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보호 음극, 이를 포함하는 리튬전지, 및 보호 음극 제조 방법(Protected anode and Lithium battery comprising protected anode, and Preparation method of protected andoe)

  • 기술번호 : KST2018005095
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 리튬 금속을 포함하는 음극; 및 상기 음극의 일면 상에 배치되는 보호층;을 포함하며, 상기 보호층이 음이온성 작용기 및 리튬 이온을 가지는 고분자를 포함하며, 상기 보호층에서 리튬 이온 함량이 음이온성 작용기에 대한 당량비로 0.5 내지 0.99인 보호 음극, 이를 포함하는 리튬 전지 및 보호 음극 제조방법이 제시된다.
Int. CL H01M 4/134 (2010.01.01) H01M 10/42 (2014.01.01)
CPC H01M 4/134(2013.01) H01M 4/134(2013.01) H01M 4/134(2013.01) H01M 4/134(2013.01)
출원번호/일자 1020160141173 (2016.10.27)
출원인 삼성전자주식회사, 삼성에스디아이 주식회사, 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0046204 (2018.05.08) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 삼성에스디아이 주식회사 대한민국 경기도 용인시 기흥구
3 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김찬수 대한민국 서울특별시 강북구
2 김희탁 대한민국 대전광역시 유성구
3 강효랑 대한민국 경기도 안양시 동안구
4 김윤정 대한민국 대전광역시 유성구
5 송정민 대한민국 경기도 용인시 기흥구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.10.27 수리 (Accepted) 1-1-2016-1048466-44
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
3 [출원인지분변경]권리관계변경신고서
[Applicant Share Change] Report on Change of Proprietary Status
2020.02.13 수리 (Accepted) 1-1-2020-0154601-25
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
리튬 금속을 포함하는 음극; 및상기 음극의 일면 상에 배치되는 보호층;을 포함하며,상기 보호층이 음이온성 작용기 및 리튬 이온을 가지는 고분자를 포함하며,상기 보호층에서 리튬 이온 함량이 음이온성 작용기에 대한 당량비로 0
2 2
제1 항에 있어서, 상기 보호층이 음이온성 작용기 및 리튬 이온을 가지는 제1 고분자를 포함하며, 상기 제1 고분자에서 리튬 이온 함량이 음이온성 작용기에 대한 당량비로 0
3 3
제1 항에 있어서, 상기 보호층이 제2 고분자 및 제3 고분자를 포함하며, 제2 고분자가 음이온성 작용기 및 리튬 이온을 가지며, 제3 고분자가 음이온성 작용기 및 소듐, 칼륨 및 수소 이온 중에서 선택되는 하나 이상을 가지는 보호 음극
4 4
제3 항에 있어서, 상기 제2 고분자와 제3 고분자의 함량이 중량비로 55:45 내지 95:5인 보호 음극
5 5
제1 항에 있어서, 상기 음이온성 작용기가 술포네이트기(-SO3-), 포스페이트기(-PO4-), 및 카르복실레이트기(-COO-)중에서 선택되는 하나 이상인 보호 음극
6 6
제1 항에 있어서, 상기 고분자의 분자량이 10,000 내지 1,000,000 Dalton인 보호 음극
7 7
제1 항에 있어서, 상기 고분자의 이온 당량(equivalent weight)이 300 내지 1,400 Dalton인 보호 음극
8 8
제1 항에 있어서, 상기 고분자의 모듈러스(modulus)가 5 내지 400MPa인 보호 음극
9 9
제4 항에 있어서, 상기 제2 고분자의 모듈러스가 제3 고분자의 모듈러스보다 더 큰 보호 음극
10 10
제2 항에 있어서, 상기 제1 고분자가 하기 화학식 1 내지 2로 표시되는 보호 음극:003c#화학식 1003e#상기 식에서, R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8, R9, R10, R11, R12, R13, R14, R15, 및 R16은 서로 독립적으로 수소, 할로겐, 할로겐으로 치환 또는 비치환된 탄수소 1 내지 10의 알킬기, 할로겐으로 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 10의 알케닐기, 할로겐으로 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 10의 알키닐기, 할로겐으로 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 10의 사이클로 알킬기, 할로겐으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의아릴기, 또는 할로겐으로 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 헤테로아릴기이며, R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8, R9, R10, R11, R12, R13, R14, R15, 및 R16 중 적어도 하나 이상이 불소를 포함하며, A는 Li, H, Na, 또는 K 이며, 단 A 중에서 Li 함량이 0
11 11
제2 항에 있어서, 상기 제1 고분자가 하기 화학식 3 내지 4로 표시되는 보호 음극:003c#화학식 3003e#상기 식에서, A는 Li, H, Na, 또는 K 이며, x는 1 내지 10, y는 1 내지 10, 및 z는 1 내지 1000의 정수이고,003c#화학식 4003e#상기 식에서, A는 Li, H, Na, 또는 K 이며, a+b=1이며, 0003c#a≤1, 0≤b003c#1이다
12 12
