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제1 전극층; 제2 전극층; 및 상기 제1 전극층과 상기 제2 전극층 사이에 형성된 정공수송층, 페로브스카이트 광흡수층 및 전자수송층;을 포함하고,상기 정공수송층은, 음이온성, 양이온성 또는 이 둘을 갖는 공액고분자 전해질 전하수송층을 포함하고,상기 공액고분자 전해질 전하수송층은, 양친성 표면 특성을 갖는 것인, 페로브스카이트 태양전지
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제1항에 있어서
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삭제
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제1항에 있어서,상기 공액고분자 전해질은, 상기 제1 전극의 표면에 대해 90° 이하의 접촉각을 갖는 것인, 페로브스카이트 태양전지
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제1 전극층; 제2 전극층; 및 상기 제1 전극층과 상기 제2 전극층 사이에 형성된 정공수송층, 페로브스카이트 광흡수층 및 전자수송층;을 포함하고,상기 정공수송층은, 음이온성, 양이온성 또는 이 둘을 갖는 공액고분자 전해질 전하수송층을 포함하고,상기 공액고분자 전해질은, 단위체당 2개 이상의 이온성 작용기를 갖는 것인,페로브스카이트 태양전지
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제5항에 있어서,상기 이온성 작용기는, 음이온성, 양이온성 또는 이 둘을 포함하고,상기 이온성 작용기는, 카복실레이트(-CO2-), 카보네이트 (-OCO2-), 포스페이트 (-PO42-), 포스포네이트 (-PO32-), 포스파이트 (-OPO22-), 술포네이트 (-SO3-), 술페이트(-SO4-), 할로겐 음이온 (halogen anion), BF4-, ClO4-, BrO4-, AsF6-, PF6-, SbF6-, 및 암모늄이온 (-N+R4, R은 H, 알킬기 또는 아릴기)으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것인, 페로브스카이트 태양전지
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제1항에 있어서,상기 공액고분자 전해질는, 티오페닐아민, 플루오렌, 페닐렌비닐렌, 티오펜, 아릴아민, 페닐렌, 비닐렌, 아쥴렌, 퓨란, 싸이에닐렌비닐렌 및 피롤로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 주쇄와 탄소수 4 내지 20의 알킬인 탄화수소; R-X-( R 은 탄소수 1 내지 20의 알킬, X는 아릴기(aryl), 헤테로아릴기, S, O, CO, COO 및 SOO에서 선택된다
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8
제1항에 있어서,상기 공액고분자 전해질은, MPSn-TMA, TPAFSn-TMA(n은 1 이상의 정수이고, 이온성 작용기의 수이다
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제1항에 있어서,상기 공액고분자 전해질은, 하기의 화학식으로 표시되는, MPS2-TMA, MPS4-TMA, MPS6-TMA, TPAFS3-TMA, TPAFS5-TMA 및 TPAFS7-TMA로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것인, 페로브스카이트 태양전지:[화학식 1][화학식 2][화학식 3][화학식 4][화학식 5][화학식 6]
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제1 전극층을 준비하는 단계;상기 제1 전극층 상에 정공수송층을 형성하는 단계;상기 정공수송층 상에 페로브스카이트 화합물을 포함하는 광흡수층을 형성하는 단계;상기 광흡수층 상에 전자수송층을 형성하는 단계; 및 상기 전자수송층 상에 제2 전극층을 형성하는 단계; 를 포함하고,상기 정공수송층은, 음이온성, 양이온성 또는 이 둘을 갖는 공액고분자 전해질 전하수송층을 포함하는 것인,제1항 또는 제5항의 페로브스카이트 태양전지의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 페로브스카이트 화합물을 포함하는 광흡수층을 형성하는 단계는, 용액 공정을 이용하는 것인, 페로브스카이트 태양전지의 제조방법
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제1 전극층을 준비하는 단계;상기 제1 전극층 상에 정공수송층을 형성하는 단계;상기 정공수송층 상에 페로브스카이트 화합물을 포함하는 광흡수층을 형성하는 단계;상기 광흡수층 상에 전자수송층을 형성하는 단계; 및 상기 전자수송층 상에 제2 전극층을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 정공수송층은, 음이온성, 양이온성 또는 이 둘을 갖는 공액고분자 전해질 전하수송층을 포함하고,상기 정공수송층을 형성하는 단계는, 0
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