맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

저온 용액공정을 이용한 산화물 반도체의 제조방법 및 산화물 반도체(Method of manufacturing oxide semiconductor by a solution-based deposition method and oxide semiconductor)

  • 기술번호 : KST2018005958
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판을 준비하는 단계; 상기 기판 상에 산화물 반도체 물질을 함유하는 조성물을 코팅하는 단계; 및 상기 기판 상에 코팅된 상기 산화물 반도체 물질에 레이저를 이용하여 상기 산화물 반도체 물질을 결정화시킴으로써, 산화물 반도체층을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 산화물 반도체 물질을 함유하는 조성물은 연료(fuel) 물질을 포함하고, 상기 레이저가 조사됨에 따라 상기 연료 물질은 발열반응을 발생시킬 수 있는, 저온 용액공정을 이용한 산화물 반도체의 제조방법 및 상기 제조방법에 의해 구현된 산화물 반도체를 제공한다.
Int. CL H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 21/225 (2006.01.01) H01L 21/268 (2006.01.01) H01L 21/324 (2017.01.01) H01L 21/28 (2006.01.01)
CPC H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01)
출원번호/일자 1020160147665 (2016.11.07)
출원인 인하대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1992480-0000 (2019.06.18)
공개번호/일자 10-2018-0050971 (2018.05.16) 문서열기
공고번호/일자 (20190624) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.11.07)
심사청구항수 2

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 미추홀구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 최리노 대한민국 서울특별시 마포구
2 최재원 대한민국 인천광역시 부평구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김남식 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
2 이인행 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
3 김한 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 인천광역시 미추홀구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.11.07 수리 (Accepted) 1-1-2016-1087440-16
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5036549-31
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2018.03.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2018.06.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0091182-41
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.07.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0489594-48
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.09.19 수리 (Accepted) 1-1-2018-0932634-11
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.09.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0932635-56
8 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2018.12.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0851007-17
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266647-91
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.02.11 수리 (Accepted) 1-1-2019-0140776-10
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2019.02.11 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2019-0140777-55
12 등록결정서
Decision to grant		 2019.03.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0207168-11
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판을 준비하는 단계; 상기 기판 상에 산화물 반도체 물질을 함유하는 조성물을 코팅하는 단계; 및상기 기판 상에 코팅된 상기 산화물 반도체 물질에 가시광 파장 대역을 갖는 레이저를 이용하여 상기 산화물 반도체 물질을 결정화시킴으로써, 산화물 반도체층을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 산화물 반도체 물질을 함유하는 조성물은 연료(fuel) 물질을 포함하고, 상기 레이저가 조사됨에 따라 상기 레이저의 에너지에 의해 상기 연료 물질의 화학반응이 시작되며, 상기 화학반응으로 인한 발열반응이 발생되어 배출된 열 및 상기레이저의 에너지에 의해 비정질 구조를 갖는 상기 산화물 반도체 물질이 (222) 결정면으로 결정화되고,상기 기판 상에 산화물 반도체 물질을 함유하는 조성물을 코팅하는 단계; 이전에,상기 기판 상에 제 1 절연층을 형성하는 단계;식각공정을 이용하여 상기 제 1 절연층의 적어도 일부를 제거하여 패턴을 형성하는 단계;상기 패턴된 제 1 절연층과 노출된 상기 기판 상에 제 2 절연층을 형성하는 단계;상기 제 2 절연층 상에 투명전극층을 형성하는 단계;식각공정을 이용하여 상기 제 1 절연층 패턴과 대응되도록 상기 투명 전극층의 적어도 일부를 제거하여 패턴을 형성하는 단계; 및상기 패턴된 투명 전극층과 노출된 제 2 절연층 상에 산화물 반도체 물질을 함유하는 조성물을 코팅하는 단계;를 포함하는,저온 용액공정을 이용한 산화물 반도체의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 산화물 반도체층을 형성하는 단계는,상기 기판 상에 코팅된 상기 산화물 반도체 물질을 함유하는 조성물을 가열함으로써, 상기 산화물 반도체 물질을 함유하는 조성물의 용매를 제거한 후 상기 레이저를 조사하는 단계를 포함하는,저온 용액공정을 이용한 산화물 반도체의 제조방법
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 인하대학교 나노소재기술개발사업 차세대 초절전 집적 공정 플랫폼 개발
2 산업통산자원부 인하대학교 전자정보디바이스산업원천기술개발사업 시퀀셜 소자 적층을 위한 초저온 전공정 집적 기술