, 일반식 HSr2(1-x)Ag2xNb3O10로 표시되는 것을 특징으로 하는 은이 치환된 스트론튬 나이오베이트 유전체 조성물
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일반식 KSr2(1-x)Ag2xNb3O10로 표시되고, 상기 x는 0 초과 1 이하인 물질을 HNO3, HCl, H2SO4 중 하나 이상의 용액에서 교반하여 일반식 HSr2(1-x)Ag2xNb3O10로 표시되는 유전체 조성물을 획득하는 단계를 포함하는 은이 치환된 스트론튬 나이오베이트 유전체 조성물 제조방법
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제3항에 있어서,일반식 HSr2(1-x)Ag2xNb3O10로 표시되는 유전체 조성물의 x는 0 초과 1
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제3항에 있어서,상기 일반식 HSr2(1-x)Ag2xNb3O10로 표시되는 유전체 조성물을 건조시키는 단계; 및건조된 유전체 조성물을 소결시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 은이 치환된 스트론튬 나이오베이트 유전체 조성물 제조방법
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6 |
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제5항에 있어서,소결된 유전체 조성물을 테트라부틸암모니움(TBAOH) 용액에 교반하는 단계; 및교반된 용액을 기판에 적층하여 나노 시트 박막을 획득하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 은이 치환된 스트론튬 나이오베이트 유전체 조성물 제조방법
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7 |
7
제6항에 있어서,상기 기판은, Au, Pt, ITO, SRO, Nb-STO 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 은이 치환된 스트론튬 나이오베이트 유전체 조성물 제조방법
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8
제3항 내지 제7항 중 어느 한 항에 따라 제조된 유전체 조성물을 마이크로파 유전체 또는 DRAM 커패시터에 적용하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 은이 치환된 스트론튬 나이오베이트 유전체 조성물 제조방법
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