제3 항에 있어서, 상기 제2 고분자가 하기 화학식 5 내지 6으로 표시되는 보호 음극:003c#화학식 5003e#상기 식에서, R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8, R9, R10, R11, R12, R13, R14, R15, 및 R16은 서로 독립적으로 수소, 할로겐, 할로겐으로 치환 또는 비치환된 탄수소 1 내지 10의 알킬기, 할로겐으로 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 10의 알케닐기, 할로겐으로 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 10의 알키닐기, 할로겐으로 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 10의 사이클로 알킬기, 할로겐으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의아릴기, 또는 할로겐으로 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 헤테로아릴기이며, R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8, R9, R10, R11, R12, R13, R14, R15, 및 R16 중 적어도 하나 이상이 불소를 포함하며, x는 1 내지 10, y는 1 내지 10, 및 z는 1 내지 1000의 정수이고,003c#화학식 6003e#상기 식에서, R18, R19, R20, R21, R22, R23, R24, R25, R26, R27, R28, R29, R30, R31, R32, R33, R34, R35, R36, R37, R38, R39, 및 R40은 서로 독립적으로 수소, 할로겐, 할로겐으로 치환 또는 비치환된 탄수소 1 내지 10의 알킬기, 할로겐으로 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 10의 알케닐기, 할로겐으로 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 10의 알키닐기, 할로겐으로 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 10의 사이클로 알킬기, 할로겐으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의아릴기, 또는 할로겐으로 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 헤테로아릴기이며, a+b=1이며, 0003c#a≤1, 0≤b003c#1이다
13 13
제3 항에 있어서, 상기 제3 고분자가 하기 화학식 7 내지 8로 표시되는 보호 음극:003c#화학식 7003e#상기 식에서, R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8, R9, R10, R11, R12, R13, R14, R15, 및 R16은 서로 독립적으로 수소, 할로겐, 할로겐으로 치환 또는 비치환된 탄수소 1 내지 10의 알킬기, 할로겐으로 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 10의 알케닐기, 할로겐으로 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 10의 알키닐기, 할로겐으로 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 10의 사이클로 알킬기, 할로겐으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의아릴기, 또는 할로겐으로 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 헤테로아릴기이며, M은 H, Na, 또는 K 이며, R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8, R9, R10, R11, R12, R13, R14, R15, 및 R16 중 적어도 하나 이상이 불소를 포함하며, x는 1 내지 10, y는 1 내지 10, 및 z는 1 내지 1000의 정수이고,003c#화학식 8003e#상기 식에서, R18, R19, R20, R21, R22, R23, R24, R25, R26, R27, R28, R29, R30, R31, R32, R33, R34, R35, R36, R37, R38, R39, 및 R40은 서로 독립적으로 수소, 할로겐, 할로겐으로 치환 또는 비치환된 탄수소 1 내지 10의 알킬기, 할로겐으로 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 10의 알케닐기, 할로겐으로 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 10의 알키닐기, 할로겐으로 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 10의 사이클로 알킬기, 할로겐으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의아릴기, 또는 할로겐으로 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 헤테로아릴기이며, M은 H, Na, 또는 K 이며, a+b=1이며, 0003c#a≤1, 0≤b003c#1이다
14 14
제3 항에 있어서, 상기 제2 고분자가 하기 화학식 9 내지 10으로 표시되는 보호 음극:003c#화학식 9003e#상기 식에서, x는 1 내지 10, y는 1 내지 10, 및 z는 1 내지 1000의 정수이고,003c#화학식 10003e#상기 식에서, a+b=1이며, 0003c#a≤1, 0≤b003c#1이다
15 15
제3 항에 있어서, 상기 제3 고분자가 하기 화학식 11 내지 12로 표시되는 보호 음극:003c#화학식 11003e#상기 식에서, M은 H, Na, 또는 K 이며, x는 1 내지 10, y는 1 내지 10, 및 z는 1 내지 1000의 정수이고,003c#화학식 12003e#상기 식에서, M은 H, Na, 또는 K 이며, a+b=1이며, 0003c#a≤1, 0≤b003c#1이다
16 16
제1 항에 있어서, 상기 보호층의 두께가 20㎛ 이하인 보호 음극
17 17
제1 항에 있어서, 상기 보호층이 무기 입자 및 바인더 중에서 선택된 하나 이상을 더 포함하는 보호 음극
18 18
제17 항에 있어서, 상기 무기 입자가 Al2O3, SiO2, TiO2, BaTiO3, MOF(Metal Organic Framework), 흑연산화물(graphite oxide), 그래핀산화물(graphene oxide), POSS(Polyhedral Oligomeric Silsesquioxanes), Li2CO3, Li3PO4, Li3N, Li3S4, Li2O, 몬트모릴로나이트(montmorillonite) 으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상을 포함하는 보호 음극
19 19
양극; 제1 항 내지 제18 항 중 어느 한 항에 따른 보호 음극; 및상기 양극과 음극 사이에 배치되는 전해질을 포함하는 리튬 전지
20 20
음이온성 작용기 및 리튬 이온을 가지는 제2 고분자 분말을 준비하는 단계;음이온성 작용기 및 소듐, 칼륨 및 수소 이온 중에서 선택되는 하나 이상을 가지는 제3 고분자를 준비하는 단계;유기 용매에서 제2 고분자 분말 및 제3 고분자를 첨가하여 고분자 조성물을 준비하는 단계;상기 고분자 조성물을 리튬 음극의 일면 상에 도포 및 건조시켜 보호층을 배치하는 단계;를 포함하는 보호 음극 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.