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친수성 층을 이용하여 에피택셜 리프트오프 공정을 고속화하기 위한 반도체 소자의 제조 방법(METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE FOR MAKING EPITAXIAL LIFT-OFF PROCESS FASTER BY USING HYDROPHILIC LAYER)

  • 기술번호 : KST2018003699
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 에피택셜 리프트오프에 의한 반도체 소자의 제조 방법은, 제1 기판을 제공하는 단계, 상기 제1 기판 상에 친수성층을 형성하는 단계, 상기 친수성층상에 희생층을 형성하는 단계, 상기 희생층상에 소자층을 형성하는 단계, 상기 소자층을 제2 기판상에 접합하는 단계 및 상기 희생층, 친수성층 및 제1 기판을 제거하기 위하여, 상기 소자층이 상기 제2 기판상에 접합된 상태에서 식각 용액을 이용하여 상기 희생층을 식각하는 단계를 포함한다. 상기 방법에 의하면, 식각 용액의 pH가 높은 경우에도 식각 용액과 구조체의 흡착력을 높여 희생층이 식각되는 속도를 빠르게 할 수 있고, 결과적으로 ELO 공정에 소요되는 시간이 줄어들어 오랜 공정 시간으로 인하여 기판 표면이 식각액에 의해 손상되는 등의 문제를 해결할 수 있다.
Int. CL H01L 21/78 (2006.01.01) H01L 21/768 (2006.01.01) H01L 21/306 (2006.01.01)
CPC H01L 21/7813(2013.01) H01L 21/7813(2013.01) H01L 21/7813(2013.01) H01L 21/7813(2013.01) H01L 21/7813(2013.01) H01L 21/7813(2013.01)
출원번호/일자 1020160124631 (2016.09.28)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0034879 (2018.04.05) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.09.28)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김상현 대한민국 서울특별시 성북구
2 김형준 대한민국 서울특별시 성북구
3 심재필 대한민국 서울특별시 성북구
4 김성광 대한민국 서울특별시 성북구
5 최원준 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.09.28 수리 (Accepted) 1-1-2016-0940032-09
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.06.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2017.07.24 수리 (Accepted) 1-1-2017-0708382-11
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2018.01.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0001335-08
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.01.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0009859-17
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.03.05 수리 (Accepted) 1-1-2018-0218527-75
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.03.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0218528-10
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2018.07.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0465539-96
9 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
 2018.08.09 수리 (Accepted) 1-1-2018-0785914-85
10 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2018.08.13 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-0796169-23
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.08.13 수리 (Accepted) 1-1-2018-0796168-88
12 법정기간연장승인서
 2018.08.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0128344-76
13 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.08.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0565318-25
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.10.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-1032695-43
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.10.19 수리 (Accepted) 1-1-2018-1032694-08
16 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2018.11.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0788639-95
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 기판을 제공하는 단계;상기 제1 기판 상에 친수성층을 형성하는 단계;상기 친수성층상에 희생층을 형성하는 단계;상기 희생층상에 소자층을 형성하는 단계;상기 소자층을 제2 기판상에 접합하는 단계; 및상기 희생층, 친수성층 및 제1 기판을 제거하기 위하여, 상기 소자층이 상기 제2 기판상에 접합된 상태에서 식각 용액을 이용하여 상기 희생층을 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 에피택셜 리피트오프에 의한 반도체 소자의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 희생층상에 소자층을 형성하는 단계 전에, 상기 희생층상에 제2 친수성층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 에피택셜 리피트오프에 의한 반도체 소자의 제조 방법
3 3
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 제1 기판은, 비소화갈륨(GaAs)을 포함하는 것을 특징으로 하는 에피택셜 리피트오프에 의한 반도체 소자의 제조 방법
4 4
제3항에 있어서,상기 친수성층 및 상기 제2 친수성층 중 적어도 하나는, 인화인듐갈륨(InGaP)을 포함하는 것을 특징으로 하는 에피택셜 리피트오프에 의한 반도체 소자의 제조 방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 식각 용액은 불화수소(HF) 및 탈이온수를 포함하는 것을 특징으로 하는 에피택셜 리프트오프에 의한 반도체 소자의 제조 방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 식각 용액은 불화수소(HF) 및 아세톤(CH3COCH3)을 포함하는 것을 특징으로 하는 에피택셜 리프트오프에 의한 반도체 소자의 제조 방법
7 7
제1항에 있어서,상기 제1 기판 상에 친수성층을 형성하는 단계 전에, 상기 제1 기판상에 에치스톱층(etch-stop layer)을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 에피택셜 리프트오프에 의한 반도체 소자의 제조 방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 제1 기판은 III-V족 화합물을 포함하며, 상기 희생층 및 상기 소자층은 에피택시 성장 방식으로 형성되는 것을 특징으로 하는 에피택셜 리프트오프에 의한 반도체 소자의 제조 방법
9 9
제1항에 있어서, 상기 제2 기판은 실리콘(Si)을 포함하는 것을 특징으로 하는 에피택셜 리프트오프에 의한 반도체 소자의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR101873255 KR 대한민국 FAMILY
2 KR101938230 KR 대한민국 FAMILY
3 US09941168 US 미국 FAMILY
4 US20180082900 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
DOCDB 패밀리 정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국과학기술연구원 개인연구지원 전사프린팅과 strain engineering을 이용한 실리콘 기판 상 III-V 화합물반도체 MOSFET 기술 개발
2 산업통상자원부 한국과학기술연구원 전자정보디바이스산업원천기술개발 실리콘 기판 상 III-V 화합물반도체 MOSFET 및 모놀리식 3차원 집적을 위한 전사공정 기술 개발