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미세전극칩의 비전극 부분을 절연하는 절연막 형성 방법 및 이에 따라 제조된 미세전극칩(METHOD FOR MAKING INSULATOR OF MICROELECTRODE ARRAYS AND THE MICROELECTRODE ARRAYS)

  • 기술번호 : KST2018006003
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 미세전극칩의 비전극 영역을 절연하는 절연막 형성 방법에 있어서, 절연막이 마모된 미세전극칩을 준비하는 (a)단계; 상기 미세전극칩의 전극 영역에 대응되는 형상으로 제작된 스탬핑 몰드를 상기 (a)단계에서 준비된 미세전극칩의 전극 영역에 접촉시키는 (b)단계; 및 상기 (b)단계 이후, 상기 스탬핑 몰드가 미세전극칩의 전극 영역에 접촉되어 공간이 형성된 비전극 영역에 모세관 현상을 이용하여 절연 용액을 침투시키는 (c)단계를 포함하여, 모세관 현상을 이용한 공정으로 절연물을 충진하여 미세공정 없이도 미세전극칩을 재사용할 수 있도록 절연막을 형성시킨다.본 발명은 절연막이 마모된 미세전극칩을 재활용할 수 있도록 절연막 형성 방법을 제공한다. (a)단계 내지 (d)단계를 참조하면, 본 발명에 따른 절연막 형성 방법은 절연막의 상태조건에 영향을 받지 않고, 미세전극칩 상에 절연막을 형성할 수 있다. 특히, 스탬핑 몰드와 모세관 현상을 이용한 절연막 형성은 별도의 미세공정 없이도 미세전극칩 절연막을 평탄하게 형성시킬 수 있다. 이를 통해, 초도 생산되어 공급되었던 미세전극칩의 재활용을 간단하고 저렴한 공정으로 수행할 수 있다.
Int. CL H01B 13/06 (2006.01.01) H01B 13/16 (2006.01.01) H01B 13/00 (2006.01.01) A61N 1/04 (2006.01.01)
CPC H01B 13/06(2013.01) H01B 13/06(2013.01) H01B 13/06(2013.01) H01B 13/06(2013.01) H01B 13/06(2013.01)
출원번호/일자 1020160148588 (2016.11.09)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0052136 (2018.05.18) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.11.09)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 남윤기 대한민국 대전광역시 유성구
2 주성훈 대한민국 대전광역시 유성구
3 김대정 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.11.09 수리 (Accepted) 1-1-2016-1094029-28
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.10.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2018.03.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0046861-90
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.04.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0250447-18
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.06.11 수리 (Accepted) 1-1-2018-0568027-12
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.06.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0568041-52
7 등록결정서
Decision to grant		 2018.09.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0660826-69
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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미세전극칩의 비전극 영역을 절연하는 절연막 형성 방법에 있어서,(a) 절연막이 마모된 미세전극칩을 준비하는 단계;(b) 상기 미세전극칩의 전극 영역에 대응되는 형상으로 제작된 스탬핑 몰드를 상기 (a)단계에서 준비된 미세전극칩의 전극 영역에 접촉시키는 단계;(c) 상기 (b)단계 이후, 상기 스탬핑 몰드가 미세전극칩의 전극 영역에 접촉되어 공간이 형성된 비전극 영역에 모세관 현상을 이용하여 절연 용액을 침투시키는 단계; 및(d) 상기 (c)단계 이후, 상기 미세전극칩에 자외선을 조사하여 상기 비전극 영역에 침투된 절연 용액을 경화시키는 단계를 포함하여,모세관 현상을 이용한 공정으로 절연물을 충진하여 미세공정 없이도 미세전극칩을 재사용할 수 있도록 절연막을 형성시키고,상기 (c)단계는,포토 레지스트(SU8) 용액을 상기 절연 용액으로 사용하여 상기 비전극 영역에 침투시키고,상기 (d)단계는,상기 미세전극칩을 열처리하여 상기 절연 용액의 용매를 증발시키는 소프트 베이킹(Soft-Baking) 단계를 포함하여 상기 절연막이 경화되는 과정에서 형성하는 표면을 평탄화하는 것을 특징으로 하는 절연막 형성 방법
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제 1 항에 있어서,상기 (b)단계는,상기 스탬핑 몰드가 상기 미세전극칩의 전극 영역에 핀 접촉되도록 신장된 돌출부를 갖는 요철구조로 제작되어, 상기 (a)단계에서 준비된 미세전극칩의 전극 영역에 상기 돌출부가 접촉됨에 따라 미세전극칩의 비전극 영역에 이격된 공간이 형성되는 것을 특징으로 하는 절연막 형성 방법
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제 1 항에 있어서,상기 (c)단계는,광학 접착제(NOA81: Norland Optical Adhesive 81) 레진 용액을 상기 절연 용액으로 사용하여 상기 비전극 영역에 침투시키는 것을 특징으로 하는 절연막 형성 방법
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5 5
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