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수직자기이방성을 갖는 합금 박막

  • 기술번호 : KST2019023438
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 실시예에 따른 수직자기이방성 합금 박막의 제조 방법은, 진공 챔버 내에서 CoFeSiB 타겟와 Pd 타켓을 동시에 스퍼터링하여 상기 진공 챔버 내에 배치된 기판 상에 CoFeSiB-Pd 합금 박막을 형성하는 단계; 및 상기 CoFeSiB-Pd 합금 박막이 형성된 기판을 수직자기이방성을 발현시키기 위하여 열처리하는 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 43/12 (2006.01.01) H01L 43/10 (2006.01.01) C23C 14/16 (2006.01.01) C23C 14/34 (2006.01.01) C23C 14/02 (2006.01.01) C22C 19/07 (2006.01.01) H01L 21/203 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 21/285 (2006.01.01)
CPC H01L 43/12(2013.01) H01L 43/12(2013.01) H01L 43/12(2013.01) H01L 43/12(2013.01) H01L 43/12(2013.01) H01L 43/12(2013.01) H01L 43/12(2013.01) H01L 43/12(2013.01) H01L 43/12(2013.01) H01L 43/12(2013.01) H01L 43/12(2013.01)
출원번호/일자 1020160170108 (2016.12.14)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1738828-0000 (2017.05.16)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20170522) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.12.14)
심사청구항수 27

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김영근 대한민국 서울특별시 강남구
2 김용진 대한민국 충청북도 청주시 청원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 누리 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 **-*(역삼동, IT빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.12.14 수리 (Accepted) 1-1-2016-1224607-70
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2016.12.19 수리 (Accepted) 1-1-2016-1245605-15
3 보정요구서
Request for Amendment		 2016.12.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2016-0181104-33
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2016.12.20 수리 (Accepted) 1-1-2016-1247431-14
5 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search		 2016.12.28 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search		 2016.12.29 수리 (Accepted) 9-1-2016-0053708-46
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0150868-68
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.03.23 수리 (Accepted) 1-1-2017-0290179-11
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.03.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0290178-76
10 등록결정서
Decision to grant		 2017.05.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0328888-45
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
진공 챔버 내에서 CoFeSiB 타겟와 Pd 타겟을 동시에 스퍼터링하여 상기 진공 챔버 내에 배치된 기판 상에 CoFeSiB-Pd 합금 박막을 형성하는 단계; 및상기 CoFeSiB-Pd 합금 박막이 형성된 기판을 수직자기이방성을 발현시키기 위하여 열처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 수직자기이방성을 갖는 CoFeSiB-Pd 합금 박막의 제조 방법
2 2
제1 항에 있어서,상기 CoFeSiB-Pd 합금 박막을 형성하기 전에 버퍼층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직자기이방성을 갖는 CoFeSiB-Pd 합금 박막의 제조 방법
3 3
제2 항에 있어서,상기 버퍼층을 형성하기 전에 시드층을 형성하는 단계; 및상기 CoFeSiB-Pd 합금 박막을 형성한 후에 캐핑층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직자기이방성을 갖는 CoFeSiB-Pd 합금 박막의 제조 방법
4 4
제1 항에 있어서,상기 CoFeSiB-Pd 합금 박막이 형성된 기판을 열처리하는 온도는 섭씨 300도 초과 600도 미만인 것을 특징으로 하는 수직자기이방성을 갖는 CoFeSiB-Pd 합금 박막의 제조 방법
5 5
