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SnO2, ZnO, WO3 및 NiO로 이루어진 군으로부터 선택된 산화물 반도체의 나노구조체; 및상기 나노구조체에 담지된 CeO2 첨가제를 포함하는 가스 검출용 복합체
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제1항에 있어서,상기 나노구조체는 중공구조 또는 난황구조를 갖는 나노구조체인 것을 특징으로 하는 가스 검출용 복합체
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제1항에 있어서,상기 CeO2 첨가제는 상기 나노구조체의 표면에 도포된 것을 특징으로 하는 가스 검출용 복합체
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제1항에 있어서,상기 CeO2 첨가제는 상기 가스 센서 총중량을 기준으로 3 중량% 내지 30 중량%의 함량으로 담지된 것을 특징으로 하는 가스 검출용 복합체
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제1항에 있어서,상기 가스는 아세톤, 포름알데히드, 에탄올, 일산화탄소 및 그 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 환원성 가스인 것을 특징으로 하는 가스 검출용 복합체
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a) Sn 염, Zn 염, W 염 및 Ni 염으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 염; Ce 염; 및 유기산 또는 당을 포함하는 용액을 제조하는 단계;b) 상기 용액을 분무열분해 장치를 통해서 분사하여 분무열분해 반응을 수행하는 단계; 및c) 상기 분무열분해 반응 결과물로서 미분말을 수득하는 단계를 포함하는 가스 검출용 복합체의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 Sn 염은 SnC2O4, SnCl4·xH2O (x는 2 또는 5), Sn(CH3COO)4 및 그 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 것이며; 상기 Zn 염은 Zn(NO3)2·6H2O, ZnCl2, Zn(CH3COO)2·2H2O 및 그 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 것이고; 상기 W 염은 WO3, (NH4)10H2(W2O7)6 및 그 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 것이며; 상기 Ni 염은 Ni(NO3)2·6H2O, NiCl2·6H2O, Ni(CH3COO)2·4H2O 및 그 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 것이고; 상기 Ce 염은 Ce(NO3)3·6H2O, Ce(SO4)24H2O, CeCl34H2O 및 그 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 것이며; 상기 유기산은 시트르산, 에틸렌글리콜 및 그 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 것이고; 상기 당은 수크로오스, 글루코오스 및 그 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 가스 검출용 복합체의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 b) 단계의 상기 분무열분해 반응은 상기 용액을 2 L/m 내지 50 L/m의 분사 속도로, 600 ℃ 내지 1100 ℃로 가열된 전기로 내부로 분사시킴으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 가스 검출용 복합체의 제조방법
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a) Sn 염, Zn 염, W 염 및 Ni 염으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 염을 용매 중에 분산시킨 분산액을 제조하는 단계;b) 상기 분산액에 Ce 염을 첨가하고 환원시키는 단계; 및c) 상기 환원 결과물로서 미분말을 수득하는 단계를 포함하는 가스 검출용 복합체의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 Sn 염은 SnC2O4, SnCl4·xH2O (x는 2 또는 5), Sn(CH3COO)4 및 그 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 것이며; 상기 Zn 염은 Zn(NO3)2·6H2O, ZnCl2, Zn(CH3COO)2·2H2O 및 그 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 것이고; 상기 W 염은 WO3, (NH4)10H2(W2O7)6 및 그 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 것이며; 상기 Ni 염은 Ni(NO3)2·6H2O, NiCl2·6H2O, Ni(CH3COO)2·4H2O 및 그 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 것이고; 상기 Ce 염은 Ce(NO3)3·6H2O, Ce(SO4)24H2O, CeCl34H2O 및 그 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 가스 검출용 복합체의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 b) 단계의 환원 반응은 환원제로서 NaBH4, 히드라진 및 그 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 물질을 첨가해줌으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 가스 검출용 복합체의 제조방법
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제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 따른 가스 검출용 복합체를 가스 감응층으로 포함하는 가스 검출용 가스 센서
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제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 따른 가스 검출용 복합체 및 바인더를 포함하는 용액을 제조하는 단계; 및상기 용액을 기판 상에 코팅, 건조 및 열처리하는 단계를 포함하는 가스 센서의 제조방법
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제13항에 있어서, 상기 코팅은 드롭-코팅 공정에 의해서 수행되며, 상기 건조는 70 ℃ 내지 120 ℃에서 12 시간 내지 24 시간 동안 수행되고, 상기 열처리는 500 ℃ 내지 900 ℃에서 1 시간 내지 6 시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 가스 센서의 제조방법
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