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자기 저항 메모리 장치 및 이에 있어서 메모리 셀 불량 검사 방법(MAGNETRORESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY AND METHOD OF INSPECTING DEFECT OF MEMORY CELLS IN THE SAME)

  • 기술번호 : KST2017018355
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 복수의 메모리 셀들을 리드하여 불량을 검사하는 자기 저항 메모리 장치 및 이에 있어서 메모리 셀 불량 검사 방법이 개시된다. 상기 자기 저항 메모리 장치는 복수의 메모리 셀들을 포함하는 메모리 셀부, 적어도 하나의 기준 셀을 포함하는 기준 셀부 및 감지 회로를 포함한다. 여기서, 메모리 셀 불량 검사시, 동시에 선택되는 복수의 워드 라인들이 따라 복수의 메모리 셀들이 선택된다. 또한, 상기 감지 회로는 상기 선택된 메모리 셀들의 저항을 감지하고, 상기 기준 셀의 저항을 감지하며, 메모리 셀의 불량 여부를 판단하기 위하여 상기 감지된 저항들을 비교한다.
Int. CL G11C 29/56 (2016.09.03) G11C 29/00 (2016.09.03) G11C 11/409 (2016.09.03)
CPC G11C 29/56(2013.01) G11C 29/56(2013.01) G11C 29/56(2013.01)
출원번호/일자 1020160108879 (2016.08.26)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0130265 (2017.11.28) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020160060851   |   2016.05.18
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020180005483;
심사청구여부/일자 Y (2016.08.26)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유창식 대한민국 서울특별시 강남구
2 김경민 대한민국 서울특별시 강동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 최관락 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 ** (역삼동) 동림빌딩 *층(아이피즈국제특허법률사무소)
2 송인호 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 ** (역삼동) 동림빌딩 *층(아이피즈국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.08.26 수리 (Accepted) 1-1-2016-0830810-12
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.08.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.11.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0167188-95
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.11.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0799435-01
5 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2018.01.16 수리 (Accepted) 1-1-2018-0050935-05
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.01.16 수리 (Accepted) 1-1-2018-0050945-51
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.01.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0050946-07
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.05.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0342248-19
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.07.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0720421-21
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.07.20 수리 (Accepted) 1-1-2018-0720420-86
11 등록결정서
