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고종횡비의 금속 구조 제조방법(A METHOD FOR FABRICATING A METAL STRUCTURE HAVING HIGH ASPECT RATIO)

  • 기술번호 : KST2018003200
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 고종횡비 금속 구조 제조방법은 제1 베이스 기판 상에 씨드층을 형성한다. 상기 씨드층 상면에 상기 씨드층을 외부로 노출하는 홀(hole)을 포함하도록 나노 마스크를 형성한다. 상기 씨드층으로부터 상기 홀을 관통하여 나노로드(nano rod)들을 성장시킨다. 상기 나노로드들 사이의 이격 공간을 금속으로 채운다. 상기 씨드층으로부터 상기 나노로드들을 제거하여 홀을 포함하는 금속 구조를 형성한다.
Int. CL G03F 7/00 (2006.01.01) H01L 21/027 (2006.01.01) B82Y 40/00 (2017.01.01)
CPC G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01)
출원번호/일자 1020160117881 (2016.09.13)
출원인 한국기계연구원, 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0029604 (2018.03.21) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.09.13)
심사청구항수 19

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이지혜 대한민국 대전광역시 유성구
2 최준혁 대한민국 대전광역시 서구
3 정준호 대한민국 대전광역시 서구
4 정주연 대한민국 대전광역시 유성구
5 최대근 대한민국 세종특별자치시 만남로 *,
6 전소희 대한민국 서울특별시 서초구
7 이응숙 대한민국 대전광역시 유성구
8 박원일 대한민국 서울특별시 서대문구
9 이원우 대한민국 서울특별시 동대문구
10 양동원 대한민국 대전광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김민태 대한민국 서울특별시 강남구 논현로 ***, *층 **세기특허법률사무소 (역삼동, 세일빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대전광역시 유성구
2 한양대학교 산학협력단 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.09.13 수리 (Accepted) 1-1-2016-0893508-37
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2016.09.29 수리 (Accepted) 1-1-2016-0947672-17
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.04.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.07.11 수리 (Accepted) 9-1-2017-0022792-80
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.09.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0651040-44
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.11.20 수리 (Accepted) 1-1-2017-1151680-37
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.11.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-1151679-91
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
9 등록결정서
Decision to grant		 2018.02.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0096651-46
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 베이스 기판 상에 씨드층을 형성하는 단계; 상기 씨드층 상면에 상기 씨드층을 외부로 노출하는 홀(hole)을 포함하도록 금속층으로 구성된 나노 마스크를 형성하는 단계; 상기 씨드층으로부터 상기 홀을 관통하여 나노로드(nano rod)들을 성장시키는 단계; 상기 나노로드들 사이의 이격 공간을 금속으로 채우는 단계; 및 상기 씨드층으로부터 상기 나노로드들을 제거하여 홀을 포함하는 금속 구조를 형성하는 단계를 포함하는 고종횡비 금속 구조 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 금속 구조를 상기 씨드층으로부터 분리하는 단계; 및상기 분리된 금속 구조를 제2 베이스 기판 상에 장착하는 단계를 더 포함하는 고종횡비 금속 구조 제조방법
3 3
