1 |
1
기판;상기 기판 상에 제공되는 접지층;상기 접지층 상에 제공되어, 광신호를 생성하는 EML 칩;상기 EML 칩 상에 제공되어, 상기 접지층과 전기적으로 연결되는 접지 구조체;상기 접지 구조체 상에 제공되는 매칭 저항; 상기 EML 칩과 상기 매칭 저항 사이에 제공되어, 상기 EML 칩과 상기 매칭 저항을 전기적으로 연결하는 제1 와이어 본딩을 포함하는 광 송신 모듈
|
2 |
2
제 1 항에 있어서,상기 접지 구조체 상에 제공되어, 상기 접지 구조체와 전기적으로 연결되는 커패시터; 및상기 커패시터와 상기 매칭 저항 사이에 제공되어, 상기 커패시터와 상기 매칭 저항을 전기적으로 연결하는 제2 와이어 본딩을 더 포함하되,상기 커패시터는 직류 전류 신호를 차단하는 광 송신 모듈
|
3 |
3
제 2 항에 있어서,상기 접지 구조체는:상기 EML 칩으로부터 이격되는 접지판; 및상기 접지판과 상기 접지층 사이에 제공되는 한 쌍의 지지부들을 포함하되,상기 접지판은 상기 접지층과 전기적으로 연결되는 광 송신 모듈
|
4 |
4
제 3 항에 있어서,상기 접지판은 상기 기판의 상면에 평행한 제1 방향을 따라 서로 마주하는 제1 단부 및 제2 단부를 포함하고, 평면적 관점에서, 상기 EML 칩은 상기 접지판의 상기 제1 및 제2 단부들 사이에 제공되고,상기 한 쌍의 지지부들의 각각은 상기 접지판의 상기 제1 단부와 상기 접지층 사이 및 상기 접지판의 상기 제2 단부와 상기 접지층 사이에 제공되는 광 송신 모듈
|
5 |
5
제 4 항에 있어서,상기 기판으로부터 수평적으로 배치되는 평면광회로칩을 더 포함하되,상기 접지판은, 상기 기판의 상면에 평행하고 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 서로 마주하는 제3 단부 및 제4 단부를 포함하고, 상기 접지판의 상기 제3 단부는 상기 기판과 수직적으로 중첩되고, 상기 접지판의 상기 제4 단부는 상기 평면광회로칩과 수직적으로 중첩되는 광 송신 모듈
|
6 |
6
제 5 항에 있어서,평면적 관점에서, 상기 접지판의 상기 제4 단부는 상기 한 쌍의 지지부들로부터 상기 제2 방향으로 돌출되는 광 송신 모듈
|
7 |
7
제 3 항에 있어서,상기 접지판은 구리(Cu), 텅스텐(W), 구리-텅스텐 합금(CuW), 스테인레스(SUS) 또는 이들의 조합을 포함하고,상기 접지판의 표면은 크롬/금(Cr/Au), 크롬/니켈/금(Cr/Ni/Au), 니켈/팔라듐/금(Ni/Pd/Au) 또는 티타늄/백금/금(Ti/Pt/Au)으로 코팅되는 광 송신 모듈
|
8 |
8
제 3 항에 있어서,상기 접지판은 도전막 및 상기 도전막과 상기 한 쌍의 지지부들 사이에 제공되는 유전층을 포함하되,상기 도전막은 상기 접지층과 전기적으로 연결되는 광 송신 모듈
|
9 |
9
제 8 항에 있어서,상기 도전막과 상기 접지층 사이에 제공되어, 상기 도전막과 상기 접지층을 전기적으로 연결하는 제3 와이어 본딩을 더 포함하는 광 송신 모듈
|
10 |
10
제 3 항에 있어서,상기 한 쌍의 지지부들은 도전 물질을 포함하고,상기 접지판과 상기 접지층은 상기 한 쌍의 지지부들을 통해 서로 전기적으로 연결되는 광 송신 모듈
|
11 |
11
제 3 항에 있어서,상기 접지판과 상기 접지층 사이에 제공되어, 상기 접지판과 상기 접지층을 전기적으로 연결하는 제3 와이어 본딩을 더 포함하되,상기 한 쌍의 지지부들은 유전 물질을 포함하는 광 송신 모듈
|
12 |
12
제 2 항에 있어서,상기 매칭 저항 및 상기 커패시터는 각각 표면실장소자(surface-mount devices, SMD)형 저항 및 표면실장소자형 커패시터인 광 송신 모듈
|
13 |
13
제 2 항에 있어서,상기 EML 칩은:CW(continuous wave) 광을 생성하는 광원; 상기 광원으로부터 상기 CW 광을 전달받아 상기 광신호를 생성하는 EAM;상기 EAM에 입력되는 고주파 전압 신호와 상기 EAM으로부터 출력되는 고주파 전압 신호를 전파하는 고주파 전송 선로; 및상기 고주파 전송 선로의 양단에 제공되는 입력단 전극 및 출력단 전극을 포함하되,평면적 관점에서, 상기 접지판은 상기 출력단 전극으로부터 이격되고,상기 매칭 저항은 상기 고주파 전송 선로와 임피던스 매칭되는 광 송신 모듈
|
14 |
14
제 2 항에 있어서,상기 고주파 전송 선로는:상기 입력단 전극과 상기 EAM 전극 사이에 제공되는 제1 고주파 전송 선로; 및상기 EAM과 상기 출력단 전극 사이에 제공되는 제2 고주파 전송 선로를 포함하되, 상기 제1 및 제2 고주파 전송 선로들은 진행파 마이크로스트립(microstrip) 선로를 포함하는 광 송신 모듈
|
15 |
15
기판;상기 기판 상에 제공되는 접지층;상기 접지층 상에 제공되어, 광신호를 생성하는 다채널 EML 칩;상기 다채널 EML 칩 상에 제공되어, 상기 접지층과 전기적으로 연결되는 접지 구조체;상기 접지 구조체 상에 제공되는 복수의 매칭 저항들; 상기 다채널 EML 칩의 채널들과 상기 복수의 매칭 저항들 사이에 제공되어, 상기 다채널 EML 칩의 상기 채널들과 상기 복수의 매칭 저항들을 각각 전기적으로 연결하는 복수의 제1 와이어 본딩들;상기 접지 구조체 상에 제공되어, 상기 접지 구조체와 전기적으로 연결되는 복수의 커패시터들; 및상기 복수의 커패시터들과 상기 복수의 매칭 저항들 사이에 제공되어, 상기 복수의 커패시터들과 상기 복수의 매칭 저항들을 각각 전기적으로 연결하는 복수의 제2 와이어 본딩들을 포함하는 광 송신 모듈
|
16 |
16
제 15 항에 있어서,상기 복수의 제1 와이어 본딩들의 길이는 서로 동일한 광 송신 모듈
|
17 |
17
제 15 항에 있어서,상기 복수의 제2 와이어 본딩들의 길이는 서로 동일한 광 송신 모듈
|