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정전기 방전 보호 소자 및 이를 포함하는 전자 디바이스

  • 기술번호 : KST2018007970
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 정전기 방전 보호 소자 및 이를 포함하는 전자 디바이스에 관한 것이다. 본 발명의 실시예에 따른 정전기 방전 보호 소자 및 이를 포함하는 전자 디바이스는 제1 P웰, 제2 P웰, N웰, N+ 브릿지 영역, P+ 브릿지 영역, 제1 N+ 영역, 제1 P+ 영역, 제2 N+ 영역, 제2 P+ 영역 및 게이트를 포함한다. N웰은 제1 P웰 및 제2 P웰 사이에 배치된다. N+ 브릿지 영역은 제2 P웰 및 N웰의 접합 영역에 형성된다. P+ 브릿지 영역은 제1 P웰 및 N웰의 접합 영역에 형성된다. 제1 N+ 영역 및 제1 P+ 영역은 제1 P웰에 형성되고, 애노드 단자에 연결된다. 제2 N+ 영역 및 제2 P+ 영역은 제2 P웰에 형성되고, 캐소드 단자에 연결된다. 게이트는 N+ 브릿지 영역 및 제2 N+ 영역 사이의 제2 P웰 상에 배치된다. 본 발명의 실시예에 따른 정전기 방전 보호 소자는 트리거 전압을 낮추고, 전류구동능력을 향상시킨다.
Int. CL H01L 27/02 (2006.01.01)
CPC H01L 27/0251(2013.01) H01L 27/0251(2013.01) H01L 27/0251(2013.01)
출원번호/일자 1020160167031 (2016.12.08)
출원인 한국전자통신연구원, 단국대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0066391 (2018.06.19) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.03.27)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 단국대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 수지구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김상기 대한민국 대전시 유성구
2 구용서 대한민국 경기도 용인시 수지구
3 박건식 대한민국 대전시 유성구
4 박종문 대한민국 대전시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.12.08 수리 (Accepted) 1-1-2016-1206214-18
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2020.03.27 수리 (Accepted) 1-1-2020-0323923-31
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2020.07.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.10.26 수리 (Accepted) 4-1-2020-5239146-54
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
베이스 기판;상기 베이스 기판 상에 배치되는 제1 P웰;상기 베이스 기판 상에 배치되는 제2 P웰;상기 베이스 기판 상에 배치되고 상기 제1 P웰 및 상기 제2 P웰 사이에 배치되는 N웰;상기 제2 P웰 및 상기 N웰의 접합 영역에 형성되는 N+ 브릿지 영역;상기 제1 P웰 및 상기 N웰의 접합 영역에 형성되는 P+ 브릿지 영역;상기 제1 P웰에 형성되고, 제1 전압 단자에 연결되는 제1 N+ 영역;상기 제1 P웰에 형성되고, 상기 제1 전압 단자에 연결되는 제1 P+ 영역;상기 제2 P웰에 형성되고, 제2 전압 단자에 연결되는 제2 N+ 영역;상기 제2 P웰에 형성되고, 상기 제2 전압 단자에 연결되는 제2 P+ 영역; 및상기 N+ 브릿지 영역 및 상기 제2 N+ 영역 사이의 상기 제2 P웰 상에 배치되는 게이트를 포함하는 정전기 방전 보호 소자
2 2
제1 항에 있어서,상기 제1 전압 단자는 애노드 단자이고,상기 제2 전압 단자는 캐소드 단자인 정전기 방전 보호 소자