Decision to grant		 2018.10.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0709941-94
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
복수의 메모리 셀들을 포함하는 메모리 셀부;적어도 하나의 기준 셀을 포함하는 기준 셀부; 및감지 회로를 포함하되,메모리 셀 불량 검사시, 동시에 선택되는 복수의 워드 라인들이 따라 복수의 메모리 셀들이 선택되며, 상기 감지 회로는 상기 선택된 메모리 셀들의 저항을 감지하고, 상기 기준 셀의 저항을 감지하며, 메모리 셀의 불량 여부를 판단하기 위하여 상기 감지된 저항들을 비교하고,상기 복수의 메모리 셀들 모두에 1을 기록하고 상기 기준 셀들 중 일부에 1을 기록하고 나머지에 0을 기록한 상태에서 N (2이상의 정수임)개의 메모리 셀들 단위로 상기 메모리 셀 불량 검사가 수행되는 것을 특징으로 하는 자기 저항 메모리 장치
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
복수의 메모리 셀들을 포함하는 메모리 셀부;적어도 하나의 기준 셀을 포함하는 기준 셀부; 및감지 회로를 포함하되,메모리 셀 불량 검사시, 동시에 선택되는 복수의 워드 라인들이 따라 복수의 메모리 셀들이 선택되며, 상기 감지 회로는 상기 선택된 메모리 셀들의 저항을 감지하고, 상기 기준 셀의 저항을 감지하며, 메모리 셀의 불량 여부를 판단하기 위하여 상기 감지된 저항들을 비교하며,상기 복수의 메모리 셀들 모두에 0을 기록하고 상기 기준 셀들 중 일부에 1을 기록하고 나머지에 0을 기록한 상태에서 N(2 이상의 정수임)개의 메모리 셀들 단위로 상기 메모리 셀 불량 검사가 수행되는 것을 특징으로 하는 자기 저항 메모리 장치
5 5
복수의 메모리 셀들을 포함하는 메모리 셀부;적어도 하나의 기준 셀 및 보조 기준 셀을 포함하는 기준 셀부; 및감지 회로를 포함하되,메모리 셀 불량 검사시, 동시에 선택된 복수의 워드 라인들이 따라 복수의 메모리 셀들이 선택되며, 상기 감지 회로는 상기 선택된 메모리 셀들의 저항을 감지하고, 상기 기준 셀 및 상기 보조 기준 셀의 저항을 감지하며, 메모리 셀의 불량 여부를 판단하기 위하여 상기 감지된 저항들을 비교하고, 상기 복수의 메모리 셀들 모두에 0을 기록하고 상기 기준 셀들 중 일부에 1을 기록하고 나머지에 0을 기록하며 상기 보조 기준 셀에 1을 기록한 상태에서 N(2이상의 정수임)개의 메모리 셀들 단위로 상기 메모리 셀 불량 검사가 수행되거나, 상기 복수의 메모리 셀들 모두에 1을 기록하고 상기 기준 셀들 중 일부에 1을 기록하고 나머지에 0을 기록하며 상기 보조 기준 셀에 0을 기록한 상태에서 N개의 메모리 셀들 단위로 상기 메모리 셀 불량 검사가 수행되는 것을 특징으로 하는 자기 저항 메모리 장치
6 6
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복수의 워드 라인들을 동시에 활성화시키는 단계;상기 활성화된 워드 라인들에 연결된 메모리 셀들의 저항을 감지하는 단계;상기 감지된 메모리 셀들의 저항과 기준 셀의 저항을 비교하는 단계; 및상기 비교 결과에 따라 상기 메모리 셀들의 불량 여부를 판단하는 단계를 포함하되,상기 복수의 메모리 셀들 모두에 1 또는 0을 기록하고 상기 기준 셀 중 일부에 1을 기록하고 나머지에 0을 기록한 상태에서 N (2이상의 정수임)개의 메모리 셀들 단위로 상기 메모리 셀들의 불량 여부가 판단되는 것을 특징으로 하는 자기 저항 메모리 장치에서 메모리 셀 불량 검사 방법
10 10
복수의 워드 라인들을 동시에 활성화시키는 단계;상기 활성화된 워드 라인들에 연결된 메모리 셀들의 저항을 감지하는 단계;상기 감지된 메모리 셀들의 저항과 기준 셀 및 보조 기준 셀의 저항을 비교하는 단계; 및상기 비교 결과에 따라 상기 메모리 셀들의 불량 여부를 판단하는 단계를 포함하되,상기 보조 기준 셀은 상기 메모리 셀들에 기록된 데이터와 반대 로직의 데이터를 기록하되,상기 복수의 메모리 셀들 모두에 0을 기록하고 상기 기준 셀들 중 일부에 1을 기록하고 나머지에 0을 기록하며 상기 보조 기준 셀에 1을 기록한 상태에서 N(2이상의 정수임)개의 메모리 셀들 단위로 상기 메모리 셀 불량 검사가 수행되거나, 상기 복수의 메모리 셀들 모두에 1을 기록하고 상기 기준 셀들 중 일부에 1을 기록하고 나머지에 0을 기록하며 상기 보조 기준 셀에 0을 기록한 상태에서 N개의 메모리 셀들 단위로 상기 메모리 셀 불량 검사가 수행되는 것을 특징으로 하는 자기 저항 메모리 장치에서 메모리 셀 불량 검사 방법
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1 산업통상자원부 한양대학교산학협력단 전자정보디바이스산업원천기술개발사업(RCMS) 10nm급 STT-MRAM의 MTJ 신뢰성 모델링 및 신뢰성 불량에 강인한 회로 기술 연구