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질소 도핑된 탄소 코팅을 포함하는 실리콘계 음극활물질의 제조방법 및 이를 포함하는 리튬이차전지

  • 기술번호 : KST2015116451
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 질소 도핑된 탄소 코팅을 포함하는 실리콘계 음극활물질과 이를 포함하는 리튬이차전지가 제공된다.본 발명에 따른 질소 도핑된 탄소 코팅을 포함하는 실리콘계 음극활물질은 질소를 다량 함유하고 있는 이온성 액체인 1-ethyl-3-methylimidazolium dicynamide와의 혼합과정 및 탄화과정을 통해 이루어지는 것을 특징으로 하며, 이를 통해 우수한 방전용량 및 고출력 특성을 가지는 리튬이차전지를 제조할 수 있다.
Int. CL H01M 10/052 (2010.01) H01M 4/583 (2010.01) H01M 4/134 (2010.01)
CPC C01B 33/113(2013.01) C01B 33/113(2013.01) C01B 33/113(2013.01) C01B 33/113(2013.01) C01B 33/113(2013.01) C01B 33/113(2013.01) C01B 33/113(2013.01) C01B 33/113(2013.01) C01B 33/113(2013.01) C01B 33/113(2013.01) C01B 33/113(2013.01)
출원번호/일자 1020130022150 (2013.02.28)
출원인 한국과학기술원, 주식회사 케이씨씨
등록번호/일자 10-1500983-0000 (2015.03.04)
공개번호/일자 10-2014-0107926 (2014.09.05) 문서열기
공고번호/일자 (20150310) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.02.28)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이씨씨 대한민국 서울특별시 서초구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최장욱 대한민국 대전광역시 유성구
2 박정기 대한민국 대전광역시 유성구
3 이동진 대한민국 대전광역시 유성구
4 공병선 대한민국 경기 용인시 기흥구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 다해 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로***, *층(삼성동,고운빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 케이씨씨 대한민국 서울특별시 서초구
2 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2013-0183152-64
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.05.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5079011-59
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.02.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.03.10 수리 (Accepted) 9-1-2014-0018592-02
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.07.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0491854-79
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.09.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0831713-80
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.09.01 수리 (Accepted) 1-1-2014-0831711-99
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
11 등록결정서
Decision to grant		 2015.01.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0070246-56
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.05.18 수리 (Accepted) 4-1-2017-5075923-28
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5221488-74
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘계 입자를 준비하는 단계; 상기 실리콘계 입자와 질소 도핑된 탄소 전구체를 혼합하는 단계; 상기 혼합물을 열처리하는 단계;를 포함하며, 상기 질소 도핑된 탄소 전구체는 질소 함유 이온성 액체이며, 상기 질소 함유 이온성 액체는 상기 열처리하는 단계에서 탄화되어 상기 실리콘계 입자 표면에 질소가 도핑된 탄소 코팅층이 형성되는 것을 특징을 하는 실리콘계 음극활물질을 제조하는 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 실리콘계 입자는 Si, SiO 및 SiOx (1003c#x003c#2) 중 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘계 음극활물질을 제조하는 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 실리콘계 입자는 평균 직경이 20nm 내지 20μm인 것을 특징으로 하는 실리콘계 음극활물질을 제조하는 방법
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서, 상기 질소 함유 이온성 액체는 이미다졸리움계 이온성 액체인 것을 특징으로 하는 실리콘계 음극활물질을 제조하는 방법
6 6
제5항에 있어서, 상기 이미다졸리움계 이온성 액체는 1-에틸-3-메틸이미다졸리움 이온을 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘계 음극활물질을 제조하는 방법
7 7
제5항에 있어서, 상기 이미다졸리움계 이온성 액체는 1-에틸-3-메틸이미다졸리움 디시아나미드인 것을 특징으로 하는 실리콘계 음극활물질을 제조하는 방법
8 8
삭제
9 9
제1항에 있어서, 상기 열처리 단계는 300℃ 내지 1000℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 실리콘계 음극활물질을 제조하는 방법
10 10
제1항에 있어서, 상기 혼합 단계에서 상기 질소 도핑된 탄소 전구체를 상기 실리콘계 입자 100중량부에 대하여 50 내지 300중량부로 첨가하는 것을 특징으로 하는 실리콘계 음극활물질을 제조하는 방법
11 11
제1항에 있어서, 상기 혼합 단계에서 아세톤 및 에탄올 중 1종 이종의 유기 용매를 상기 실리콘계 입자 100중량부에 대하여 1 내지 100중량부로 더 첨가하는 것을 특징으로 하는 실리콘계 음극활물질을 제조하는 방법
12 12
삭제
13 13
삭제
14 14
삭제
15 15
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16 16
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17 17
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 KAIST 나노융합연구소 한국과학기술원 산업체연구개발사업 실리콘 나노 구조를 이용한 고용량 리튬 이차전지 음극 개발
2 지식경제부 울산과학기술대학교 산업원천기술개발사업 차세대 모바일기기 전원 모듈용 리튬 이차전지 음극 소재 원천기술(계면 및 최적전해질 연구)