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m×n 서브 픽셀들, m 및 n은 각기 양의 정수임; 및상기 서브 픽셀들을 구동시키는 드라이버를 포함하되,한 열에 배열된 서브 픽셀들의 터치/지문인식 전극들이 하나의 센싱 라인을 공유하고,상기 센싱 라인을 공유하는 서브 픽셀들 중 적어도 하나는 지문 인식 과정시 턴-온되는 스위칭 트랜지스터를 포함하며,상기 터치/지문인식 전극들을 구동하기 위한 신호를 상기 터치/지문인식 전극들로 전송하기 위한 스캔 라인이 형성되고, 상기 스위칭 트랜지스터는 상기 스캔 라인에 전기적으로 연결되며, 지문 인식시 상기 터치/지문인식 전극들을 구동하기 위한 신호는 상기 스캔 라인 및 상기 스위칭 트랜지스터를 통하여 상기 터치/지문인식 전극들로 전송되고, 상기 스위칭 트랜지스터의 일단은 해당 서브 픽셀에 포함되는 액정과 저장 캐패시터 사이의 노드에 연결되고, 상기 스위칭 트랜지스터의 타단은 스캔 라인에 연결되는 것을 특징으로 하는 자기 정전 용량 방식 터치 패널
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제1항에 있어서, 상기 서브 픽셀의 터치/지문인식 전극은 지문 인식이 가능한 지문 인식 센서이며, 상기 터치 패널은 터치 지점 검출 및 상기 지문 인식을 통한 지문 정보의 획득이 가능한 것을 특징으로 하는 자기 정전 용량 방식 터치 패널
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제1항에 있어서, 상기 스캔 라인과 상기 센싱 라인은 수직하게 배열되는 것을 특징으로 하는 자기 정전 용량 방식 터치 패널
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제3항에 있어서, 상기 스위칭 트랜지스터, 상기 스캔 라인 및 상기 센싱 라인은 블랙 매트릭스(Black Matrix, BM) 영역에 배치되는 것을 특징으로 하는 자기 정전 용량 방식 터치 패널
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제1항에 있어서, 상기 센싱 라인을 통하여 상기 터치/지문인식 전극들의 셀프 캐패시턴스 또는 상호 캐패시턴스를 감지하는 리드 아웃 회로; 및상기 감지된 셀프 캐패시턴스 또는 상호 캐패시턴스를 통하여 터치 지점을 검출하거나 지문 정보를 획득하는 터치 검출 프로세서를 더 포함하되,상기 리드 아웃 회로는 해당 서브 픽셀에 연결된 스캔 라인을 통하여 상기 서브 픽셀로 신호를 인가하며 상기 스캔 라인과 전하 증폭기 사이의 연결을 스위칭하는 센싱 스위치를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 정전 용량 방식 터치 패널
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제5항에 있어서, 상기 터치 전극들은 복수의 스캔 라인들을 통하여 상기 리드 아웃 회로에 연결되고 복수의 센싱 라인들이 상기 리드 아웃 회로로 연결되되,상기 터치 지점 검출시, 상기 리드 아웃 회로는 상기 스캔 라인들에 동시에 신호를 인가하고 상기 센싱 라인들과 해당 전하 증폭기들 사이의 센싱 스위치들을 동시에 온시킨 후 상기 센싱 라인들을 통하여 상기 터치/지문인식 전극들의 셀프 캐패시턴스 또는 상호 캐패시턴스를 감지하며, 상기 터치 검출 프로세서는 상기 감지된 셀프 캐패시턴스 또는 상호 캐패시턴스를 통하여 상기 터치 지점을 검출하는 것을 특징으로 하는 자기 정전 용량 방식 터치 패널
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각기 복수의 서브 픽셀들을 가지는 픽셀들; 및상기 픽셀들을 구동시키는 드라이버를 포함하되,한 열에 배열된 상기 픽셀들로 구성된 터치/지문인식 전극들은 하나의 센싱 라인을 공유하고,상기 센싱 라인을 공유하기 위하여 사용되는 서브 픽셀은 지문 인식시 온되는 스위칭 트랜지스터를 포함하며, 상기 터치/지문인식 전극들을 구동하기 위한 신호를 상기 터치/지문인식 전극들로 전송하기 위한 스캔 라인이 형성되고, 상기 스위칭 트랜지스터는 상기 스캔 라인에 전기적으로 연결되며, 지문 인식시 상기 터치/지문인식 전극들을 구동하기 위한 신호는 상기 스캔 라인 및 상기 스위칭 트랜지스터를 통하여 상기 터치/지문인식 전극들로 전송되고,상기 스위칭 트랜지스터의 일단은 상기 서브 픽셀에 포함되는 액정과 저장 캐패시터 사이의 노드에 연결되며 상기 스위칭 트랜지스터의 타단은 해당 스캔 라인에 연결되는 것을 특징으로 하는 자기 정전 용량 방식 터치 패널
