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코발트 전구체 및 제 1 플라즈마 반응 기체를 교대로 공급하여 기재 상에 코발트-함유 박막을 형성하는 것; 및상기 코발트-함유 박막을 열처리하여 불순물을 제거하는 것을 포함하는, 코발트-함유 박막의 제조 방법
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코발트 전구체, 제 1 플라즈마 반응 기체, 및 제 2 플라즈마 반응 기체를 교대로 공급하여 기재 상에 코발트-함유 박막을 형성하는 것을 포함하는, 코발트-함유 박막의 제조 방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 코발트 전구체는 하기 화학식 1로서 표시되는 화합물을 포함하는 것인, 코발트-함유 박막의 제조 방법:[화학식 1];상기 화학식 1에 있어서,R1 내지 R4는, 각각 독립적으로 C1 내지 C6의 선형 또는 분지형 알킬기, 또는 이들의 이성질체인 알킬기를 포함함
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 코발트 전구체는 Co(dpdab)2, CpCo(CO)2, CoCp2, CCTBA, (2-tert-부틸알릴)코발트 트리카보닐, Co(iPrNCMeNiPr)2, Co2(CO)8, Co(C5H5)(iPrNCMeNiPr), 시클로펜타디에닐 이소프로필 아세트아미디나토-코발트 [Co(CpAMD)], 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 코발트-함유 박막의 제조 방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 제 1 플라즈마 반응 기체는, 질소-함유 기체; 수소(H2) 기체와 질소-함유 기체의 혼합 기체; 또는 비활성 기체와 질소-함유 기체의 혼합 기체를 포함하는 것인, 코발트-함유 박막의 제조 방법
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제 5 항에 있어서,상기 질소-함유 기체는 NH3, N2, N2H4, N2HxMe4-x (x는 3 이하의 정수임), RxNH3-x (R은 C1 내지 C6의 알킬기이고, x는 1 또는 2임), RxN2H4-x (R은 C1 내지 C6의 알킬기이고, x는 3 이하의 정수임), 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 기체를 포함하는 것인, 코발트-함유 박막의 제조 방법
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제 2 항에 있어서,상기 제 2 플라즈마 반응 기체는, 수소-함유 기체; 또는 비활성 기체와 수소-함유 기체의 혼합 기체를 포함하는 것인, 코발트 박막의 제조 방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 코발트-함유 박막을 형성하는 것은 원자층 증착법에 의해 수행되는 것인, 코발트-함유 박막의 제조 방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 코발트-함유 박막을 형성하는 것은 100℃ 내지 300℃의 온도 범위에서 수행되는 것인, 코발트-함유 박막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 열처리는 플라즈마를 이용한 열처리를 포함하는 것인, 코발트-함유 박막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 열처리는 100℃ 내지 700℃의 온도 범위에서 수행되는 것인, 코발트-함유 박막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 열처리는 수소 기체 공급 하에서 수행되는 것인, 코발트-함유 박막의 제조 방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 코발트-함유 박막은 불순물의 함량이 5% 이하인 것을 포함하는, 코발트-함유 박막의 제조 방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 코발트-함유 박막을 추가 열처리하여 실리사이드화 하는 것을 추가 포함하는, 코발트-함유 박막의 제조 방법
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