| 1 |
1
투명 전도성 기판으로 형성된 제1 전극;금속으로 형성되고, 상기 제1 전극에 대향하는 제2 전극;상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에, 페로브스카이트 물질이 배치되어 형성된 광흡수층;상기 광흡수층과 상기 제2 전극 사이에 배치되는 정공전달층; 및상기 광흡수층과 상기 정공전달층 사이에 배치되어, 상기 광흡수층 내의 이온이 상기 정공전달층으로 확산되는 것을 방지하는 확산방지층;을 포함하는 페로브스카이트 태양전지
|
| 2 |
2
청구항 1에 있어서,상기 확산방지층의 가전자대 에지(valence band edge)는 상기 페로브스카이트 물질의 HOMO 레벨과 상기 정공전달층의 HOMO 레벨 사이의 에너지 레벨을 가지는 페로브스카이트 태양전지
|
| 3 |
3
청구항 1에 있어서,상기 확산방지층의 가전자대 에지(valence band edge)는 상기 페로브스카이트 물질의 HOMO 레벨 및 상기 정공전달층의 HOMO 레벨보다 낮은 에너지 레벨을 가지는 페로브스카이트 태양전지
|
| 4 |
4
청구항 2에 있어서, 상기 확산방지층은 MoOX, MoS2, Sb2S3, GaAs, NiO, FeS2, ZnSe, CdTe, PbS, PbSe, 및 PbSSe으로 구성된 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질로 이루어지는 페로브스카이트 태양전지
|
| 5 |
5
청구항 3에 있어서,상기 확산방지층은 GaP, In2S3, WO3, Fe2O3, SnO2, CdS, CdSe, ZnO, TiO2, 및 ZnS으로 구성된 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질로 이루어지는 페로브스카이트 태양전지
|
| 6 |
6
청구항 1에 있어서,상기 확산방지층의 두께는 1 ~ 20 nm, 바람직하게는 1 ~ 5 nm인 페로브스카이트 태양전지
|
| 7 |
7
청구항 1에 있어서,상기 제1 전극 상에 금속 산화물 나노입자가 코팅되어 형성되는 블로킹층;을 더 포함하는 페로브스카이트 태양전지
|
| 8 |
8
청구항 7에 있어서,상기 블로킹층과 상기 광흡수층 사이에, 다공성 금속 산화물로 형성되는 전자전달층;을 더 포함하는 페로브스카이트 태양전지
|
| 9 |
9
청구항 1에 있어서,상기 페로브스카이트 물질은 하기 화학식 1로 표시되는 페로브스카이트 태양전지
|
| 10 |
10
청구항 1에 있어서,상기 정공전달층은2,2,7,7-tetrakis-(N,N-di-p-methoxyphenylamine) 9,9-bifluorene (spiro-OMeTAD), 및 poly-triarylamine (PTAA)으로 구성된 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질을 포함하는 페로브스카이트 태양전지
|
| 11 |
11
청구항 10에 있어서,상기 정공전달층은Li 계열 도펀트, Co 계열 도펀트, 및 4-tert-butylpyridine (TBP)으로 구성된 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질을 더 포함하는 페로브스카이트 태양전지
|
| 12 |
12
(a) 투명 전도성 기판으로 형성된 제1 전극 상에 금속 산화물 나노입자를 코팅하여 블로킹층을 형성하는 단계;(b) 상기 블로킹층 상에 금속 산화물 나노입자를 포함하는 금속 산화물 페이스트를 코팅하여 다공성 전자전달층을 형성하는 단계;(c) 상기 전자전달층 상에 페로브스카이트 물질을 증착하여 광흡수층을 형성하는 단계;(d) 광흡수층 상에 확산방지층을 형성하는 단계;(e) 상기 확산방지층 상에 정공전달물질을 코팅하여 정공전달층을 형성하는 단계; 및(f) 상기 정공전달층 상에 금속을 증착하여 제2 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 페로브스카이트 태양전지의 제조방법
|
| 13 |
13
청구항 12에 있어서,상기 (a) 단계는상기 금속 산화물 나노입자를 코팅한 후에, 450 ~ 550 ℃에서 10 ~ 60 분간 열처리하는 단계;를 포함하는 페로브스카이트 태양전지의 제조방법
|
| 14 |
14
청구항 12에 있어서,상기 (b) 단계는상기 금속 산화물 페이스트를 코팅한 후에, 450 ~ 550 ℃에서 10 ~ 120 분간 열처리하는 단계;를 포함하는 페로브스카이트 태양전지의 제조방법
|
| 15 |
15
청구항 12에 있어서,상기 페로브스카이트 물질은 하기 화학식 1로 표시되는 페로브스카이트 태양전지의 제조방법
|
| 16 |
16
청구항 15에 있어서,상기 (c) 단계는AX와 BX2를 1:1 비율로 유기용매에 용해하여 코팅한 후에, 40 ~ 160 ℃로 열처리하는 페로브스카이트 태양전지의 제조방법
|
| 17 |
17
청구항 15에 있어서,상기 (c) 단계는BX2를 유기 용매에 용해하여 코팅하고, 40 ~ 120 ℃에서 열처리하는 단계; 및코팅된 상기 BX2에, 유기 용매에 용해된 AX를 코팅하고, 40 ~ 160 ℃에서 열처리하는 단계;를 포함하는 페로브스카이트 태양전지의 제조방법
|
| 18 |
18
청구항 12에 있어서, 상기 (d) 단계는MoOX, MoS2, Sb2S3, GaAs, NiO, FeS2, ZnSe, CdTe, PbS, PbSe, 및 PbSSe으로 구성된 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질, 또는상기 확산방지층은 GaP, In2S3, WO3, Fe2O3, SnO2, CdS, CdSe, ZnO, TiO2, 및 ZnS으로 구성된 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질을 증착하는 페로브스카이트 태양전지의 제조방법
|
| 19 |
19
청구항 12에 있어서,상기 (e) 단계는 상기 정공전달물질을 유기 용매에 용해한 후에 코팅하는 페로브스카이트 태양전지의 제조방법
|
