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기판;기판 상에 형성된 탄소나노튜브의 네트워크;상기 탄소나노튜브의 측벽에 고정된 백금(Pt) 나노입자 및 산화백금(PtO) 나노입자(이하, 'Pt/PtO 나노입자'라 함); 및상기 Pt/PtO 나노입자가 측벽에 고정된 탄소나노튜브의 네트워크 상에, 상기 Pt/PtO 나노입자가 측벽에 고정된 탄소나노튜브의 네트워크와 접하여 형성된 소스 전극 및 드레인 전극;을 포함하는 가스센서
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제1항에 있어서, 상기 탄소나노튜브는 단일벽 탄소나노튜브(SWCNT, single-walled carbon nanotube)를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스센서
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제1항에 있어서,상기 탄소나노튜브의 직경은 1
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제1항에 있어서,상기 Pt/PtO 나노입자의 평균 직경이 1 ~ 5 nm인 것을 특징으로 하는 가스센서
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제1항 내지 제4항 중 선택된 어느 한 항에 따른 가스센서의 제조방법으로서, 기판 상에 탄소나노튜브의 네트워크를 형성하는 단계;백금 전구체를 용매에 용해시켜 전구체 용액을 제조하는 단계;상기 탄소나노튜브의 네트워크가 형성된 기판을 상기 전구체 용액에 침지하는 단계;상기 기판이 침지된 상기 전구체 용액에 자외선을 조사하여 상기 탄소나노튜브 측벽(sidewall)에 Pt/PtO 나노입자를 고정시키는 단계; 상기 자외선을 조사하는 단계를 거친 후, 상기 전구체 용액으로부터 상기 기판을 수득하여 열처리하는 단계; 및상기 열처리 단계를 거친 상기 기판 상에, 상기 Pt/PtO 나노입자가 측벽에 고정된 탄소나노튜브의 네트워크와 접하도록 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 가스센서의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 기판은 실리콘 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 가스센서의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 기판은 실리콘 산화막이 표면에 형성된 실리콘 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 가스센서의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 탄소나노튜브는 단일벽 탄소나노튜브(SWCNT, single-walled carbon nanotube)를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스센서의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 탄소나노튜브의 직경은 1
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제6항에 있어서,상기 백금 전구체는 염화백금산수화물(chloroplatinic acid hexahydrate, H2PtCl6·6H2O), 염화백금(platinum(II) chloride, PtCl2), 백금아세틸아세토네이트 (Platinum acetylacetonate) 및 백금헥사플로로아세틸아세토네이트(Platinum hexafluoroacetylacetonate)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 둘 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 가스센서의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 용매는 물, 알코올 및 이들의 혼합용매로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 가스센서의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 자외선의 강도가 0
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제6항에 있어서,상기 자외선의 노출시간이 1 ~ 30분인 것을 특징으로 하는 가스센서의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 Pt/PtO 나노입자의 평균직경은 1 ~ 5 nm인 것을 특징으로 하는 가스센서의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 열처리는 200 ~ 300 ℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 가스센서의 제조방법
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