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은이 도핑된 산화아연 나노선을 갖는 가스 센서 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015124074
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 가스 센서는 기판, 상기 기판 상에 형성된 절연막, 상기 절연막 상에 위치하며, 은(Ag)이 도핑된 산화아연(ZnO) 나노선, 및 상기 절연막 상에 서로 이격되어 위치하며, 상기 나노선과 전기적으로 연결된 복수개의 전극들을 포함한다. 이에 따라, 높은 가스검출 감응도를 가지며, 다양한 유해 가스를 검출할 수 있는 가스 센서를 제공할 수 있다.
Int. CL G01N 27/26 (2006.01) G01N 27/407 (2006.01) B82Y 15/00 (2011.01)
CPC G01N 27/4073(2013.01) G01N 27/4073(2013.01) G01N 27/4073(2013.01) G01N 27/4073(2013.01) G01N 27/4073(2013.01)
출원번호/일자 1020110019510 (2011.03.04)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0100536 (2012.09.12) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.03.04)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이상렬 대한민국 서울특별시 용산구
2 김경원 대한민국 충청북도 청주시 흥덕구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.03.04 수리 (Accepted) 1-1-2011-0158772-06
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.02.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.03.21 수리 (Accepted) 9-1-2012-0018519-10
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.08.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0462889-17
5 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2012.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0727181-05
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 상에 형성된 절연막;상기 절연막 상에 위치하며, 은(Ag)이 도핑된 산화아연(ZnO) 나노선; 및상기 절연막 상에 서로 이격되어 위치하며, 상기 나노선과 전기적으로 연결된 복수개의 전극들을 포함하는 가스 센서
2 2
제 1항에 있어서, 상기 은(Ag)이 도핑된 산화아연(ZnO) 나노선은, 상기 은(Ag)의 도핑 범위가 0
3 3
제 1항에 있어서,질소산화물(NOx), 탄소산화물(COx), 에탄올(C2H5OH), 벤젠(C6H6), 오존(O3), 염산(HCl), 암모니아(NH3), 불산(HF), 시안화수소(HCN), 황산화물(SOx) 및 휘발성유기화합물(VOC) 중에서 적어도 하나의 가스를 검출하는 것을 특징으로 하는 가스 센서
4 4
기판 상에 절연막을 형성하는 단계;은(Ag)이 도핑된 산화아연(ZnO) 나노선을 합성하는 단계;상기 나노선을 용액에 혼합하는 단계;상기 용액을 상기 절연막 상에 도포하여, 상기 나노선을 상기 절연막 상에 위치시키는 단계; 및상기 나노선과 전기적으로 연결되며, 서로 이격된 복수개의 전극들을 패터닝하여 형성하는 단계를 포함하는 가스 센서의 제조 방법
5 5
제 4항에 있어서, 상기 은(Ag)이 도핑된 산화아연(ZnO) 나노선을 합성하는 단계는,은(Ag)이 도핑된 산화아연(ZnO)을 포함하는 타겟 물질을 나노선 성장 기판과 인접하게 위치시키는 단계;레이저를 인가하여 상기 타겟 물질을 기화시키는 단계; 및상기 나노선 성장 기판 상에 상기 기화된 타겟 물질을 누적하여 상기 나노선을 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 센서의 제조 방법
6 6
제 5항에 있어서, 상기 은(Ag)이 도핑된 산화아연(ZnO) 나노선을 합성하는 단계는,상기 나노선 성장 기판의 표면을 긁어내거나 상기 나노선 성장 기판에 초음파를 인가하여, 상기 나노선 성장 기판으로부터 상기 성장된 나노선을 분리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 센서의 제조 방법
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패밀리정보가 없습니다
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