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8
제7항에 있어서, 상기 픽셀 내의 서브 픽셀들 중 하나만이 상기 센싱 라인을 공유하기 위하여 사용되는 것을 특징으로 하는 자기 정전 용량 방식 터치 패널
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각기 픽셀들을 가지는 픽셀 어레이들; 및상기 픽셀들을 구동시키는 드라이버를 포함하되,상기 픽셀들은 각기 적어도 하나의 서브 픽셀을 가지며, 한 열에 배열된 픽셀 어레이들로 구성된 터치/지문인식 전극들은 하나의 센싱 라인을 공유하고,상기 센싱 라인을 공유하기 위하여 사용되는 서브 픽셀은 지문 인식시 온되는 스위칭 트랜지스터를 포함하며, 상기 터치/지문인식 전극들을 구동하기 위한 신호를 상기 터치/지문인식 전극들로 전송하기 위한 스캔 라인이 형성되고, 상기 스위칭 트랜지스터는 상기 스캔 라인에 전기적으로 연결되며, 지문 인식시 상기 터치/지문인식 전극들을 구동하기 위한 신호는 상기 스캔 라인 및 상기 스위칭 트랜지스터를 통하여 상기 터치/지문인식 전극들로 전송되고, 상기 스위칭 트랜지스터의 일단은 상기 서브 픽셀에 포함되는 액정과 저장 캐패시터 사이의 노드에 연결되며 상기 스위칭 트랜지스터의 타단은 해당 스캔 라인에 연결되는 것을 특징으로 하는 자기 정전 용량 방식 터치 패널
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제9항에 있어서, 상기 픽셀 어레이 내의 서브 픽셀들 중 하나만이 상기 센싱 라인을 공유하기 위하여 사용되는 것을 특징으로 하는 자기 정전 용량 방식 터치 패널
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m×n 서브 픽셀들, m 및 n은 각기 양의 정수임; 및상기 서브 픽셀들을 구동시키는 드라이버를 포함하되,상기 서브 픽셀들 중 적어도 하나는 디스플레이 트랜지스터, 액정, 저장 캐패시터 및 스위칭 트랜지스터를 가지고, 상기 스위칭 트랜지스터의 일단은 상기 액정과 상기 저장 캐패시터 사이의 노드에 연결되며, 상기 스위칭 트랜지스터의 타단은 스캔 라인에 연결되고, 상기 디스플레이 트랜지스터는 게이트 드라이버 및 데이터 드라이버에 연결되며,지문 인식시 상기 서브 픽셀들의 터치/지문인식 전극들을 구동하기 위한 신호는 상기 스캔 라인 및 상기 스위칭 트랜지스터를 통하여 상기 터치/지문인식 전극들로 전송되는 것을 특징으로 하는 자기 정전 용량 방식 터치 패널
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제11항에 있어서, 한 열에 배열된 서브 픽셀들의 터치 전극은 하나의 센싱 라인을 공유하며, 지문 인식시 상기 서브 픽셀들의 터치/지문인식 전극들을 구동하기 위한 신호는 상기 스캔 라인 및 상기 스위칭 트랜지스터를 통하여 상기 터치/지문인식 전극들로 전송되는 것을 특징으로 하는 자기 정전 용량 방식 터치 패널
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복수의 터치 센서들; 및 성기 터치 센서들을 구동시키는 드라이버를 포함하되,상기 터치 센서들 중 적어도 하나는 복수의 서브 픽셀들을 가지며, 한 열에 배열된 서브 픽셀들로 구성된 터치 전극들이 하나의 센싱 라인을 공유하고,상기 센싱 라인을 공유하기 위하여 사용되는 서브 픽셀은 상기 센싱 라인에 수직하게 배열된 스캔 라인에 연결되는 스위칭 트랜지스터를 포함하며,상기 스위칭 트랜지스터는 해당 스캔 라인에 연결되며, 상기 서브 픽셀들의 터치 전극들을 구동하기 위한 신호는 상기 해당 스캔 라인 및 상기 스위칭 트랜지스터를 통하여 상기 터치 전극들로 전송되고, 상기 스위칭 트랜지스터의 일단은 상기 서브 픽셀에 포함되는 액정과 저장 캐패시터 사이의 노드에 연결되며 상기 스위칭 트랜지스터의 타단은 해당 스캔 라인에 연결되는 것을 특징으로 하는 자기 정전 용량 방식 터치 패널
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제13항에 있어서, 상기 터치 패널은 지문 인식 기능은 없이 터치 지점만을 검출하고, 상기 터치 센서 내의 서브 픽셀들 중 하나만이 상기 센싱 라인을 공유하기 위하여 사용되는 것을 특징으로 하는 자기 정전 용량 방식 터치 패널
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