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수평 방향으로 연장 형성되며 수직 방향으로 이격된 워드 라인들; 및 상기 워드 라인들을 관통하며 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 수직 채널 구조체들-상기 수직 채널 구조체들 각각은 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 수직 채널 패턴 및 상기 수직 채널 패턴의 외측벽에 접촉하며 형성되는 데이터 저장 패턴들을 포함하고, 상기 수직 채널 구조체들 각각은 상기 워드 라인들에 대응하는 메모리 셀들을 구성함-을 포함하는 3차원 플래시 메모리에서 수직 채널 구조체의 이상 형상에 의한 셀 특성 열화를 개선하는 회로적 보상 방법에 있어서,상기 메모리 셀들 각각의 문턱 전압 특성을 모니터링하는 단계; 상기 수직 채널 구조체의 이상 형상 및 문턱 전압 특성 사이의 관계를 예측하는 데이터베이스를 이용하여 상기 메모리 셀들 각각의 문턱 전압 특성을 기초로 상기 메모리 셀들 중 이상 형상이 발생된 적어도 하나의 메모리 셀을 확인하는 단계; 및 상기 적어도 하나의 메모리 셀이 프로그램 동작의 대상이 되는 선택된 메모리 셀인 경우 및 상기 적어도 하나의 메모리 셀이 상기 메모리 셀들 중 상기 선택된 메모리 셀을 제외한 비선택된 메모리 셀인 경우를 구분하여 회로적 보상을 실시하는 단계를 포함하는 3차원 플래시 메모리에서 수직 채널 구조체의 이상 형상에 의한 셀 특성 열화를 개선하는 회로적 보상 방법
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제1항에 있어서,상기 실시하는 단계는, 상기 적어도 하나의 메모리 셀이 상기 선택된 메모리 셀인 경우 및 상기 적어도 하나의 메모리 셀이 상기 비선택된 메모리 셀인 경우를 구분하여, 상기 프로그램 동작에서 인가되는 전압 또는 상기 선택된 메모리 셀에 대한 판독 동작에서 인가되는 전압을 제어하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리에서 수직 채널 구조체의 이상 형상에 의한 셀 특성 열화를 개선하는 회로적 보상 방법
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제2항에 있어서,상기 제어하는 단계는, 상기 적어도 하나의 메모리 셀이 상기 이상 형상이 발생되지 않은 다른 메모리 셀의 문턱 전압 특성과 동일한 문턱 전압 특성을 갖도록 상기 프로그램 동작에서 인가되는 전압 또는 상기 선택된 메모리 셀에 대한 판독 동작에서 인가되는 전압을 제어하는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리에서 수직 채널 구조체의 이상 형상에 의한 셀 특성 열화를 개선하는 회로적 보상 방법
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제2항에 있어서,상기 제어하는 단계는, 상기 적어도 하나의 메모리 셀이 상기 선택된 메모리 셀인 경우, 상기 프로그램 동작 시 상기 선택된 메모리 셀에 인가되는 프로그램 전압을 감소시키는 단계; 또는 상기 프로그램 동작 시 상기 선택된 메모리 셀을 포함하는 수직 채널 구조체의 비트 라인에 인가되는 비트 라인 전압을 증가시키는 단계 중 어느 적어도 하나의 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리에서 수직 채널 구조체의 이상 형상에 의한 셀 특성 열화를 개선하는 회로적 보상 방법
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제2항에 있어서,상기 제어하는 단계는, 상기 적어도 하나의 메모리 셀이 상기 선택된 메모리 셀인 경우, 상기 선택된 메모리 셀에 대한 판독 동작 시 상기 선택된 메모리 셀에 인가되는 센싱 전압을 증가시키는 단계; 또는 상기 판독 동작 시 상기 선택된 메모리 셀을 포함하는 수직 채널 구조체의 비트 라인에 인가되는 비트 라인 전압을 증가시키는 단계 중 어느 적어도 하나의 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리에서 수직 채널 구조체의 이상 형상에 의한 셀 특성 열화를 개선하는 회로적 보상 방법
