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마이크로 전자 소자 제조용 플랫폼(Platform for fabrication of microelectronic device)

  • 기술번호 : KST2018000241
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 관점에 따르면, 기판으로 사용되는 실리콘 웨이퍼(wafer); 칩(chip) 또는 웨이퍼를 수용할 수 있도록 상기 실리콘 웨이퍼 일면상에 형성된 리세스(recess)를 포함하는, 마이크로 전자 소자 제조용 플랫폼이 제공된다. 이때 상기 리세스(recess)는 식각공정을 통해 상기 실리콘 웨이퍼 일면상의 특정영역을 제거하여 제조한 것일 수 있다.
Int. CL H01L 21/762 (2016.08.06) H01L 21/18 (2016.08.06) H01L 21/04 (2016.08.06)
CPC H01L 21/76205(2013.01) H01L 21/76205(2013.01) H01L 21/76205(2013.01) H01L 21/76205(2013.01)
출원번호/일자 1020160085316 (2016.07.06)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0005360 (2018.01.16) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.07.06)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 임부택 대한민국 대전광역시 서구
2 김종훈 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김남식 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
2 이인행 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
3 김한 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.07.06 수리 (Accepted) 1-1-2016-0652558-79
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.02.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.07.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0103118-21
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.07.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0488998-77
5 심사처리보류(연기)보고서
Report of Deferment (Postponement) of Processing of Examination		 2018.01.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0013337-14
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2018.03.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0195109-66
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판으로 사용되는 실리콘 웨이퍼(wafer);칩(chip) 또는 웨이퍼를 수용할 수 있도록 상기 실리콘 웨이퍼 일면상에 형성된 리세스(recess)를 포함하는, 마이크로 전자 소자 제조용 플랫폼
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 리세스(recess)는 식각공정을 통해 상기 실리콘 웨이퍼 일면상의 특정영역을 제거하여 제조한 것인, 마이크로 전자 소자 제조용 플랫폼
3 3
제 1 항의 마이크로 전자 소자 제조용 플랫폼을 이용한 칩 또는 웨이퍼 프로세싱 방법으로서, 상기 리세스 영역 내부로 칩 도는 웨이퍼를 제공하는 단계; 상기 칩 또는 웨이퍼를 상기 리세스 내부에 고정시키는 단계;상기 칩 또는 웨이퍼에 물리적, 전기적 또는 화학적 처리를 인가하는 단계; 및상기 칩 또는 웨이퍼를 상기 리세스 영역으로부터 분리시키는 단계;를 포함하는, 마이크로 전자 소자 제조용 플랫폼을 이용한 칩 또는 웨이퍼 프로세싱 방법
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 리세스 내부에 고정시키는 단계는,상기 리세스 바닥면과 상기 칩 또는 웨이퍼 사이에 개재된 접착층을 이용하여 수행하는, 마이크로 전자 소자 제조용 플랫폼을 이용한 칩 또는 웨이퍼 프로세싱 방법
5 5
제 3 항에 있어서, 상기 리세스 내부에 고정시키는 단계는,상기 리세스 내부의 칩 또는 웨이퍼를 제외한 나머지 공간을 접착제로 매립함으로써 수행하는, 마이크로 전자 소자 제조용 플랫폼을 이용한 칩 또는 웨이퍼 프로세싱 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 나노종합기술원 선행공정·플랫폼기술연구개발사업 웨이퍼레벨 배선 패키징 플랫폼 개발