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실리콘 반도체층 상에 실리콘 산화물층을 형성하는 단계;상기 실리콘 산화물층 상에 산화갈륨(Ga2O3)층을 형성하는 단계; 및상기 산화갈륨(Ga2O3)층을 열처리(annealing)하여 결정성 산화갈륨(β-Ga2O3)층을 형성하는 단계;를 포함하는, 산화막 반도체 박막의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 산화갈륨(Ga2O3)층을 형성하는 단계는, 600℃ 내지 700℃의 온도 범위에서 수행하는 것인, 산화막 반도체 박막의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 산화갈륨(Ga2O3)층을 형성하는 단계는, 전자빔 증착(e-beam evaporation) 방법, 열 증착(thermal evaporation) 방법, 화학 기상 증착(chemical vapor deposition; CVD) 방법, 펄스레이저 증착(pulse laser deposition; PLD) 방법 및 스퍼터링(sputtering) 방법으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나의 방법에 의해 수행되는 것인, 산화막 반도체 박막의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 열처리 단계는, 700℃ 내지 900℃의 온도 범위에서 수행하는 것인, 산화막 반도체 박막의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 열처리 단계는, 고순도 아르곤(Ar), 산소, 질소, 수소로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나의 가스의 존재 하에서 1×10-2 Torr내지 20 Torr의 압력 범위에서 수행하는 것인, 산화막 반도체 박막의 제조방법
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실리콘 반도체층;상기 실리콘 반도체층 상에 형성된 실리콘 산화물층; 및상기 실리콘 산화물층 상에 형성된 결정성 산화갈륨(β-Ga2O3)층;을 포함하는, 산화막 반도체 박막
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제6항에 있어서,상기 산화갈륨(β-Ga2O3)층은 단사정형(單斜晶型) β-Ga2O3구조의 결정상으로 이루어진 것인, 산화막 반도체 박막
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제6항에 있어서,상기 산화막 반도체 박막은 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 따른 산화막 반도체 박막의 제조방법으로 제조된 것인, 산화막 반도체 박막
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