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제2항에 있어서,상기 제어하는 단계는, 상기 적어도 하나의 메모리 셀이 상기 비선택된 메모리 셀인 경우, 상기 프로그램 동작 시 상기 적어도 하나의 메모리 셀에 인가되는 패스 전압을 감소시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리에서 수직 채널 구조체의 이상 형상에 의한 셀 특성 열화를 개선하는 회로적 보상 방법
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제2항에 있어서,상기 제어하는 단계는, 상기 적어도 하나의 메모리 셀이 상기 비선택된 메모리 셀인 경우, 상기 선택된 메모리 셀에 대한 판독 동작 시 상기 적어도 하나의 메모리 셀에 인가되는 패스 전압을 증가시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리에서 수직 채널 구조체의 이상 형상에 의한 셀 특성 열화를 개선하는 회로적 보상 방법
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제1항에 있어서,상기 문턱 전압 특성은, 상기 메모리 셀들 각각의 문턱 전압 값 및 상기 메모리 셀들 각각의 셀 전류 값을 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리에서 수직 채널 구조체의 이상 형상에 의한 셀 특성 열화를 개선하는 회로적 보상 방법
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수평 방향으로 연장 형성되며 수직 방향으로 이격된 워드 라인들; 및 상기 워드 라인들을 관통하며 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 수직 채널 구조체들-상기 수직 채널 구조체들 각각은 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 수직 채널 패턴 및 상기 수직 채널 패턴의 외측벽에 접촉하며 형성되는 데이터 저장 패턴들을 포함하고, 상기 수직 채널 구조체들 각각은 상기 워드 라인들에 대응하는 메모리 셀들을 구성함-을 포함하는 3차원 플래시 메모리에서 수직 채널 구조체의 이상 형상에 의한 셀 특성 열화를 개선하는 회로적 보상 시스템에 있어서,상기 수직 채널 구조체의 이상 형상 및 문턱 전압 특성 사이의 관계를 예측하도록 구축 및 유지되는 데이터베이스; 상기 메모리 셀들 각각의 문턱 전압 특성을 모니터링하는 모니터링부; 상기 데이터베이스를 이용하여 상기 메모리 셀들 각각의 문턱 전압 특성을 기초로 상기 메모리 셀들 중 이상 형상이 발생된 적어도 하나의 메모리 셀을 확인하는 확인부; 및 상기 적어도 하나의 메모리 셀이 프로그램 동작의 대상이 되는 선택된 메모리 셀인 경우 및 상기 적어도 하나의 메모리 셀이 상기 메모리 셀들 중 상기 선택된 메모리 셀을 제외한 비선택된 메모리 셀인 경우를 구분하여 회로적 보상을 실시하는 보상부를 포함하는 3차원 플래시 메모리에서 수직 채널 구조체의 이상 형상에 의한 셀 특성 열화를 개선하는 회로적 보상 시스템
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제9항에 있어서,상기 보상부는, 상기 적어도 하나의 메모리 셀이 상기 선택된 메모리 셀인 경우 및 상기 적어도 하나의 메모리 셀이 상기 비선택된 메모리 셀인 경우를 구분하여, 상기 프로그램 동작에서 인가되는 전압 또는 상기 선택된 메모리 셀에 대한 판독 동작에서 인가되는 전압을 제어하는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리에서 수직 채널 구조체의 이상 형상에 의한 셀 특성 열화를 개선하는 회로적 보상 시스템
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제10항에 있어서,상기 보상부는, 상기 적어도 하나의 메모리 셀이 상기 이상 형상이 발생되지 않은 다른 메모리 셀의 문턱 전압 특성과 동일한 문턱 전압 특성을 갖도록 상기 프로그램 동작에서 인가되는 전압 또는 상기 선택된 메모리 셀에 대한 판독 동작에서 인가되는 전압을 제어하는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리에서 수직 채널 구조체의 이상 형상에 의한 셀 특성 열화를 개선하는 회로적 보상 시스템
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