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하기 화학식 1로 표시되는 비스-암모늄(bis-ammonium) 화합물을 1종 이상 및 하기 화학식 2로 표시되는 디아민(diamine) 화합물을 1종 이상 포함하는 도금용 평탄제
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2 |
2
제1항에 있어서, 상기 화학식 1에서 R1, R2, R3는 C1~C7의 메틸(methyl), 에틸(ethyl), 프로필(propyl), 이소프로필(iso-propyl), 부틸(butyl), 이소부틸(iso-butyl), 및 C1~C7의 3차 부틸(tert-butyl)에서 선택되는 비스-암모늄(bis-ammonium) 화합물을 포함하는 도금용 평탄제
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3 |
3
제1항에 있어서, 상기 화학식 2에서 n은 1 내지 6이고, 상기 선형, 원형의 포화 탄화수소 사슬, 또는 불포화 탄화수소 사슬은 메테인(methane), 에테인(ethane), 프로페인(propane), 뷰테인(butane), 펜테인(pentane), 헥세인(hexane), 사이클로헥세인(cyclohexane) 및 페닐렌(phenylene)에서 선택되는 디아민(diamine) 화합물을 포함하는 도금용 평탄제
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4 |
4
제1항에 있어서, 상기 X-는 요오드화 이온 (I-), 브롬화 이온(Br-), 염화 이온(Cl-), 플로오르화 이온(F-), 요오드산 이온(IO3-), 염소산 이온(ClO3-), 과염소산 이온(ClO4-), 브롬산 이온(BrO3-), 질산 이온(NO3-), 아질산 이온(NO2-), 헥사플루오르화인산 이온(PF6-), 사불화붕산 이온(BF4-), 황산 이온(HSO4-), 및 메틸황산 이온(CH3SO4-)에서 선택되는 도금용 평탄제
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5 |
5
제1항에 있어서, 화학식 3으로 표시되는 비스-암모늄(bis-ammonium) 화합물 1종 이상 및 화학식 4 또는 화학식 5로 표시되는 디아민(diamine) 화합물 1종 이상을 포함하는 도금용 평탄제
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6 |
6
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 평탄제를 포함하는 구리 도금액
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7 |
7
제6항에 있어서, 상기 비스-암모늄 화합물의 농도는 0
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8
제6항에 있어서, 비스-암모늄(bis-ammonium) 화합물에 대한 디아민(diamine) 화합물의 농도의 비는 1:0
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9 |
9
제6항에 있어서, 상기 구리 도금액은 탈이온수(deionized water), 구리이온 화합물, 지지전해질 염소이온, 가속제 및 억제제에서 선택되는 1종 이상을 더 포함하는 구리 도금액
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10
제9항에 있어서, 상기 구리이온 화합물은 0
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11
제9항에 있어서, 상기 지지전해질은 0
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12
제9항에 있어서, 상기 염소 이온은 0
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13
제9항에 있어서, 상기 가속제는 1 내지 200 μM의 농도를 갖고, 상기 가속제는 비스(3-설포프로필)디설파이드(bis(3-sulfopropyl)disulfide disodium salt; SPS), 3-메르캅토프로판설포닉 산(3-mercaptopropanesulfonic acid; MPSA), 및 3-N,N-디메틸아미노디티오카르바모일-1-프로판설포네이트(3-3N,N-dimethylaminodithiocarbamoyl-1-propanesulfonate; DPS)에서 1종 이상 선택되는 구리 도금액
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14
제9항에 있어서,상기 억제제는 700 내지 10000 Da(dalton)인 분자량을 갖고, 상기 억제제는 폴리에틸렌글리콜(polyethylene glycol; PEG), 폴리프로필렌글리콜(polypropylene glycol; PPG), 폴리옥시에틸렌글리콜(polyoxyethylene glycol), 폴리에틸렌이민(polyethylene imine) 및 이의 공중합체에서 1 종 이상 선택되는 구리 도금액
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15
제6항에 기재된 구리 도금액으로 도금하는 구리 도금 방법
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제15항에 있어서,비아 홀(via hole)이 형성된 기판을 전처리하는 단계; 및상기 전처리된 기판을 제6항에 기재된 구리 도금액으로 도금하여 비아(via)를 형성하는 단계를 포함하는 구리 도금 방법
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17
제16항에 있어서, 상기 기판은 실리콘 기판이고, 상기 비아(via)는 실리콘 관통전극(Through Silicon Via, TSV)인 구리 도금 방법
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18
제16항에 있어서, 상기 비아 홀(via hole)이 형성된 기판은 도금 이전에 전극 부위 박리 단계 또는 세정 단계를 더 포함하는 구리 도금 방법
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제16항에 있어서, 상기 비아 홀은 깊이 80 ㎛ 이상 200 ㎛ 이하이고, 입경이 100 ㎛ 이상 150㎛ 이하이고, 하부 직경이 50 ㎛ 이상 200 ㎛ 이하인 구리 도금 방법
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제16항에 있어서,상기 비아는 종횡비(aspect ratio)가 1:1 이상인 구리 도금 방법
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