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금속 나노 와이어를 포함하는 나노 와이어 층;상기 나노 와이어 층 상에 형성되고, 금속을 포함하는 금속 층; 및상기 금속 층 상에 형성되고, 상기 금속 층에 포함되는 금속의 산화물 또는 질화물을 포함하는 산/질화 금속 층을 포함하는 전도성 투명전극
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제1항에 있어서,상기 금속 나노 와이어는 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 금(Au), 백금(Pt), 니켈(Ni), 텅스텐(W), 철(Fe) 또는 이들의 합금을 포함하는 전도성 투명전극
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제1항에 있어서,상기 금속 나노 와이어의 평균 직경은 1 내지 500nm인 전도성 투명전극
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제1항에 있어서,상기 전도성 투명전극 전체 면적에 대하여, 상기 금속 나노 와이어의 점유 면적은 1 내지 50%인 전도성 투명전극
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제1항에 있어서,상기 금속 층에 포함되는 금속은 니켈(Ni), 몰리브덴(Mo), 아연(Zn), 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 금(Au), 백금(Pt), 니켈(Ni), 텅스텐(W), 철(Fe), 티타늄(Ti), 인듐(In), 주석(Sn), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 나트륨(Na) 또는 이들의 합금을 포함하는 전도성 투명전극
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제1항에 있어서,상기 금속 층의 두께는 1 내지 20nm인 전도성 투명전극
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제1항에 있어서,상기 산/질화 금속 층은 두께 방향으로 산소 또는 질소의 농도 구배가 형성되며, 상기 금속 층에서부터 산/질화 금속 층의 표면을 향해 산소 또는 질소의 농도가 높아지는 전도성 투명전극
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제1항에 있어서,상기 산/질화 금속 층의 두께는 1 내지 100nm인 전도성 투명전극
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기판을 준비하는 단계;상기 기판 상에 금속 나노 와이어를 코팅하여 나노 와이어 층을 형성하는 단계;상기 나노 와이어 층 상에 금속을 적층하여 금속 층을 형성하는 단계; 및상기 금속 층 상에 산화 금속 또는 질화 금속을 적층하여 산/질화 금속 층을 형성하는 단계를 포함하는 전도성 투명전극 제조 방법
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기판을 준비하는 단계;상기 기판 상에 금속 나노 와이어를 코팅하여 나노 와이어 층을 형성하는 단계;상기 나노 와이어 층 상에 금속을 적층하는 단계;상기 금속의 일부를 산화 또는 질화시켜, 금속 층 및 산/질화 금속 층을 형성하는 단계;를 포함하는 전도성 투명전극 제조 방법
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제9항 또는 제10항에 있어서,상기 나노 와이어 층을 형성하는 단계에서, 상기 금속 나노 와이어는 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 금(Au), 백금(Pt), 니켈(Ni), 텅스텐(W), 철(Fe) 또는 이들의 합금을 포함하는 전도성 투명전극 제조 방법
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제9항 또는 제10항에 있어서,상기 나노 와이어 층을 형성하는 단계에서, 상기 금속 나노 와이어의 평균 직경은 1 내지 500nm인 전도성 투명전극 제조 방법
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제9항 또는 제10항에 있어서,상기 나노 와이어 층을 형성하는 단계에서, 상기 기판의 전체 면적에 대하여, 상기 금속 나노 와이어의 점유 면적은 1 내지 50%가 되도록 금속 나노 와이어를 코팅하는 전도성 투명전극 제조 방법
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14
제9항에 있어서,상기 금속 층을 형성하는 단계에서, 상기 금속은 니켈(Ni), 몰리브덴(Mo), 아연(Zn), 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 금(Au), 백금(Pt), 니켈(Ni), 텅스텐(W), 철(Fe), 티타늄(Ti), 인듐(In), 주석(Sn), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 나트륨(Na) 또는 이들의 합금을 포함하는 전도성 투명전극 제조 방법
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제10항에 있어서,상기 금속을 적층하는 단계에서, 상기 금속은 니켈(Ni), 몰리브덴(Mo), 아연(Zn), 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 금(Au), 백금(Pt), 니켈(Ni), 텅스텐(W), 철(Fe), 티타늄(Ti), 인듐(In), 주석(Sn), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 나트륨(Na)또는 이들의 합금을 포함하는 전도성 투명전극 제조 방법
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