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가파른 기울기의 저항변화를 갖는 원자기반 스위칭 소자 및 이를 포함하는 원자기반 전계효과 트랜지스터(Atom-based Switching Device having Steep-slope resistance Change and Atom-based Field-effect-transistor having the same)

  • 기술번호 : KST2018006960
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 가파른 기울기의 저항변화를 갖는 원자기반 스위칭 소자 및 이를 포함하는 원자기반 전계효과 트랜지스터를 제공한다. 본 발명에 따른 원자기반 스위칭 소자는 상부 전극 및 하부 전극 사이에 Cu 또는 Ag가 도핑된 칼코게나이드 절연층을 삽입함으로써, 낮은 오프 전류, 높은 온/오프 저항 비 및 낮은 구동 전압을 유지하면서 낮은 문턱 전압 이하 기울기를 갖는 스위칭 소자를 구현할 수 있으며, 이러한 원자기반 스위칭 소자를 포함하는 원자기반 전계효과 트랜지스터를 제공함으로써, 낮은 오프 전류, 동작 전압 및 가파른 문턱 전압 이하 기울기를 가지는 원자기반 전계효과 트랜지스터를 구현 할 수 있다.
Int. CL H01L 45/00 (2006.01.01) H01L 29/78 (2006.01.01)
CPC H01L 45/141(2013.01) H01L 45/141(2013.01) H01L 45/141(2013.01)
출원번호/일자 1020160155114 (2016.11.21)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0057763 (2018.05.31) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.11.21)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황현상 대한민국 대구광역시 수성구
2 임석재 대한민국 경상북도 구미시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.11.21 수리 (Accepted) 1-1-2016-1135698-48
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2018.01.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2018.03.08 수리 (Accepted) 9-1-2018-0008670-24
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.03.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0188758-13
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.05.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0497481-84
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.05.21 수리 (Accepted) 1-1-2018-0497480-38
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2018.09.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0638405-90
8 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
 2018.10.05 수리 (Accepted) 1-1-2018-0982802-91
9 법정기간연장승인서
 2018.10.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0157414-43
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.11.16 수리 (Accepted) 1-1-2018-1144239-96
11 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2018.11.16 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-1144240-32
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2018.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0818887-49
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 전극;상기 제1 전극 상에 형성되고, 전도성 필라멘트의 생성과 소멸이 이루어지는 절연층; 및상기 절연층 상에 형성되는 제2 전극을 포함하고,상기 절연층은 칼코게나이드(Chalcogenide) 물질을 포함하는 원자기반 스위칭 소자
2 2
제1항에 있어서,상기 칼코게나이드 물질은 Cu 또는 Ag를 포함하는 원자기반 스위칭 소자
3 3
제2항에 있어서,상기 Cu 또는 Ag를 포함하는 칼코게나이드 물질은 CuxS(1003c#x003c#2), CuxSe(1003c#x003c#2), CuxTe(1003c#x003c#2), CuxGeyS(1003c#x003c#2,1003c#y003c#2), CuxGeySe(1003c#x003c#2,1003c#y003c#2), CuxGeyTe (1003c#x003c#2,1003c#y003c#2), AgxS(1003c#x003c#2), AgxSe(1003c#x003c#2), AgxTe(1003c#x003c#2), AgxGeyS(1003c#x003c#2,1003c#y003c#2), AgxGeySe(1003c#x003c#2,1003c#y003c#2) 및 AgxGeyTe(1003c#x003c#2,1003c#y003c#2) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 원자기반 스위칭 소자
4 4
제1항에 있어서,상기 절연층의 두께는 1nm 내지 100nm인 것인 원자기반 스위칭 소자
5 5
제1항에 있어서,상기 제1 전극을 구성하는 물질은 Pt, Ir, W, Au, Ru, RuO2, Ta, TaN, Ti 및 TiN 중 적어도 어느 하나를 포함하는 원자기반 스위칭 소자
6 6
제1항에 있어서,상기 제2 전극을 구성하는 물질은 Pt, Ir, W, Au, Ru, RuO2, Ta, TaN, Ti 및 TiN 중 적어도 어느 하나를 포함하는 원자기반 스위칭 소자
7 7
제1항에 있어서,상기 전도성 필라멘트는 인가되는 동작 전류에 따라 휘발 특성을 갖는 것인 원자기반 스위칭 소자
8 8
반도체 기판;상기 반도체 기판 표면 상부에 위치하는 채널 영역, 상기 채널 영역을 사이에 두고 서로 이격되어 배치되는 소스 전극과 드레인 전극; 및상기 채널 영역 상부에 위치하는 게이트 전극을 포함하되,상기 소스 전극 또는 상기 드레인 전극에 원자기반 스위칭 소자가 연결되고,상기 원자기반 스위칭 소자는,상기 소스 전극 또는 드레인 전극에 연결된 제1 전극;상기 제1 전극 상에 형성되고, 전도성 필라멘트의 생성과 소멸이 이루어지는 절연층; 및상기 절연층 상에 형성되는 제2 전극을 포함하고,상기 절연층은 칼코게나이드(Chalcogenide) 물질을 포함하는 원자기반 전계효과 트랜지스터
9 9
제8항에 있어서,상기 원자기반 스위칭 소자는, 상기 원자기반 전계효과 트랜지스터의 문턱 전압 이하 기울기(subthreshold slope) 값이 60 mV/dec 이하가 되도록 하는 것을 특징으로 하는 원자기반 전계효과 트랜지스터
10 10
제8항에 있어서,상기 칼코게나이드 물질은 Cu 또는 Ag를 포함하는 원자기반 전계효과 트랜지스터
11 11
제10항에 있어서,상기 Cu 또는 Ag를 포함하는 칼코게나이드 물질은 CuxS(1003c#x003c#2), CuxSe(1003c#x003c#2), CuxTe(1003c#x003c#2), CuxGeyS(1003c#x003c#2,1003c#y003c#2), CuxGeySe(1003c#x003c#2,1003c#y003c#2), CuxGeyTe (1003c#x003c#2,1003c#y003c#2), AgxS(1003c#x003c#2), AgxSe(1003c#x003c#2), AgxTe(1003c#x003c#2), AgxGeyS(1003c#x003c#2,1003c#y003c#2), AgxGeySe(1003c#x003c#2,1003c#y003c#2) 및 AgxGeyTe(1003c#x003c#2,1003c#y003c#2) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 원자기반 전계효과 트랜지스터
12 12
제8항에 있어서,상기 절연층의 두께는 1nm 내지 100nm인 것인 원자기반 전계효과 트랜지스터
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 포항공과대학교 산학협력단 산업원천기술개발사업(산업기술) 100 NSEC의 PROGRAM/ERASE SPEED를 갖는 100 NM 이하의 초저전력 RECONFIGURABLE 반도체 소자 (ATOMIC SWITCH, NEMS 소자) 및 소재 원천 기술개발