제1 항에 있어서,상기 CoFeSiB-Pd 합금 박막은 상기 CoFeSiB 타겟과 상기 Pd 타겟을 이용하여 DC 스퍼터링 방법에 형성되는 것을 특징으로 하는 수직자기이방성을 갖는 CoFeSiB-Pd 합금 박막의 제조 방법
6 6
제5 항에 있어서,상기 CoFeSiB 타겟의 조성비는 CoxFeySi15B10 (atomic %)이고,x=70
7 7
제5 항에 있어서,상기 CoFeSiB-Pd 합금 박막은 아르곤 분위기 하에서 1 mTorr 내지 10 mTorr의 분위기 하에서 증착되는 것을 특징으로 하는 수직자기이방성을 갖는 CoFeSiB-Pd 합금 박막의 제조 방법
8 8
제1 항에 있어서,CoFeSiB과 Pd가 차지하는 부피 비는 1:1
9 9
제1 항에 있어서,상기 수직자기이방성이 발현된 상기 CoFeSiB-Pd 합금 박막의 각형비는 90% 이상이고,상기 CoFeSiB-Pd 합금 박막의 포화 자화는 200 emu/cm3 이상이고,자기이방성 에너지는 1
10 10
진공 챔버 내에서 CoSiB 타겟와 Pd 타겟을 동시에 스퍼터링하여 상기 진공 챔버 내에 배치된 기판 상에 CoSiB-Pd 합금 박막을 형성하는 단계; 및상기 CoSiB-Pd 합금 박막이 형성된 기판을 수직자기이방성을 발현시키기 위하여 열처리하는 단계는 포함하는 것을 특징으로 하는 수직자기이방성을 갖는 CoSiB-Pd 합금 박막의 제조 방법
11 11
제10 항에 있어서,상기 CoSiB-Pd 합금 박막을 형성하기 전에 버퍼층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직자기이방성을 갖는 CoSiB-Pd 합금 박막의 제조 방법
12 12
제11 항에 있어서,상기 버퍼층을 형성하기 전에 시드층을 형성하는 단계; 및상기 CoSiB-Pd 합금 박막을 형성한 후에 캐핑층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직자기이방성을 갖는 CoSiB-Pd 합금 박막의 제조 방법
13 13
제10 항에 있어서,상기 CoSiB-Pd 합금 박막이 형성된 기판을 열처리하는 온도는 섭씨 300도 초과 600도 미만인 것을 특징으로 하는 수직자기이방성을 갖는 CoSiB-Pd 합금 박막의 제조 방법
14 14
제10 항에 있어서,상기 CoSiB-Pd 합금 박막은 상기 CoSiB 타겟과 상기 Pd 타겟을 이용하여 DC 스퍼터링 방법에 형성되는 것을 특징으로 하는 수직자기이방성을 갖는 CoSiB-Pd 합금 박막의 제조 방법
15 15
제14 항에 있어서,상기 CoSiB 타겟의 조성비는 Co75Si15B10 (atomic %)인 것을 특징으로 하는 수직자기이방성을 갖는 CoSiB-Pd 합금 박막의 제조 방법
16 16
제14 항에 있어서,상기 CoSiB-Pd 합금 박막은 아르곤 분위기 하에서 1 mTorr 내지 10 mTorr의 분위기 하에서 증착되는 것을 특징으로 하는 수직자기이방성을 갖는 CoSiB-Pd 합금 박막의 제조 방법
17 17
제1 항에 있어서,CoSiB과 Pd가 차지하는 부피 비는 1:1
18 18
기판 상에 형성된 CoFeSiB-Pd 합금 박막에 있어서,상기 CoFeSiB-Pd 합금 박막은 비정질 상태로 동시 증착되고, 상기 CoFeSiB-Pd 합금 박막에 수직자기이방성을 발현시키기 위하여 열처리하여 다결정 구조로 변경된 것을 특징으로 하는 수직자기이방성을 갖는 CoFeSiB-Pd 합금 박막
19 19
제18 항에 있어서,상기 수직자기이방성이 발현된 상기 CoFeSiB-Pd 합금 박막의 각형비는 90% 이상이고,상기 CoFeSiB-Pd 합금 박막의 포화 자화는 200 emu/cm3 이상이고,자기이방성 에너지는 1
20 20
제18 항에 있어서,상기 CoFeSiB-Pd 합금 박막의 두께는 9
21 21
제18 항에 있어서,상기 CoFeSiB-Pd 합금 박막의 하부에 버퍼층을 더 포함하고,상기 버퍼층은 3 nm 이상의 두께의 Pd인 것을 특징으로 하는 수직자기이방성을 갖는 CoFeSiB-Pd 합금 박막
22 22
기판 상에 형성된 CoSiB-Pd 합금 박막에 있어서,상기 CoSiB-Pd 합금 박막은 비정질 상태로 동시 증착되고, 상기 CoSiB-Pd 합금 박막에 수직자기이방성을 발현시키기 위하여 열처리하여 다결정 구조로 변경된 것을 특징으로 하는 수직자기이방성을 갖는 CoSiB-Pd 합금 박막
23 23
제22 항에 있어서,상기 수직자기이방성이 발현된 상기 CoSiB-Pd 합금 박막의 각형비는 90% 이상이고,상기 CoSiB-Pd 합금 박막의 포화 자화는 200 emu/cm3 이상인 것을 특징으로 하는 수직자기이방성을 갖는 CoSiB-Pd 합금 박막
24 24
제22 항에 있어서,상기 CoSiB-Pd 합금 박막의 두께는 9
25 25
제22 항에 있어서,상기 CoSiB-Pd 합금 박막의 하부에 버퍼층을 더 포함하고,상기 버퍼층은 3 nm 이상의 두께의 Pd인 것을 특징으로 하는 수직자기이방성을 갖는 CoSiB-Pd 합금 박막
26 26
자화 방향이 스위칭되는 자유층과 자화 방향이 고정된 고정층 사이에 개재된 터널절연층을 포함하는 자기터널접합 소자에 있어서,상기 고정층은:시드층;상기 시드층 상에 형성된 버퍼층; 및상기 버퍼층 상에 형성된 제1 고정층을 포함하고, 상기 제1 고정층은 CoFeSiB-Pd 합금 박막 또는 CoSiB-Pd 합금 박막을 포함하고, 상기 제1 고정층의 상기 CoFeSiB-Pd 합금 박막 또는 상기 CoSiB-Pd 합금 박막은 후속 열처리에 의하여 수직자기이방성을 발현하는 것을 특징으로 하는 자기터널접합 소자
27 27
제26 항에 있어서,상기 고정층은 상기 제1 고정층 상에 배치된 비자성 금속층 및 상기 비자성 금속층 상에 배치된 제2 고정층을 더 포함하고,상기 제2 고정층은 수직자기이방성을 가진 CoFeB 박막을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기터널접합 소자
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1 미래창조과학부 고려대학교 산학협력단 미래소재디스커버리사업 설계기반 Spin-Orbitronics 소재 개발