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비스-암모늄 화합물 및 디아민 화합물을 포함하는 도금용 평탄제 및 이를 이용한 구리 도금 방법(Leveler for plating comprising bis-ammonium and diamine compounds and copper plating method using the same)

  • 기술번호 : KST2018001600
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 화학식 1로 표시되는 비스-암모늄(bis-ammonium) 화합물을 1종 이상 및 화학식 2로 표시되는 디아민(diamine) 화합물을 1종 이상 포함하는 도금용 평탄제 및 구리도금 방법에 관한 것이다.
Int. CL C25D 3/38 (2006.01.01) C25D 7/12 (2006.01.01) C07C 211/63 (2006.01.01) C07C 211/50 (2006.01.01) C07C 211/09 (2006.01.01)
CPC C25D 3/38(2013.01) C25D 3/38(2013.01) C25D 3/38(2013.01) C25D 3/38(2013.01) C25D 3/38(2013.01)
출원번호/일자 1020160097437 (2016.07.29)
출원인 삼성전기주식회사, 서울대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0014375 (2018.02.08) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전기주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유현삼 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 한양수 대한민국 경기도 수원시 영통구
3 김태훈 대한민국 경기도 수원시 영통구
4 정광옥 대한민국 경기도 수원시 영통구
5 김영규 대한민국 경기도 군포시 산
6 김재정 대한민국 서울특별시 서초구
7 서영란 대한민국 경기도 수원시 영통구
8 김명준 대한민국 대구광역시 수성구
9 이윤재 대한민국 서울특별시 강남구
10 오정환 대한민국 경기도 안양시 동안구
11 김회철 대한민국 서울특별시 관악구
12 이명현 대한민국 경기도 광주시 삼지

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인씨엔에스 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, 대림아크로텔 *층(도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.07.29 수리 (Accepted) 1-1-2016-0742897-75
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2016.11.09 수리 (Accepted) 1-1-2016-1096119-86
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
6 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2019.08.09 수리 (Accepted) 1-1-2019-0819557-54
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5200786-38
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하기 화학식 1로 표시되는 비스-암모늄(bis-ammonium) 화합물을 1종 이상 및 하기 화학식 2로 표시되는 디아민(diamine) 화합물을 1종 이상 포함하는 도금용 평탄제
2 2
제1항에 있어서, 상기 화학식 1에서 R1, R2, R3는 C1~C7의 메틸(methyl), 에틸(ethyl), 프로필(propyl), 이소프로필(iso-propyl), 부틸(butyl), 이소부틸(iso-butyl), 및 C1~C7의 3차 부틸(tert-butyl)에서 선택되는 비스-암모늄(bis-ammonium) 화합물을 포함하는 도금용 평탄제
3 3
제1항에 있어서, 상기 화학식 2에서 n은 1 내지 6이고, 상기 선형, 원형의 포화 탄화수소 사슬, 또는 불포화 탄화수소 사슬은 메테인(methane), 에테인(ethane), 프로페인(propane), 뷰테인(butane), 펜테인(pentane), 헥세인(hexane), 사이클로헥세인(cyclohexane) 및 페닐렌(phenylene)에서 선택되는 디아민(diamine) 화합물을 포함하는 도금용 평탄제
4 4
제1항에 있어서, 상기 X-는 요오드화 이온 (I-), 브롬화 이온(Br-), 염화 이온(Cl-), 플로오르화 이온(F-), 요오드산 이온(IO3-), 염소산 이온(ClO3-), 과염소산 이온(ClO4-), 브롬산 이온(BrO3-), 질산 이온(NO3-), 아질산 이온(NO2-), 헥사플루오르화인산 이온(PF6-), 사불화붕산 이온(BF4-), 황산 이온(HSO4-), 및 메틸황산 이온(CH3SO4-)에서 선택되는 도금용 평탄제
5 5
제1항에 있어서, 화학식 3으로 표시되는 비스-암모늄(bis-ammonium) 화합물 1종 이상 및 화학식 4 또는 화학식 5로 표시되는 디아민(diamine) 화합물 1종 이상을 포함하는 도금용 평탄제
6 6
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 평탄제를 포함하는 구리 도금액
7 7
제6항에 있어서, 상기 비스-암모늄 화합물의 농도는 0
8 8
제6항에 있어서, 비스-암모늄(bis-ammonium) 화합물에 대한 디아민(diamine) 화합물의 농도의 비는 1:0
9 9
제6항에 있어서, 상기 구리 도금액은 탈이온수(deionized water), 구리이온 화합물, 지지전해질 염소이온, 가속제 및 억제제에서 선택되는 1종 이상을 더 포함하는 구리 도금액
10 10
제9항에 있어서, 상기 구리이온 화합물은 0
11 11
제9항에 있어서, 상기 지지전해질은 0
12 12
제9항에 있어서, 상기 염소 이온은 0
13 13
제9항에 있어서, 상기 가속제는 1 내지 200 μM의 농도를 갖고, 상기 가속제는 비스(3-설포프로필)디설파이드(bis(3-sulfopropyl)disulfide disodium salt; SPS), 3-메르캅토프로판설포닉 산(3-mercaptopropanesulfonic acid; MPSA), 및 3-N,N-디메틸아미노디티오카르바모일-1-프로판설포네이트(3-3N,N-dimethylaminodithiocarbamoyl-1-propanesulfonate; DPS)에서 1종 이상 선택되는 구리 도금액
14 14
제9항에 있어서,상기 억제제는 700 내지 10000 Da(dalton)인 분자량을 갖고, 상기 억제제는 폴리에틸렌글리콜(polyethylene glycol; PEG), 폴리프로필렌글리콜(polypropylene glycol; PPG), 폴리옥시에틸렌글리콜(polyoxyethylene glycol), 폴리에틸렌이민(polyethylene imine) 및 이의 공중합체에서 1 종 이상 선택되는 구리 도금액
15 15
제6항에 기재된 구리 도금액으로 도금하는 구리 도금 방법
16 16
제15항에 있어서,비아 홀(via hole)이 형성된 기판을 전처리하는 단계; 및상기 전처리된 기판을 제6항에 기재된 구리 도금액으로 도금하여 비아(via)를 형성하는 단계를 포함하는 구리 도금 방법
17 17
제16항에 있어서, 상기 기판은 실리콘 기판이고, 상기 비아(via)는 실리콘 관통전극(Through Silicon Via, TSV)인 구리 도금 방법
18 18
제16항에 있어서, 상기 비아 홀(via hole)이 형성된 기판은 도금 이전에 전극 부위 박리 단계 또는 세정 단계를 더 포함하는 구리 도금 방법
19 19
제16항에 있어서, 상기 비아 홀은 깊이 80 ㎛ 이상 200 ㎛ 이하이고, 입경이 100 ㎛ 이상 150㎛ 이하이고, 하부 직경이 50 ㎛ 이상 200 ㎛ 이하인 구리 도금 방법
20 20
제16항에 있어서,상기 비아는 종횡비(aspect ratio)가 1:1 이상인 구리 도금 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.