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기판 상에서 제1 방향으로 연장되는 핀형(fin-type) 채널 구조체;상기 핀형 채널 구조체의 양 단부에 각기 형성되는 제1 및 제2 전극;상기 제1 및 제2 전극 사이에서 노출되는 상기 핀형 채널 구조체의 상면 및 양 측면의 적어도 일부를 덮는 절연층; 및상기 절연층 상에 형성되는 나노 구조체;을 포함하는, 자외선 센서
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제1 항에 있어서,상기 나노 구조체는,금속 산화물, 금속, 화합물 반도체, 산화물 반도체 또는 이들의 조합으로 이루어진, 자외선 센서
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제1 항에 있어서,상기 나노 구조체는,나노로드(nanorod), 나노튜브(nanotube), 나노와이어(nanowire), 나노리프(nanoleaf), 꽃 형상(flower-like shape), 나노벨트(nanobelt), 나노링(nanoring), 나노헬릭스(nanohelix), 나노보우(nanobow), 나노도트(nanodot), 및 성게 형상(urchin shape) 중 어느 하나의 형상을 갖는, 자외선 센서
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제1 항에 있어서,상기 나노 구조체의 단위 면적당 밀도는,상기 핀형 채널 구조체의 상면 상에서 보다 상기 핀형 채널 구조체의 양 측면 상에서 큰, 자외선 센서
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5
제1 항에 있어서,상기 핀형 채널 구조체는,상기 기판 상에서 순차적으로 적층되는 제1 및 제2 화합물 반도체층을 포함하는, 자외선 센서
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6
제5 항에 있어서,상기 제1 화합물 반도체층은, 상기 제2 화합물 반도체층과의 계면과 인접한 영역에서 채널 캐리어로서 2차원 전자 가스(2-dimensional electron gas)를 갖는 채널 영역을 포함하는, 자외선 센서
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7
제1 항에 있어서,상기 절연층은, 상기 제1 및 제2 전극 사이에서 노출되는 상기 핀형 채널 구조체의 상면 및 양 측면을 일부 덮는, 자외선 센서
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8
제1 항에 있어서,상기 절연층은, 상기 제1 및 제2 전극 사이에서 노출되는 상기 핀형 채널 구조체의 상면 및 양 측면을 전부 덮는, 자외선 센서
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9
제1 항에 있어서,상기 기판과 상기 핀형 채널 구조체 사이에 개재되는 버퍼층;을 더 포함하는, 자외선 센서
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10
기판 상에 버퍼층, 제1 및 제2 화합물 반도체층을 순차적으로 형성하는 단계;상기 제1 및 제2 화합물 반도체층의 일부를 제거하여, 상기 기판 상에서 제1 방향으로 연장되는 핀형 채널 구조체를 형성하는 단계;상기 핀형 채널 구조체를 덮는 절연층을 형성하는 단계;상기 절연층의 일부를 제거하여, 상기 핀형 채널 구조체의 양측 단부를 노출시키는 단계;상기 노출된 양측 단부 상에 제1 및 제2 전극을 형성하는 단계; 및상기 핀형 채널 구조체의 상면의 일부 및 양 측면의 일부를 덮는 절연층 위에 나노 구조체를 형성하는 단계;를 포함하는, 자외선 센서의 제조 방법
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제10 항에 있어서,상기 핀형 채널 구조체를 형성하는 단계는,상기 제2 화합물 반도체층 상에 상기 제1 방향으로 연장되는 패턴을 형성하는 단계;상기 패턴을 식각 마스크로 이용하는 식각 공정을 통해 상기 버퍼층이 노출되도록 상기 제1 및 제2 화합물 반도체층을 제거하여, 상기 핀형 채널 구조체를 형성하는 단계;를 포함하는, 자외선 센서의 제조 방법
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12
제10 항에 있어서,상기 나노 구조체를 형성하는 단계는,상기 핀형 채널 구조체의 상면의 일부 및 양 측면의 일부를 덮는 절연층 위에 씨드층을 형성하는 단계; 및상기 씨드층이 형성된 부분에서만 선택적으로 상기 나노 구조체를 성장시키는 단계;를 포함하는, 자외선 센서의 제조 방법
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