3 3
제1 항에 있어서,상기 베이스 기판은,P형 기판; 및상기 P형 기판 상에 배치되는 딥 N웰을 포함하는 정전기 방전 보호 소자
4 4
제1 항에 있어서,상기 게이트는 상기 제2 전압 단자에 연결되는 정전기 방전 보호 소자
5 5
제1 항에 있어서,상기 P+ 브릿지 영역은 상기 제1 전압 단자와 이격되어 배치되고, 플로팅되는 정전기 방전 보호 소자
6 6
제5 항에 있어서,상기 제2 N+ 영역은 상기 제2 P+ 영역 및 상기 N+ 브릿지 영역 사이에 형성되는 정전기 방전 보호 소자
7 7
제6 항에 있어서,상기 제1 N+ 영역, 상기 제1 P웰, 및 상기 N+ 브릿지 영역은 제1 트랜지스터를 형성하고,상기 제1 P+ 영역, 상기 N웰, 및 상기 제2 P+ 영역은 제2 트랜지스터를 형성하고,상기 N+브릿지 영역, 상기 제2 P웰, 및 상기 제2 N+ 영역은 제3 트랜지스터를 형성하고,상기 제1 트랜지스터 및 상기 제3 트랜지스터는 NPN 바이폴라 트랜지스터이고,상기 제2 트랜지스터는 PNP 바이폴라 트랜지스터인 정전기 방전 보호 소자
8 8
제1 항에 있어서,상기 N웰에 형성되고, 상기 P+ 브릿지 영역과 이격되어 배치되는 제3 P+ 영역을 더 포함하는 정전기 방전 보호 소자
9 9
제8 항에 있어서,상기 제3 P+ 영역은 상기 제2 전압 단자에 연결되는 정전기 방전 보호 소자
10 10
제9 항에 있어서,상기 P+ 브릿지 영역, 상기 N웰, 및 상기 제3 P+ 영역은 PNP 바이폴라 트랜지스터를 형성하는 정전기 방전 보호 소자
11 11
제1 항에 있어서,상기 N웰에 형성되고, 상기 P+ 브릿지 영역 및 상기 N+ 브릿지 영역 사이에 배치되는 제3 N+ 영역을 더 포함하는 정전기 방전 보호 소자
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제11 항에 있어서,상기 제3 N+ 영역은 플로팅되는 정전기 방전 보호 소자
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입력 전압을 수신하는 제1 전압 단자;접지되는 제2 전압 단자; 및상기 제1 전압 단자로부터 ESD 펄스를 수신하는 경우 상기 제1 전압 단자로부터 상기 제2 전압 단자로 방전 경로를 형성하는 제1 정전기 방전 보호 소자를 포함하고,상기 제1 정전기 방전 보호 소자는,베이스 기판;상기 베이스 기판 상에 배치되는 제1 P웰;상기 베이스 기판 상에 배치되는 제2 P웰;상기 베이스 기판 상에 배치되고 상기 제1 P웰 및 상기 제2 P웰 사이에 배치되는 N웰;상기 제2 P웰 및 상기 N웰의 접합 영역에 형성되는 N+ 브릿지 영역;상기 제1 P웰 및 상기 N웰의 접합 영역에 형성되는 P+ 브릿지 영역;상기 제1 P웰에 형성되고, 제1 전압 단자에 연결되는 제1 N+ 영역;상기 제1 P웰에 형성되고, 상기 제1 전압 단자에 연결되는 제1 P+ 영역;상기 제2 P웰에 형성되고, 제2 전압 단자에 연결되는 제2 N+ 영역;상기 제2 P웰에 형성되고, 상기 제2 전압 단자에 연결되는 제2 P+ 영역; 및상기 N+ 브릿지 영역 및 상기 제2 N+ 영역 사이의 상기 제2 P웰 상에 배치되는 게이트를 포함하는 전자 디바이스
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제13 항에 있어서,상기 입력 전압에 근거하여 변조 전압을 생성하는 입력 버퍼; 및상기 변조 전압을 수신하는 내부 회로를 더 포함하는 전자 디바이스
15 15
제13 항에 있어서,전원 전압을 수신하는 제3 전압 단자; 및상기 제1 전압 단자로부터 ESD 펄스를 수신하는 경우 상기 제1 전압 단자로부터 상기 제3 전압 단자로 방전 경로를 형성하는 제2 정전기 방전 보호 소자를 더 포함하는 전자 디바이스
16 16
제15 항에 있어서,일단이 상기 제3 전압 단자에 연결되고, 타단이 상기 제2 전압 단자에 연결되는 제3 정전기 방전 보호 소자를 더 포함하는 전자 디바이스
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패밀리정보가 없습니다
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