제2항에 있어서, 상기 제2 베이스 기판은 유리, 금속, 금속 메쉬, 플라스틱 기판, 플라스틱 메쉬기판 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 고종횡비 금속 구조 제조방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 제1 베이스 기판 상에 씨드층을 형성하는 단계에서, 상기 제1 베이스 기판 상에 보조층을 형성하는 단계; 및상기 보조층 상에 상기 씨드층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고종횡비 금속 구조 제조방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 제1 베이스 기판은 산화 알루미늄(Al₂O₃), 갈륨 비소(GaAs), 실리콘 카바이드(SiC), 유리(Glass), 쿼츠(Quartz), 구리 호일(Cu foil), 은 호일(Ag foil), 금 호일(Au foil), 알루미늄 호일(Al foil), 타이타늄 호일(Ti foil) 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 고종횡비 금속 구조 제조방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 씨드층은 갈륨나이트라이드(GaN), 산화아연(ZnO), 그래핀(Graphene) 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 고종횡비 금속 구조 제조방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 씨드층은 금속유기화학증착법(MOCVD), 화학증착법(CVD), 스퍼터링법(Sputtering), 스핀 코팅법(Spin coating), 드롭 캐스팅법(Drop casting) 중 어느 하나의 방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 고종횡비 금속 구조 제조방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 나노 마스크를 형성하는 단계는, 상기 씨드층의 상면에 접착층을 형성하는 단계;상하 방향으로 관통된 형상의 나노 몰드에 금속을 증착하는 단계; 상기 나노 몰드에 증착된 상기 금속을 상기 접착층 상으로 전사하는 단계; 및상기 접착층을 식각하는 단계를 포함하는 고종횡비 금속 구조 제조방법
9 9
제1항에 있어서, 상기 나노 마스크를 형성하는 단계는, 리소그래피 또는 나노 임프린트 방식을 통해 상기 씨드층 상에 포토레지스트(photoresist) 패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴 위에 금속을 증착하는 단계; 및상기 금속이 증착된 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 고종횡비 금속 구조 제조방법
10 10
제9항에 있어서, 상기 리소그래피는 이빔(e-beam) 리소그래피, KrF 리소그래피, 레이저 간섭 리소그래피 중 어느 하나인 것을 특징으로하는 고종횡비 금속 구조 제조방법
11 11
제1항에 있어서, 상기 나노로드를 성장시키는 단계에서, 상기 나노로드는 수열합성 또는 VLS합성 공정을 통해 성장되는 것을 특징으로 하는 고종횡비 금속 구조 제조방법
12 12
제11항에 있어서, 상기 수열합성 또는 VLS합성 공정에서, 상기 공정의 공정 온도, 공정 시간, 공정 압력, 전구체 농도, 가스 유량을 제어하여, 상기 나노로드의 직경 또는 길이를 제어하는 것을 특징으로 하는 고종횡비 금속 구조 제조방법
13 13
제1항에 있어서,상기 나노로드의 종횡비는 3 내지 200인 것을 특징으로 하는 고종횡비 금속 구조 제조방법
14 14
제1항에 있어서, 상기 나노로드는 산화아연(ZnO), 갈륨비소(GaAs), 이산화티타늄(TiO₂), 산화지르코늄(ZrO₂), 실리콘(Si) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 고종횡비 금속 구조 제조방법
15 15
제1항에 있어서, 상기 나노로드들 사이의 이격 공간을 금속으로 채우는 단계에서, 상기 나노로드들 사이의 이격 공간은 상기 나노 마스크에 전기를 연결하여 전해도금하거나, 상기 나노 마스크를 씨드층으로 비전해도금하여 금속으로 채우는 것을 특징으로 하는 고종횡비 금속 구조 제조방법
16 16
제1항에 있어서, 상기 나노로드들을 제거하여 홀을 포함하는 금속 구조를 형성하는 단계에서, 상기 나노로드는 습식식각, 건식식각, 열분해 중 어느 하나의 방법으로 제거되는 것을 특징으로 하는 고종횡비 금속 구조 제조방법
17 17
제1 베이스 기판 상에 씨드층을 형성하는 단계; 상기 씨드층 상면에 상기 씨드층을 외부로 노출하는 홀(hole)을 포함하도록 금속층으로 구성된 포토레지스트(photoresist) 마스크를 형성하는 단계; 상기 씨드층으로부터 상기 홀을 관통하여 나노로드(nano rod)들을 성장시키는 단계; 상기 포토레지스트 마스크 및 상기 나노로드 상면에 금속층을 형성하는 단계; 상기 나노로드의 상면에 형성된 상기 금속층을 제거하는 단계; 상기 나노로드들 사이의 이격 공간을 금속으로 채우는 단계; 및상기 씨드층으로부터 상기 나노로드들을 제거하여 홀을 포함하는 금속 구조를 형성하는 단계를 포함하는 고종횡비 금속 구조 제조방법
18 18
제17항에 있어서, 상기 포토레지스트 마스크 및 상기 나노로드 상면에 금속층을 형성하는 단계에서, 증발증착 공정, 드롭 캐스팅(Drop casting) 공정, 잉크젯 프린팅(Ink-jet printing) 공정 중 어느 하나의 공정으로 상기 금속층을 형성하는 것을 특징으로 하는 고종횡비 금속 구조 제조방법
19 19
제17항에 있어서, 상기 포토레지스트 마스크 및 상기 나노로드의 상면에 금속층을 형성하는 단계, 및 상기 나노로드의 상면에 형성된 금속층을 제거하는 단계를 반복 수행하여 상기 금속층이 형성되는 두께를 증가시키는 것을 특징으로 하는 고종횡비 금속 구조 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 기계연구원 주요사업 능동소자용 기능성 나노복합구조체 융합가공기술 개발 (2/3)
2 미래창조과학부 기계연구원 미래부-국가연구개발사업(III) 극한물성시스템 제조 플랫폼기술 (2/2)