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하부 산화물층;상기 하부 산화물층 상(on)에 형성되는 금속층; 및상기 금속층 상에 형성되는 상부 산화물층;을 포함하고,상기 하부 산화물층은 기판 상에 배치되며,상기 하부 산화물층은 텅스텐(W) 및 티타늄(Ti)으로 이루어진 합금이 산화되어 형성되고,상기 합금은 총중량을 기준으로 45 ~ 55 wt%의 상기 텅스텐, 및 45 ~ 55 wt%의 상기 티타늄을 함유하며,상기 하부 산화물층의 두께는 30 ~ 50 nm인 다층 투명전극
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청구항 1에 있어서,상기 금속층의 두께는 1 ~ 30 nm인 다층 투명전극
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청구항 1에 있어서,상기 하부 산화물층은 플렉서블(flexible) 기판 상에 형성되는 다층 투명전극
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청구항 1에 있어서,상기 금속층은 Ag, Au, Ti, Ni, Mo, Cu, 및 Al 중 어느 하나 또는 어느 하나의 합금으로 이루어지는 다층 투명전극
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청구항 1에 있어서,상기 상부 산화물층은 Ti-O, Zn-O, Ni-O, Mo-O, V-O, W-O, Mg-O, Si-O, Sn-O, Ta-O, Hf-O, Nb-O, Zr-O, Cu-O, In-O, Al-O, Ni-In-O, Zn-In-O, Cu-In-O, Mo-In-O, Ge-In-O, Si-In-O, Sn-In-O, Mn-In-O, Mg-In-O, Ga-In-O, Al-In-O, B-In-O, V-In-O, In-O-Cl, In-O-F, W-In-O, Ta-In-O, Hf-In-O, Re-In-O, Mg-Sn-O, Ga-Zn-In-O, Sr-V-O, Ca-V-O, 및 Ga-Sn-Zn-In-O 중 적어도 어느 하나 이상으로 이루어지는 다층 투명전극
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(a) 기판 상(on)에 하부 산화물층을 형성하는 단계;(b) 상기 하부 산화물층 상에 금속층을 형성하는 단계; 및(c) 상기 금속층 상에 상부 산화물층을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 하부 산화물층은 텅스텐(W) 및 티타늄(Ti)으로 이루어진 합금이 산화되어 형성되고,상기 합금은 총중량을 기준으로 45 ~ 55 wt%의 상기 텅스텐, 및 45 ~ 55 wt%의 상기 티타늄을 함유하며,상기 하부 산화물층의 두께는 30 ~ 50 nm인 다층 투명전극 제조방법
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청구항 10에 있어서,상기 (a) 단계는상기 텅스텐 및 티타늄으로 이루어진 합금으로 베이스층을 형성하고,산소 분위기 또는 에어 분위기에서 상기 베이스층을 산화하는 다층 투명전극 제조방법
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청구항 10에 있어서,상기 (a) 단계는텅스텐(W) 및 티타늄(Ti)이 함유된 합금으로 베이스층을 형성하고,산소 분위기 또는 에어 분위기에서 상기 베이스층을 산화하는 다층 투명전극 제조방법
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청구항 10에 있어서,상기 금속층의 두께는 1 ~ 30 nm인 다층 투명전극 제조방법
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청구항 10에 있어서,상기 기판은 플렉서블(flexible) 기판인 다층 투명전극 제조방법
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청구항 10에 있어서,상기 금속층은 Ag, Au, Ti, Ni, Mo, Cu, 및 Al 중 적어도 어느 하나 이상으로 이루어지는 다층 투명전극 제조방법
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청구항 10에 있어서,상기 상부 산화물층은 Ti-O, Zn-O, Ni-O, Mo-O, V-O, W-O, Mg-O, Si-O, Sn-O, Ta-O, Hf-O, Nb-O, Zr-O, Cu-O, In-O, Al-O, Ni-In-O, Zn-In-O, Cu-In-O, Mo-In-O, Ge-In-O, Si-In-O, Sn-In-O, Mn-In-O, Mg-In-O, Ga-In-O, Al-In-O, B-In-O, V-In-O, In-O-Cl, In-O-F, W-In-O, Ta-In-O, Hf-In-O, Re-In-O, Mg-Sn-O, Ga-Zn-In-O, Sr-V-O, Ca-V-O, 및 Ga-Sn-Zn-In-O 중 적어도 어느 하나 이상으로 이루어지는 다층 투명전극 제조방법
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