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기판을 준비하는 단계;상기 기판의 상부에, 1nm 내지 200nm 두께의 Ti층 상부에 10nm 내지 1000nm 두께의 Pt층이 증착되어 있는 하부 금속층을 형성하는 단계;상기 하부 금속층의 Pt층의 상부에 레이저 펄스 가열 증착으로 BSTO층을 형성하는 단계; 및 상기 BSTO층의 상부에, 10nm 내지 1000nm의 Pt 층인 상부 금속층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 레이저 펄스 가열 증착의 레이저 펄스의 출력은 0
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제 1 항에 있어서,상기 기판은 유리, 산화규소, 질화규소 및 알루미나 중에서 선택되는 재료로 이루어진 것을 특징으로 하는 BSTO 유전체를 갖는 축전지의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 기판은 사파이어층의 상부에 (0001)면의 GaN층이 증착되어 있는 것을 특징으로 하는 BSTO 유전체를 갖는 축전지의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 하부 금속층의 Pt층의 두께는 200nm 이고, 상기 Ti층의 두께는 50nm 인 것을 특징으로 하는 BSTO 유전체를 갖는 축전지의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 상부 금속층의 Pt 층의 두께는 100nm 인 것을 특징으로 하는 BSTO 유전체를 갖는 축전지의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 레이저 펄스 가열 증착의 레이저 펄스의 출력은 1
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제 11 항에 있어서,상기 레이저 펄스 가열 증착시 진공 분압은 1x10-1 Torr 인 것을 특징으로 하는 BSTO 유전체를 갖는 축전지의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 레이저 펄스 가열 증착은 550℃ 내지 750℃에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 BSTO 유전체를 갖는 축전지의 제조 방법
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제 13 항에 있어서,상기 레이저 펄스 가열 증착은 700℃에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 BSTO 유전체를 갖는 축전지의 제조 방법
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제 14 항에 있어서,상기 BSTO층의 유전 상수는 800 이상인 것을 특징으로 하는 BSTO 유전체를 갖는 축전지의 제조 방법
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