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제 1전극, 유전층, 유기 반도체층 및 제 2전극이 순차적으로 적층된 유기 반도체 소자로서,기판 상에 형성되며, 일면에 나노패턴이 형성된 상기 제 2전극;상기 제 2전극 상에 형성된 상기 유기 반도체층;상기 유기 반도체층 상에 형성된 상기 유전층;상기 유전층 상에 형성된 상기 제 1전극을 포함하며,상기 유기 반도체층과 접촉하는 제 2전극의 일면은 음각 및 양각의 패턴이 교대로 새겨진 나노 구조물로, 상기 제 2전극의 음각 및 양각의 패턴은 10 내지 200 nm의 간격으로 교대로 이루어지고, 상기 제 2전극의 양각 패턴의 높이는 10 내지 200 nm인 것으로서, 전자가 상기 음각 및 양각의 패턴을 인식하지 못하여 전자의 이동이 용이해지고, 표면 저항을 감소시켜 상기 유기 반도체 소자의 효율을 향상시키는 것을 특징으로 하는 유기 반도체 소자
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청구항 1에 있어서, 제 1전극은 산화인듐주석, 산화인듐아연, 산화인듐주석아연, 산화알루미늄아연, 산화갈륨아연, 알루미늄, n 도핑된 실리콘 및 Au-Si로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 반도체 소자
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청구항 1에 있어서, 상기 유전층은 파릴렌, 에폭시, 폴리이미드, 폴리아미드, 폴리비닐클로라이드, 벤조사이클로부텐, 폴리비닐알코올, 폴리비닐페놀, 사이클로펜텐 및 산화규소로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 반도체 소자
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청구항 1에 있어서, 상기 유기 반도체층은 펜타센, 팁스-펜타센, 테트라센, 안트라센, 나프탈렌, 알파-6-티오펜, 알파-4-티오펜, 페릴렌, 루브렌, 코로넨, 페릴렌테트라카르복실릭디안하이드라이드, 페릴렌테트라카르복실릭디이미드, 폴리티오펜, 폴리파라페닐렌비닐렌, 폴리파라페닐렌, 폴리플로렌 및 폴리티오펜비닐렌으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 반도체 소자
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청구항 1에 있어서, 상기 제 2전극은 금, 은, 백금, 크롬, 티타늄, 구리, 알루미늄, 탄탈륨, 몰리브덴, 텅스텐, 니켈 및 팔라듐으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 반도체 소자
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삭제
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청구항 1에 있어서, 상기 유기 반도체 소자는 유기 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 유기 반도체 소자
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(1)기판 상에 제 1전극을 형성하는 단계;(2)상기 제 1전극 상부에 유전층을 형성하는 단계;(3)상기 유전층 상부에 유기 반도체막을 형성하는 단계; 및(4)상기 유기 반도체막 상부에 제 2전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기 반도체 소자 제조방법으로,상기 유기 반도체 소자는 상기 청구항 1 내지 5 및 8항 중 어느 한 항의 유기반도체 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 반도체 소자 제조방법
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