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나노 다이아몬드를 계면 층으로 적용한 다이아몬드상 탄소막의 제조방법 및 이에 의해 제조된 다이아몬드상 탄소막(Method for manufacturing diamond-like carbon layer with nano-dioamond interlayer and diamond-like carbon layer manufactured by the method)

  • 기술번호 : KST2018005090
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 나노 다이아몬드를 계면 층으로 적용한 다이아몬드상 탄소막의 제조방법 및 이에 의해 제조된 다이아몬드상 탄소막에 관한 것이다.본 발명에 따르면, 나노다이아몬드 박막을 계면층으로 적용함으로써 다이아몬드상 탄소막의 고유의 내마모성, 내화학성 등의 우수한 특성을 유지하면서도 기판과의 접착성 및 투과율이 크게 향상된 다이아몬드상 탄소막을 제공할 수 있다.따라서, 본 발명에 따라 제조된 다이아몬드상 탄소막은 고분자 물질의 코팅 혹은 탄소계열 물질의 코팅과 같이 다양한 분야에 적용이 가능하며, 특히 유리 제품과 같이 높은 투과율이 필요한 분야에 유용하게 사용될 수 있다.
Int. CL C23C 14/02 (2006.01.01) C23C 14/06 (2006.01.01) C23C 14/35 (2006.01.01) C23C 14/54 (2018.01.01)
CPC C23C 14/02(2013.01) C23C 14/02(2013.01) C23C 14/02(2013.01) C23C 14/02(2013.01) C23C 14/02(2013.01)
출원번호/일자 1020160141796 (2016.10.28)
출원인 고려대학교 산학협력단, 주식회사 케이씨씨
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0046548 (2018.05.09) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.10.28)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
2 주식회사 케이씨씨 대한민국 서울특별시 서초구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 임대순 대한민국 서울특별시 강남구
2 이응석 대한민국 대구광역시 서구
3 전윤수 대한민국 경기도 성남시 분당구
4 박기영 대한민국 서울특별시 동대문구
5 강현민 대한민국 경기도 수원시 영통구
6 유보나 대한민국 전라북도 군산시
7 박준영 대한민국 서울특별시 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정은열 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, ***호(정앤김특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
2 주식회사 케이씨씨 대한민국 서울특별시 서초구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.10.28 수리 (Accepted) 1-1-2016-1052026-18
2 수수료 사후 감면 신청서
Request for Follow-up Reduction of Official Fee		 2016.12.06 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2016-1194203-90
3 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document		 2016.12.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2016-0174134-38
4 수수료 사후 감면 신청서
Request for Follow-up Reduction of Official Fee		 2016.12.08 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2016-1203071-61
5 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document		 2016.12.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2016-0179589-59
6 수수료 사후 감면 신청서
Request for Follow-up Reduction of Official Fee		 2016.12.16 수리 (Accepted) 1-1-2016-1236682-10
7 서류반려통지서
Notice for Return of Document		 2017.01.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0006062-33
8 서류반려통지서
Notice for Return of Document		 2017.01.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0008480-51
9 수수료 사후 감면안내서
Notification of Follow-up Reduction of Official Fee		 2017.01.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0010581-67
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.05.18 수리 (Accepted) 4-1-2017-5075923-28
11 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.06.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
12 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.07.21 수리 (Accepted) 9-1-2017-0024139-32
13 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.12.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0841172-18
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.02.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0115517-81
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.02.01 수리 (Accepted) 1-1-2018-0115518-26
16 등록결정서
Decision to grant		 2018.05.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0303646-18
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5221488-74
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 기판을 양이온 함유 용액에 침지시켜 상기 기판 위에 양이온을 형성시키는 단계;(b) 상기 양이온이 형성된 기판을 나노다이아몬드 입자를 포함하는 음이온 함유 용액에 침지시켜 상기 기판 위에 나노다이아몬드 박막을 형성시키는 단계; 및(c) 상기 나노다이아몬드 박막에 마그네트론 스퍼터 증착법을 이용하여 다이아몬드상 탄소막을 형성시키는 단계;를 포함하고,상기 다이아몬드상 탄소막은 소정의 비율로 sp3 본딩 구조를 가지되, 상기 나노다이아몬드 박막상에 증착되면 상기 나노다이아몬드 박막이 계면층으로 작용하여 상기 다이아몬드상 탄소막의 sp3 본딩 구조의 비율이 상대적으로 증가하며,상기 마그네트론 스퍼터 증착시 DC 파워는 350-600 W이고, 압력은 5-10 mTorr이며, 온도는 25-300 ℃인 것을 특징으로 하는 다이아몬드상 탄소막의 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 양이온 함유 용액은 폴리(디-메틸디알릴암모늄클로라이드)(PDDA, poly (dially Dimethyl ammonium chloride)), 폴리(스티렌 설포네이트)(PSS, poly(stylene 4-sulfonate)), 폴리(에틸렌이민)( PEI, poly(ethyleneimine)), 폴리S-119(P-S-119), 폴리아닐린(PA, Polyaniline) 및 나피온(NAFION)로 이루어지는 군으로부터 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 다이아몬드상 탄소막의 제조방법
3 3
제1항에 있어서,상기 음이온 함유 용액은 폴리(스티렌 설포네이트)(PSS, poly(stylene 4-sulfonate))을 포함하는 것을 특징으로 하는 다이아몬드상 탄소막의 제조방법
4 4
제1항에 있어서,상기 나노다이아몬드 입자의 평균 입도는 5-500 nm인 것을 특징으로 하는 다이아몬드상 탄소막의 제조방법
5 5
제1항에 있어서,상기 나노다이아몬드 박막의 평균 두께는 5-500 nm인 것을 특징으로 하는 다이아몬드상 탄소막의 제조방법
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
삭제
9 9
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 따라 제조된 다이아몬드상 탄소막
10 10
제9항에 있어서,상기 다이아몬드상 탄소막의 두께는 10-200 nm인 것을 특징으로 하는 다이아몬드상 탄소막
11 11
제9항에 있어서,상기 다이아몬드상 탄소막은 800 nm의 파장에서 투과율이 80 내지 95%인 것을 특징으로 하는 다이아몬드상 탄소막
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.