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제1 전극;제1 전극 상에 유기 반도체층;상기 유기 반도체층 상에 유전층; 및 상기 유전층 상에 제2 전극을 포함하는 유기 반도체 소자로,상기 유기 반도체층과 접촉하는 제1 전극의 일면은 유기 반도체층과 공유결합하는 리간드를 갖는 화합물로 표면처리된 것이고,상기 유기 반도체층과 공유결합하는 리간드를 갖는 화합물은 (3-머캅토프로필)트리메톡시실란이며, 상기 유기 반도체층은 팁스-펜타센인 것을 특징으로 하는 유기 반도체 소자
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청구항 1에 있어서, 상기 제1 전극은 금, 은, 백금, 크롬, 티타늄, 구리, 알루미늄, 탄탈륨, 몰리브덴, 텅스텐, 니켈, 팔라듐, 산화인듐주석, 산화인듐아연, 산화인듐주석아연, 산화알루미늄아연, 산화갈륨아연, n 도핑된 실리콘 및 Au-Si로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 반도체 소자
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청구항 1에 있어서, 상기 유전층은 플로오로폴리머(CYTOP), 파릴렌, 에폭시, 폴리이미드, 폴리아미드, 폴리비닐클로라이드, 벤조사이클로부텐, 폴리비닐알코올, 폴리비닐페놀, 사이클로펜텐 및 산화규소로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 반도체 소자
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청구항 1에 있어서, 상기 제2 전극은 금, 은, 백금, 크롬, 티타늄, 구리, 알루미늄, 탄탈륨, 몰리브덴, 텅스텐, 니켈 및 팔라듐으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 반도체 소자
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청구항 1에 있어서, 상기 유기 반도체 소자는 유기 이중층 다이오드, 유기 트랜지스터, 유기발광소자, 유기태양전지 또는 유기메모리소자인 것을 특징으로 하는 유기 반도체 소자
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청구항 1에 있어서, 상기 제1 전극은 금, 상기 유기 반도체층은 팁스-펜타센, 상기 유전층은 플로오로폴리머(CYTOP), 제2 전극은 알루미늄, 상기 유기 반도체층과 공유결합하는 리간드를 갖는 화합물은 (3-머캅토프로필)트리메톡시실란을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 반도체 소자
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(1) 제1 전극을 형성하는 단계;(2) 상기 제1 전극의 일면에 유기 반도체층과 공유결합하는 리간드를 갖는 화합물로 처리하여 표면처리된 제1 전극을 형성하는 단계;(3) 상기 표면처리된 제1 전극 상에 유기 반도체층을 형성하는 단계;(4) 상기 유기 반도체층 상에 유전층을 형성하는 단계; 및(5) 상기 유전층 상에 제 2전극을 형성하는 단계를 포함하며,상기 유기 반도체층과 공유결합하는 리간드를 갖는 화합물은 (3-머캅토프로필)트리메톡시실란이며, 상기 유기 반도체층은 팁스-펜타센인 것을 특징으로 하는 유기 반도체 소자 제조방법
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