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적어도 한 종류 이상의 금속을 포함하는 바디 구조체(body structure) 및 함몰 패턴을 포함하는 마스터 기판을 준비하는 단계; 상기 바디 구조체를 양극(anode)으로 사용하고 상기 마스터 기판을 음극(cathode)으로 사용하는 전기화학식각 공정을 수행하여, 상기 바디 구조체 상에 제1 선폭(line width)을 갖고 상기 함몰 패턴의 함몰부에 대응하는 돌출부를 갖는 제1 패턴, 및 상기 돌출부를 갖는 상기 제1 패턴의 표면에 상기 제1 선폭 보다 좁은 제2 선폭을 갖고 상기 제1 패턴보다 작은 단차를 갖는 요철 구조의 제2 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 제1 패턴 및 상기 제2 패턴을 포함하는 상기 바디 구조체 상에 다이아몬드 막(layer)을 형성하는 단계를 포함하는 CMP 패드 컨디셔너의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 제1 패턴을 형성하는 단계는, 상기 바디 구조체 및 상기 마스터 기판 사이가 제1 거리만큼 이격되어 수행되고, 상기 제2 패턴을 형성하는 단계는, 상기 바디 구조체 및 상기 마스터 기판 사이가 상기 제1 거리 보다 증가된 제2 거리만큼 이격되어 수행되는 것을 포함하는 CMP 패드 컨디셔너의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 바디 구조체 및 상기 마스터 기판 사이의 거리가 증가함에 따라, 상기 제2 선폭이 좁아지는 것을 포함하는 CMP 패드 컨디셔너의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 마스터 기판을 준비하는 단계는, 마스크 패턴이 형성된 베이스 부재를 준비하는 단계; 상기 마스크 패턴을 마스크로 사용하여 상기 베이스 부재를 식각하는 방법으로, 상기 베이스 부재 상에 베이스 패턴을 형성하는 단계; 상기 베이스 부재 상에 금속판을 전착(electro deposition)하는 단계; 및 상기 금속판으로부터 상기 베이스 부재를 제거하여, 상기 베이스 패턴에 대응하는 상기 함몰 패턴을 갖는 상기 마스터 기판을 형성하는 단계를 포함하는 CMP 패드 컨디셔너의 제조 방법
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제4 항에 있어서, 상기 마스터 기판을 준비하는 단계는, 상기 함몰 패턴이 형성된 상기 금속판을 식각하여, 상기 함몰 패턴 표면에, 상기 함몰 패턴의 선폭 보다 좁은 선폭을 갖는 미세 패턴을 형성하는 단계를 더 포함하는 CMP 패드 컨디셔너의 제조 방법
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제5 항에 있어서, 상기 제1 패턴 및 상기 제2 패턴은 동일한 공정에서 형성되고, 상기 제2 패턴은 상기 미세 패턴에 대응되는 것을 포함하는 CMP 패드 컨디셔너의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 다이아몬드 막이 형성되기 전, 상기 제1 패턴 및 상기 제2 패턴이 형성된 상기 바디 구조체를 식각하여, 상기 바디 구조체가 포함하는 상기 금속들 중 적어도 어느 한 종류의 금속을 제거하는 단계를 더 포함하는 CMP 패드 컨디셔너의 제조 방법
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제7 항에 있어서, 제거되는 상기 금속은, 코발트(Co)를 포함하는 CMP 패드 컨디셔너의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 다이아몬드 막은 화학기상증착법(chemical vapor deposition)으로 형성되는 것을 포함하는 CMP 패드 컨디셔너의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 제1 패턴을 형성하는 단계 및 상기 제2 패턴을 형성하는 단계는, 상기 바디 구조체 및 상기 마스터 기판이 담겨진 전해액 내로 기포제거 가스를 제공하는 단계를 포함하는 CMP 패드 컨디셔너의 제조 방법
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돌출부를 갖고 제1 선폭을 갖는 제1 패턴, 및 상기 제1 패턴의 표면에 형성되고 상기 제1 선폭 보다 좁은 제2 선폭을 갖고 상기 제1 패턴보다 작은 단차를 갖는 요철 구조의 제2 패턴을 포함하는, 바디 구조체; 및상기 바디 구조체 상에 형성된 다이아몬드 막을 포함하는 CMP 패드 컨디셔너
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제11 항에 있어서, 상기 바디 구조체는, 니켈(Ni), 텅스텐(W), 탄화 규소(SiC), 및 질화 규소(Si3N4) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 CMP 패드 컨디셔너
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제11 항에 있어서, 상기 다이아몬드 막은, 상기 제1 패턴 및 상기 제2 패턴을 따라 콘포말하게(conformally) 형성된 것을 포함하는 CMP 패드 컨디셔너
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