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섬유형 소스 섬유; 섬유형 드레인 섬유; 상기 소스 섬유 및 드레인 섬유를 둘러싸도록 제공되는 이온젤 층; 및 상기 이온젤 층 외측 일부에 위치되는 게이트;를 포함하고, 상기 소스 섬유 및 드레인 섬유는 서로 꼬여진(twisted) 상태로 적어도 하나 이상의 접촉면이 형성되는 것을 특징으로 하는, 섬유형 트랜지스터
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제1항에 있어서, 상기 소스 섬유는, 전도성 파이버; 및 상기 전도성 파이버 외주면에 형성되는 반도체층;을 포함하는 것을 특징으로 하는, 섬유형 트랜지스터
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제1항에 있어서, 상기 드레인 섬유는, 전도성 파이버; 및 상기 전도성 파이버 외주면에 형성되는 반도체층;을 포함하는 것을 특징으로 하는, 섬유형 트랜지스터
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제1항에 있어서, 상기 소스 섬유 및 드레인 섬유는, 길이 방향으로 교차로 서로 꼬여진(twisted) 것을 특징으로 하는,섬유형 트랜지스터
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제1항에 있어서, 상기 소스 섬유 및 드레인 섬유는,상기 소스 섬유 및 드레인 섬유 중 어느 하나의 섬유 길이 방향을 따라 상기 섬유 이외의 다른 섬유가 나선형으로 감겨있는 것을 특징으로 하는섬유형 트랜지스터
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제1항에 있어서, 상기 게이트는, 상기 이온젤 층의 길이 방향을 따라 나선형으로 감겨져 있는 것을 특징으로 하는, 섬유형 트랜지스터
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제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 전도성 파이버는, 전도성 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는,섬유형 트랜지스터
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제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 반도체 층은, 유기 반도체, 산화물 반도체, 금속산화물 반도체 및 탄소화합물 반도체 중 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는, 섬유형 트랜지스터
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제1항에 있어서, 상기 이온젤 층은, 1-에틸-3-메틸이미다졸리움 비스(트리플루오로메틸술포닐)이미드(1-ethyl-3-methylimidazolium bis(trifluoromethylsulfonyl)imide; [EMIM][TFSI]), 폴리(비닐 포스포닉 액시드-코-아크릴릭 액시드)(poly(vinyl phosphonic acid-co-acrylic acid); P(VPA-AA)), 폴리(스티렌 술포닉 액시드(poly(styrene sulfonic acid); PSSH), 폴리 에틸렌 옥사이드(poly ethylene oxide; PEO) 매트릭스 중의 NaCl, 폴리플루오린화비닐리덴(PVDF(polyvinylidenefluoride)), 1-부틸-3-메틸이미다졸륨 비스(트리플루오로메탄술폰이미드)(1-butyl-3-methylimidazolium bis (trifluoromethanesulfonimide) ([bmim][Tf2N]), 고분자 IL 폴리(1-비닐-3-메틸이미다졸륨 비스(트리-플루오로메탄술폰이미드)(폴리[ViEtIm][Tf2N])(polymer IL poly(1-vinyl-3-methylimidazolium bis(tri-fluoromethanesulfonimide) (poly[ViEtIm][Tf2N]), PEO/LiTFSI, 1-부틸-3-메틸이미다졸륨 헥사플루오로포스페이트(1-butyl-3-methylimidazolium hexafluorophosphate; [BMIM][PF6]), 및 1-에틸-3-메틸이미다졸륨 n-옥틸술페이트(1-ethyl-3-methylimidazolium n-octylsulfate; [EMIM][OctOSO3]) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 이온젤 트랜지스터
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(a)섬유형 소스 섬유를 제조하는 단계; (b)섬유형 드레인 섬유를 제조하는 단계; (c)상기 소스 섬유 및 드레인 섬유가 적어도 하나 이상의 접촉면이 형성되도록 서로 꼬아주는(twisting) 단계; (d) 상기 꼬여진 상기 소스 섬유 및 상기 드레인 섬유를 둘러싸도록 이온젤 층을 형성하는 단계; 및 (e) 상기 이온젤 층 외측 일부에 게이트를 위치시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는, 섬유형 트랜지스터 제조 방법
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제10항에 있어서, 상기 (a) 및 (b) 단계는, 전도성 파이버를 준비하는 단계; 및 상기 전도성 파이버 외주면에 반도체층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 섬유형 트랜지스터 제조 방법
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제10항에 있어서, 상기 (c) 단계에서, 상기 소스 섬유 및 드레인 섬유는, 길이 방향으로 교차로 서로 꼬여진(twisted) 것을 특징으로 하는, 섬유형 트랜지스터 제조 방법
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제10항에 있어서, 상기 (c) 단계에서, 상기 소스 섬유 및 드레인 섬유는,상기 소스 섬유 및 드레인 섬유 중 어느 하나의 섬유 길이 방향을 따라 상기 섬유 이외의 다른 섬유가 나선형으로 감겨지는 것을 특징으로 하는, 섬유형 트랜지스터 제조 방법
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제10항에 있어서, 상기 (d) 단계는, 에어로졸 젯 프린팅, 잉크 젯 프린팅, 전사 프린팅, 스핀코팅, 딥코팅 및 캐스팅 중 어느 하나의 방법에 의해 이온젤 층이 형성되는 것을 특징으로 하는, 섬유형 트랜지스터 제조 방법
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제10항에 있어서, 상기 (e) 단계에서, 상기 게이트는, 상기 이온젤 층 길이 방향을 따라 나선형, 평행 및 트위스트 중 어느 한 형태로 위치되는 것을 특징으로 하는, 섬유형 트랜지스터 제조 방법
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