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유기 반도체 소자의 제조 방법(Method of manufacturing organic semiconductor device)

  • 기술번호 : KST2018000283
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따르면, 유기 반도체 소자 제조 방법은 기판 상에 제1 유기 반도체층을 형성하되, 상기 제1 유기 반도체층은 그 상면 혹은 벌크 상에 반응기를 갖는 것; 및 상기 제1 유기 반도체층 상에 자기 조립 전구체를 제공하여, 자기 조립 단분자층을 형성하는 것을 포함하되, 상기 자기 조립 단분자층을 형성하는 것은 상기 자기 조립 전구체 및 상기 제1 유기 반도체층의 상기 반응기 사이에 화학적 결합을 형성하는 것을 포함할 수 있다.
Int. CL H01L 51/05 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 51/00 (2006.01.01)
CPC H01L 51/0504(2013.01) H01L 51/0504(2013.01) H01L 51/0504(2013.01) H01L 51/0504(2013.01)
출원번호/일자 1020170079382 (2017.06.22)
출원인 숭실대학교산학협력단, 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-2038124-0000 (2019.10.23)
공개번호/일자 10-2018-0001482 (2018.01.04) 문서열기
공고번호/일자 (20191029) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   PCT/KR2016/014290   |   2016.12.07
대한민국  |   1020160079962   |   2016.06.27
대한민국  |   1020160082390   |   2016.06.30
대한민국  |   PCT/KR2017/000461   |   2017.01.13
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.06.22)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 숭실대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 동작구
2 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김도환 대한민국 경기도 안양시 동안구
2 강문성 대한민국 서울시 종로구
3 황해중 대한민국 서울시 동작구
4 박한울 대한민국 서울시 서초구
5 신지혜 대한민국 서울시 구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김연권 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, ****/****호(문정동, 문정대명벨리온)(시안특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 숭실대학교산학협력단 서울특별시 동작구
2 한양대학교 산학협력단 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.06.22 수리 (Accepted) 1-1-2017-0601832-35
2 보정요구서
Request for Amendment		 2017.07.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0092024-58
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2017.07.18 수리 (Accepted) 1-1-2017-0688271-93
4 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2018.10.12 수리 (Accepted) 1-1-2018-1006525-46
5 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2018.11.21 1-1-2018-1162341-67
6 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2018.11.22 수리 (Accepted) 1-1-2018-1165908-69
7 [반환신청]서류반려요청(반환신청)서
 2018.11.22 수리 (Accepted) 1-1-2018-1164949-52
8 수수료 반환 안내서
Notification of Return of Official Fee		 2018.11.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0182220-79
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2019.02.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0142556-65
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2019.04.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0418036-39
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.04.23 수리 (Accepted) 1-1-2019-0418012-44
12 등록결정서
Decision to grant		 2019.08.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0556499-04
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
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번호 청구항
1 1
기판 상에 제1 유기 반도체층을 형성하되, 상기 제1 유기 반도체층은 그 상면 상에 반응기를 갖는 것; 및 상기 제1 유기 반도체층 상에 자기 조립 전구체를 제공하여, 자기 조립 단분자층을 형성하는 것을 포함하되, 상기 자기 조립 단분자층을 형성하는 것은 상기 자기 조립 전구체 및 상기 제1 유기 반도체층의 상기 반응기 사이에 화학적 결합을 형성하는 것을 포함하고,상기 제1 유기 반도체층을 형성하는 것은 상기 기판 상에 유기 반도체 용액을 도포하는 것을 포함하되, 상기 유기 반도체 용액은 유기 반도체 물질 및 유기 금속 전구체를 포함하며, 상기 유기 금속 전구체는 복수개로 제공되고, 상기 제1 유기 반도체층을 형성하는 것은 상기 유기 금속 전구체들을 서로 반응시켜, 네트워크 구조체를 형성하는 것을 더 포함하는 유기 반도체 소자 제조 방법
2 2
제1 항에 있어서, 상기 자기 조립 단분자층은 그 상면 상에 작용기를 갖고, 상기 자기 조립 단분자층의 상기 작용기는 상기 제1 유기 반도체층의 상기 반응기와 다른 유기 반도체 소자 제조 방법
3 3
제1 항에 있어서, 상기 유기 금속 전구체는 아래의 화학식 1로 표시되는 유기 반도체 소자 제조방법
4 4
삭제
5 5
제3 항에 있어서,상기 기판과 상기 제1 유기 반도체층 사이에 절연층을 형성하는 것을 더 포함하되, 상기 절연층은 그 상면 상에 작용기를 갖고, 상기 제1 유기 반도체층을 형성하는 것은 상기 유기 금속 전구체를 상기 절연층의 상기 작용기와 결합시키는 것을 포함하는 유기 반도체 소자 제조 방법
6 6
제5 항에 있어서,상기 기판과 상기 절연층 사이에 게이트 패턴을 형성하는 것; 및 상기 제1 유기 반도체층 상에 소스/드레인 패턴을 형성하는 것을 더 포함하는 유기 반도체 소자 제조 방법
7 7
제1 항에 있어서,상기 자기 조립 단분자층 상에 절연층을 형성하는 것; 상기 절연층 상에 게이트 패턴을 형성하는 것; 및상기 기판 및 상기 제1 유기 반도체층 사이에 소스/드레인 패턴을 형성하는 것을 더 포함하는 유기 반도체 소자 제조 방법
8 8
제1 항에 있어서,상기 자기 조립 전구체는 아래의 화학식 2로 표시되는 유기 반도체 소자 제조 방법
9 9
제1 항에 있어서, 상기 결합은 실라놀 결합을 포함하는 유기 반도체 소자 제조 방법
10 10
기판 상에 예비 유기 반도체층을 형성하는 것, 상기 예비 유기 반도체층은 유기 반도체 물질 및 유기 금속 전구체들을 포함하고; 및 상기 예비 유기 반도체층 상에 자기 조립 전구체들을 제공하여, 제2 유기 반도체층을 형성하되, 상기 제2 유기 반도체층은 복합체들을 포함하고, 상기 복합체들은 상기 유기 금속 전구체들 및 상기 자기 조립 전구체들의 반응에 의해 형성되고, 상기 복합체들은 상기 제2 유기 반도체층 내에 분산되는 유기 반도체 소자 제조방법
11 11
제10 항에 있어서, 상기 제2 유기 반도체층을 열처리하여, 상기 유기 금속 전구체들을 서로 결합시키는 것을 더 포함하는 유기 반도체 소자 제조 방법
12 12
제10 항에 있어서, 상기 유기 금속 전구체들 각각은 아래의 화학식 1로 표시되는 유기 반도체 소자 제조방법
13 13
제12 항에 있어서, 상기 자기 조립 전구체들 각각은 아래의 화학식 2로 표시되는 유기 반도체 소자 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US20190157573 US 미국 FAMILY
2 WO2018004084 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
3 WO2018004093 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
4 WO2018004219 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
5 WO2018004219 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN109643760 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 US10529937 US 미국 DOCDBFAMILY
3 US2018315938 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.