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첨가제를 이용한 초등각 구리 전해도금 방법

  • 기술번호 : KST2015160779
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 구리배선을 위한 구리 전해도금 방법에 있어서, 폴리에틸렌글리콜(PEG), 염화나트륨(NaCl), N,N-디메틸 디티오카르바믹 산(3-설포프로필)에스테르(N,N-Dimethyl dithiocarbamic acid(3-sulfopropyl)ester)(DPS), 황산구리, 및 황산으로 이루어지는 구리 전해도금 용액을 사용하고, 여러 단계의 도금을 실시하여 초등각 전착(superconformal deposition)을 시킬 수 있는 구리 전해도금 방법에 관한 것이며, 반도체 배선에 결함이 없는 구리막을 제조할 수 있는 효과가 있다. 구리 전해도금, 반도체 배선, DPS, 구리 전착, 초등각 전착
Int. CL C25D 3/38 (2006.01.01) H01L 21/288 (2006.01.01) C25D 7/12 (2006.01.01)
CPC C25D 3/38(2013.01) C25D 3/38(2013.01) C25D 3/38(2013.01)
출원번호/일자 1020040106240 (2004.12.15)
출원인 주식회사 엘지화학, 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자 10-0727213-0000 (2007.06.04)
공개번호/일자 10-2006-0067455 (2006.06.20) 문서열기
공고번호/일자 (20070613) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.12.28)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 대한민국 서울특별시 영등포구
2 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김재정 대한민국 서울 관악구
2 조성기 대한민국 경기 구리시
3 김수길 대한민국 서울 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 조인제 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길**, *층(역삼동)(특허법인뉴코리아)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 대한민국 서울특별시 영등포구
2 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2004.12.15 수리 (Accepted) 1-1-2004-0591313-11
2 출원심사청구서
Request for Examination
2005.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2005-0773806-77
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2006.08.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2006.08.25 수리 (Accepted) 4-1-2006-0019818-11
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2006.09.14 수리 (Accepted) 9-1-2006-0056819-85
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2006.11.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0683211-69
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2007.01.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0029673-64
8 의견서
Written Opinion
2007.01.11 수리 (Accepted) 1-1-2007-0029657-33
9 등록결정서
Decision to grant
2007.05.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0243608-17
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2008-5015497-73
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5000389-31
13 출원인정보변경(경정)신고서
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2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.12.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5161532-51
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.11.12 수리 (Accepted) 4-1-2018-5227604-80
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.19 수리 (Accepted) 4-1-2018-5261818-30
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164284-96
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 구리배선을 위한 구리 전해도금 용액에 있어서, 폴리에틸렌글리콜(PEG), 염화나트륨(NaCl), 및 N,N-디메틸 디티오카르바믹 산(3-설포프로필)에스테르(N,N-Dimethyl dithiocarbamic acid(3-sulfopropyl)ester)(DPS), 황산구리 및 황산으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 구리 전해도금 용액
2 2
반도체 구리배선을 위한 구리 전해도금에 있어서,(i) 황산구리 및 황산으로 이루어지는 기본 용액에 PEG, NaCl, DPS를 첨가한 구리 전해도금용액 내에서 70 ∼ 130초 동안 1 단계 전착을 수행하는 단계;(ii) 증착된 시편을 초순수에 최대 3 초 동안 담근 후에 N2 스트림(stream)을 이용하여 표면의 물기를 제거하는 단계;(iii) 상기 기본 용액에 PEG와 NaCl이 첨가된 용액에서, 준비된 시편을 300 ∼ 400초 동안 2 단계 전착을 수행하는 단계; 및(iv) 시편을 초순수와 N2 스트림(stream)을 이용하여 세척하는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 구리 전해도금 방법
3 3
제2항에 있어서,상기 PEG의 농도는 90 ∼ 170μM 이며, 상기 NaCl의 농도는 0
4 4
반도체 구리배선을 위한 구리 전해도금에 있어서,(i) 초순수에 DPS를 첨가한 후 시편을 70 ∼ 130초 동안 담금으로써 표면을 개질하는 단계;(ii) 시편을 세척하지 않은 채, PEG와 NaCl이 첨가된 기본 용액에서 500 ∼ 600 초간 전착을 수행하는 단계; 및(iii) 시편을 초순수와 N2 스트림(stream)을 이용하여 세척하는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 구리 전해도금 방법
5 5
제4항에 있어서,상기 DPS의 농도는 50 ∼ 150μM 이며, 상기 PEG의 농도는 90 ∼ 170μM이며, NaCl의 농도는 0
6 5
제4항에 있어서,상기 DPS의 농도는 50 ∼ 150μM 이며, 상기 PEG의 농도는 90 ∼ 170μM이며, NaCl의 농도는 0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.