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탄탈륨 박막의 식각방법(Method for Etching of Tantalum Thin Films)

  • 기술번호 : KST2018003125
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 탄탈륨 박막의 식각방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 탄탈륨 박막에 대하여 식각가스의 종류 및 식각가스의 농도 등을 포함한 최적의 식각공정 조건을 적용함으로써, 종래 탄탈륨 박막의 식각법에 비해 재증착이 발생하지 않으면서 빠른 식각속도 및 높은 이방성 (또는 식각 경사)의 식각프로파일을 제공할 수 있는 탄탈륨 박막의 식각방법에 관한 것이다.
Int. CL C23F 1/12 (2006.01.01) C23F 1/02 (2006.01.01) C23F 4/00 (2006.01.01) H01L 21/3213 (2006.01.01) H01L 21/3065 (2006.01.01)
CPC C23F 1/12(2013.01) C23F 1/12(2013.01) C23F 1/12(2013.01) C23F 1/12(2013.01) C23F 1/12(2013.01)
출원번호/일자 1020160119382 (2016.09.19)
출원인 인하대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0031228 (2018.03.28) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.09.19)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 미추홀구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정지원 대한민국 서울특별시 마포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 공간 대한민국 대전광역시 서구 둔산서로 ***, *층(둔산 *동, 산업은행B/D)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.09.19 수리 (Accepted) 1-1-2016-0903670-06
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.03.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.05.12 수리 (Accepted) 9-1-2017-0015695-95
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.05.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0363253-39
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2017.07.24 수리 (Accepted) 1-1-2017-0707340-36
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.08.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0819316-99
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.08.24 수리 (Accepted) 1-1-2017-0819328-36
8 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2017.11.03 수리 (Accepted) 1-1-2017-1092212-76
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.11.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0778566-36
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.12.07 수리 (Accepted) 1-1-2017-1219825-33
11 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2017.12.07 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-1219786-40
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2018.01.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0006212-84
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5036549-31
14 심사관의견요청서
Request for Opinion of Examiner
2018.03.13 수리 (Accepted) 7-8-2018-0005883-77
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266647-91
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 탄탈륨 박막을 마스크로 패터닝하여 마스킹하는 단계;(b) 염소계 가스 30 ~ 70 vol% 및 불활성 가스 30 ~ 70 vol%를 함유하는 혼합가스를 플라즈마화하는 단계; 및 (c) 상기 (b) 단계에서 생성된 플라즈마를 이용하여 (a) 단계에서 마스킹된 탄탈륨 박막을 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄탈륨 박막의 식각방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 염소계 가스는 Cl2, SiCl4, BCl3, HCl, CCl4 로 구성된 군에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 탄탈륨 박막의 식각방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 불활성 가스는 He, Ne, Ar 및 N2로 구성된 군에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 탄탈륨 박막의 식각방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 (b) 단계의 플라즈마화하는 단계의 혼합가스의 압력은 0
5 5
제1항에 있어서, 상기 (b) 단계의 플라즈마화하는 단계의 ICP RF Power는 600 ~ 800 W 범위 인 것을 특징으로 하는 탄탈륨 박막의 식각방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 (b) 단계의 플라즈마화하는 단계의 DC 바이어스 전압은 300 ~ 400 V 범위 인 것을 특징으로 하는 탄탈륨 박막의 식각방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 (b) 단계의 플라즈마화는 유도결합플라즈마 반응성 이온식각법, 고밀도 플라즈마 반응성 이온식각법, 자기증강반응성 이온식각법 및 반응성 이온 식각법으로 구성된 군으로부터 선택되는 1종의 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 탄탈륨 박막의 식각방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 인하대학교 산학협력단 전자정보디바이스산업원천기술개발사업(반도체공정장비) 스핀-궤도 결합을 이용한 반금속 p-MRAM 기술